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题名环形氮化铝压电MEMS谐振器的支撑结构设计研究
被引量:4
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作者
诸政
吕世涛
张敖宇
孙海燕
赵继聪
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机构
南通大学信息科学技术学院
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出处
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2022年第3期24-27,35,共5页
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基金
国家自然科学基金资助项目(61804084)。
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文摘
基于有限元仿真研究了方环和圆环形谐振器的静态位移点,并分析了支撑轴位置对谐振器性能的影响,提出了优化设计方案:对于方环形谐振器,在对角处设置双端侧向支撑以降低其锚点损耗;对于圆环形谐振器,采用单端侧向支撑以及三端底部支撑相结合的器件结构,在保证电学信号引出的同时,提升器件的品质因数Q。针对所设计的器件结构特征,设计了一种基于七步光刻工艺的微纳制程,并成功实现器件的高成品率制备。测试结果表明:前者的Q值和机电耦合系数k_(eff)^(2)分别为1707.4和0.98%,后者的Q值和k_(eff)^(2)分别为1844.7和1.58%。相比于四端支撑环形谐振器,优化设计的支撑结构使得器件Q值得到大幅提升。此外,还分析研究了不同表面电极材料对环形谐振器的性能影响。
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关键词
微机电系统
压电谐振器
制备工艺
锚点损耗
品质因数
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Keywords
micro-electro-mechanical system(MEMS)
piezoelectric resonator
fabrication process
anchor loss
quality factor
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分类号
TP212
[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
TN4
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名氮化铝Lamb波谐振器的支撑轴区域声反射结构研究
被引量:1
- 2
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作者
王星宇
吕世涛
张敖宇
孙海燕
赵继聪
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机构
南通大学信息科学技术学院
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出处
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2022年第9期20-24,共5页
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基金
国家自然科学基金资助项目(62174092)。
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文摘
本文综合运用有限元仿真和实验相结合的方法,研究分析了氮化铝兰姆(Lamb)波谐振器的支撑轴区域声反射结构对串联谐振品质因数(Q)的影响。对于频率约1.56 GHz的Lamb波谐振器,窄支撑和全支撑锚点结构的Q值基本相当;设置圆弧形和斜边形的声反射结构可减小支撑轴区域的位移幅值,进而降低锚点损耗;设置弧形沟槽有助于将声能限制在谐振腔区域,进而提升Q值;在衬底与支撑轴相邻区域沉积金属铝,可增加衬底与支撑轴的声阻抗失配程度,有利于声波反射回谐振腔。此外,基于6 in(1 in=2.54 cm)氮化铝工艺平台,成功制备了本文所设计的器件,且测试结果与模拟结果基本吻合,采用上述几种声反射结构均可提升Q值,其中斜边形反射结构对Q值的提升最为显著,Q值从2232.1提高到3256.5。
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关键词
压电谐振器
有限元分析
声反射结构
锚点损耗
品质因数
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Keywords
piezoelectric resonator
finite element analysis
acoustic reflection structure
anchor loss
quality factor
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分类号
TP212
[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
TN4
[电子电信—微电子学与固体电子学]
TN712.5
[电子电信—电路与系统]
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题名氮化铝Lamb波谐振器的能量损耗分析研究
- 3
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作者
赵继聪
吕世涛
张敖宇
宋晨光
孙海燕
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机构
南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室
南通大学信息科学技术学院
南通大学电气工程学院
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出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第1期222-230,共9页
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基金
国家自然科学基金(No.62174092,No.61804084)。
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文摘
本文介绍了工作频率为400 MHz和2 GHz氮化铝Lamb波谐振器的结构设计、微纳制造及测试表征,研究了锚点损耗和声子间相互作用损耗对Lamb波谐振器品质因数(Q值)的影响,并分析了不同工作频率的Lamb波谐振器的主要能量损耗来源.研究发现:对于低频谐振器,锚点损耗为其主要能量损耗来源,因此减小支撑轴宽度可减少通过支撑轴泄漏至衬底的能量,进而提高Q值;对于高频谐振器,声子间相互作用损耗为其主要能量损耗来源,因此相比于金(Au),采用铝(Al)作为叉指电极(IDT)材料的谐振器具有更高Q值.针对Lamb波谐振器的结构特点,设计了一套基于七步光刻工艺的微纳制程,成功制备了具有微型化释放腔体的Lamb波谐振器,并具备优异的性能.测试结果表明,工作频率为400 MHz和2 GHz的Al-IDT谐振器的串联品质因数(Qs)分别达到2 590和1 192.
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关键词
微机电系统
Lamb波谐振器
品质因数
能量损耗
制备工艺
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Keywords
MEMS
Lamb wave resonator
quality factor
energy loss
manufacturing process
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分类号
TN4
[电子电信—微电子学与固体电子学]
TN712
[电子电信—电路与系统]
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