电阻热蒸发与磁控溅射对制备二维银纳米阵列的影响

利用纳米球刻蚀法制备二维银纳米阵列的过程中,不同的物理气相沉积方法得到的银纳米阵列结构形貌不同。其中电阻热蒸发沉积得到完整三角形状的二维银纳米阵列,而磁控溅射沉积得到蜂窝状银纳米阵列。同时在沉积过程中通过改变金属粒子沉积方向也可获得结构不同的银纳米阵列,其中将基片固定,使蒸发源垂直沉积时制备出的二维银纳米阵列更加致密、完整。最后吸收光谱验证了采用电阻热蒸发垂直沉积时得到结构完整且面积较大的银纳米阵列,以上研究为二维银纳米阵列的应用提供了条件。

铬过渡层位置及金属沉积角度对纳米球刻蚀法制备二维银纳米点阵结构的影响

利用纳米球刻蚀法制备了二维六角密排三角形银纳米阵列,通过加入铬过渡层并改变其位置和改变金属沉积角度,研究它们对点阵结构的影响.实验发现,加入铬过渡层所形成的银纳米点阵结构较无铬层有很大改善,三角形角部更加尖锐,更能满足传感器对信号检测的要求.同时,该过渡层应蒸镀在模板球排列之后,才能获取更大面积的二维银纳米点阵结构.在沉积角度对制备二维银纳米点阵的影响的实验中,基片没有旋转,采用垂直镀膜方式更容易得到结构完整、结合较牢固、且面积较大、角部尖锐的二维银纳米点阵.吸收光谱测量进一步验证了铬过渡层对二维银纳米点阵形貌结构的改善作用.这些为下一步的生物修饰以及生物化学传感器的制备提供了先决条件.