PECVD淀积Si_3N_4作为光刻掩膜版的保护膜

采用等离子增强化学汽相淀积(PECVD)方法淀积Si3N4薄膜作为光刻掩膜版的保护膜,可以降低掩膜版受损程度,延长使用寿命。分析了Si3N4膜厚的选取要求,给出了PECVD淀积Si3N4膜的工艺条件。实际制作了带有Si3N4保护的光刻掩膜版,并与不带Si3N4保护的掩膜版的使用情况做了对比。结果表明,带有Si3N4保护的光刻掩膜版的使用寿命可明显延长2倍以上。

氮化硅的刻蚀及其它应用

氮化硅介质作为集成电路或半导体功率器件的介质层,具有掩蔽杂质沾污的作用,通过一系列试验研究,找到了氮化硅的干法、湿法刻蚀工艺,对半导体器件的性能有很好的提高,并且通过试验,还发现氮化硅具有透明耐摩擦的特性,可用于制作掩膜版的保护膜。

肖特基二极管产品多层金属的湿法刻蚀及金属翘银问题的解决

肖特基二极管正面顶层金属结构设计为Ag、Ti、Ti-W、Ni-Cr四层金属,四层金属在单层湿法刻蚀过程中必须选择刻蚀本层不刻蚀其它层金属的化学品,由于是多层金属刻蚀,会出现过刻蚀现象,导致金属翘银,对于翘银现象采取正反向湿法刻蚀方法进行解决。

BiCMOS多晶硅栅的光刻和刻蚀工艺分析

阐述在0.5μm BiCMOS工艺中的多晶硅栅制备工艺关键试验。试验表面旋涂转速会显著影响涂胶厚度,该参数的变化会影响到多晶硅栅的形貌和物理性能。同时,通过调节曝光量和焦深,可以有效地控制光刻过程的精度,从而确保多晶硅栅结构的准确复现。LAM9400用于刻蚀工艺,在特定刻蚀厚度范围内,多晶硅表现出良好的均匀性。

多功能远程监控系统的设计与实现

以STC89C52为核心,基于NRF24L01单片射频收发模块设计了多功能温度、湿度和烟雾远程采集监控系统,完成了硬件、软件和通信模块的设计。系统能自动监测温度、湿度和烟雾,数据采集系统以串口与嵌入式终端进行通信。软件设计包括嵌入式监控终端应用开发、安卓手机客户端软件开发和单片机数据采集系统开发。