PERC背钝化工艺卡点位置缺陷导致EL不良研究

以二合一管式PECVD背钝化镀膜工艺过程中出现的石墨舟空心卡点EL发黑品质异常为研究对象,分析讨论二合一管式PECVD背钝化工艺中射频功率、工艺温度、氧化铝沉积厚度等对晶硅太阳电池空心卡点EL发黑品质异常的影响。结果表明,在二合一管式PECVD背钝化工艺时采用12~16 nm厚度的氧化铝薄膜、350~370℃的预淀积工艺温度,能有效解决镀膜空心卡点EL发黑品质异常,显著提升晶硅太阳电池在二合一管式PECVD的镀膜品质。

一种高抗机械荷载PERC单晶硅太阳电池的设计

通过将采用不同电池工艺的PERC单晶硅太阳电池分别进行四点弯曲法测试,选出最优电池工艺,并将采用最优工艺的电池制作成组件,与常规PERC单晶硅光伏组件进行测试对比。结果表明,改良后的PERC单晶硅光伏组件比常规PERC单晶硅光伏组件的抗机械荷载能力强。