不同浓度S掺杂2H-CuInO_(2)的第一性原理研究

本文采用基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)平面波超软赝势方法,对1.04%、1.39%、2.08%掺杂浓度下2H-CuInO_(2)的能带结构和电子态密度进行了理论计算研究。结果表明:随着掺杂浓度的提高,S的掺杂使纯净的2H-CuInO_(2)能带结构中价带顶的位置被改变,并使其带隙降低。另外S的杂质能级在2H-CuInO_(2)中属于浅能级杂质,会参与费米能级的形成,说明S的掺杂可以提高2H-CuInO_(2)的导电率。