电化学刻蚀多孔GaN材料的研究

通过电化学刻蚀法以KOH作为刻蚀液制备多孔GaN材料。本文主要研究刻蚀电压和刻蚀液浓度两方面对多孔GaN材料形貌的影响,其中刻蚀电压变化范围为10 V^25 V,并以能带模型进行理论分析。刻蚀液浓度变化范围为20%~50%,并着重通过动力学模型进行理论分析。理论分析和实验结果均表明:在电化学刻蚀制备多孔GaN材料时,通过改变刻蚀电压和刻蚀液浓度可以实现对孔尺寸、孔洞率、孔密度等孔形貌的控制。