时域反射法(time domain reflectometry,TDR)被广泛应用于电力电缆局部放电(partial discharge,PD)定位,而长电缆中局部放电存在严重的衰减,难以有效识别反射波到来时刻,导致定位精度较低。为此,分析了高频局放信号的传播特征,提出了一...时域反射法(time domain reflectometry,TDR)被广泛应用于电力电缆局部放电(partial discharge,PD)定位,而长电缆中局部放电存在严重的衰减,难以有效识别反射波到来时刻,导致定位精度较低。为此,分析了高频局放信号的传播特征,提出了一种局部放电信号中继放大的思想。基于电缆的传递函数设计了符合注入脉冲有效频带的高频电流传感器(high frequency current transformer,HFCT),并研制了一种非接触式行波放大装置,进而利用标准校准脉冲模拟单次局部放电信号在电缆的中继放大效果,最后通过实测局部放电信号的验证了方法的可行性。实验结果表明:信号中继放大装置能够有效增加电缆中反射信号的幅值,延长局部放电在电缆中的传输距离,并有望发展成为一种能够实现超长电缆中局部放电精确定位的新方法。展开更多
为了研究水树生长对交联聚乙烯(cross linked polyethylene,XLPE)材料晶区的破坏作用,研究水树生长早期XLPE材料的晶区结构变化及晶区破坏机制。采用加速水树老化平台对A、B、C三组XLPE薄片样本分别进行10天、20天、30天的水树老化,老...为了研究水树生长对交联聚乙烯(cross linked polyethylene,XLPE)材料晶区的破坏作用,研究水树生长早期XLPE材料的晶区结构变化及晶区破坏机制。采用加速水树老化平台对A、B、C三组XLPE薄片样本分别进行10天、20天、30天的水树老化,老化结束后用化学侵蚀法侵蚀样本,并用扫描电镜(scanning electron microscope,SEM)观测水树区域晶区形貌,用X射线衍射(X ray diffraction,XRD)检测水树区域晶区结构变化。SEM观测结果表明,侵蚀样本中的缺陷形态在不同老化时期存在差异:老化10天时,样本中出现细长螺型位错滑移线及较短刃型位错;老化20天时,样本中沿XLPE晶面方向萌生裂缝;老化30天后,样本中裂缝发展为数十微米。同时,样本中出现尖底位错蚀坑,且在蚀坑底部存在微孔。XRD检测结果表明,水树老化将导致材料晶区衍射峰产生尖角状畸变及宽化,并且随着老化时间的增长,样本结晶度下降。分析认为,水树老化将导致XLPE晶区发生破坏。非晶区水树微孔发展至晶区时,将对晶区造成电机械应力并使晶区发生形变,进而在晶区萌生位错。位错运动增殖导致出现滑移线及位错台阶。随着位错密度增大,不同晶面位错交割并产生位错塞积,进而在晶区中萌生微裂纹并产生位错凹坑,晶区发生破坏。展开更多
文摘时域反射法(time domain reflectometry,TDR)被广泛应用于电力电缆局部放电(partial discharge,PD)定位,而长电缆中局部放电存在严重的衰减,难以有效识别反射波到来时刻,导致定位精度较低。为此,分析了高频局放信号的传播特征,提出了一种局部放电信号中继放大的思想。基于电缆的传递函数设计了符合注入脉冲有效频带的高频电流传感器(high frequency current transformer,HFCT),并研制了一种非接触式行波放大装置,进而利用标准校准脉冲模拟单次局部放电信号在电缆的中继放大效果,最后通过实测局部放电信号的验证了方法的可行性。实验结果表明:信号中继放大装置能够有效增加电缆中反射信号的幅值,延长局部放电在电缆中的传输距离,并有望发展成为一种能够实现超长电缆中局部放电精确定位的新方法。
文摘为了研究水树生长对交联聚乙烯(cross linked polyethylene,XLPE)材料晶区的破坏作用,研究水树生长早期XLPE材料的晶区结构变化及晶区破坏机制。采用加速水树老化平台对A、B、C三组XLPE薄片样本分别进行10天、20天、30天的水树老化,老化结束后用化学侵蚀法侵蚀样本,并用扫描电镜(scanning electron microscope,SEM)观测水树区域晶区形貌,用X射线衍射(X ray diffraction,XRD)检测水树区域晶区结构变化。SEM观测结果表明,侵蚀样本中的缺陷形态在不同老化时期存在差异:老化10天时,样本中出现细长螺型位错滑移线及较短刃型位错;老化20天时,样本中沿XLPE晶面方向萌生裂缝;老化30天后,样本中裂缝发展为数十微米。同时,样本中出现尖底位错蚀坑,且在蚀坑底部存在微孔。XRD检测结果表明,水树老化将导致材料晶区衍射峰产生尖角状畸变及宽化,并且随着老化时间的增长,样本结晶度下降。分析认为,水树老化将导致XLPE晶区发生破坏。非晶区水树微孔发展至晶区时,将对晶区造成电机械应力并使晶区发生形变,进而在晶区萌生位错。位错运动增殖导致出现滑移线及位错台阶。随着位错密度增大,不同晶面位错交割并产生位错塞积,进而在晶区中萌生微裂纹并产生位错凹坑,晶区发生破坏。