不同辐射剂量率下CMOS器件的电离辐射性能

对加固 Ｃ Ｍ Ｏ Ｓ 器件在两种辐射剂量率下进行辐照实验，研究了 Ｍ Ｏ Ｓ Ｆ Ｅ Ｔ 阈值电压及 Ｃ Ｍ Ｏ Ｓ倒相器转换电压 Ｖｔｒ、开门电压 Ｖｉｈ 、关门电压 Ｖｉｌ等参数随辐射剂量及辐射剂量率的变化关系规律．

利用加速器提供的重离子进行SRAM单粒子效应研究

报导了利用北京大学串列静电加速器提供的重离子对两类静态随机存储器进行单粒子效应的实验和测量。给出了两类静态随机存储器的单粒子效应翻转截面随线性能量转移值的变化关系曲线。

不同剂量率LC54HC04RH电路的电离辐射效应

对 L C54HC0 4 RH电路在不同辐射剂量率进行了电离辐射实验。分析了该电路的阈值电压随辐射剂量率的变化关系。实验结果表明 :在辐射剂量率处于 3× 10 -4 Gy(Si) / s到 1.98×10 -1Gy(Si) / s范围内 ,辐射感生界面陷阱电荷随辐射剂量率的减少而增加。辐射感生界面陷阱电荷是导致该电路在空间辐射环境下失效的主要原因。

利用MOSFET亚阈I-V特性进行辐射感生界面陷阱的测量

本文利用MOSFET亚阈IV曲线对加固和非加固MOSFET的辐射感生界面陷阱密度进行了测量.

BF_2^+注入硅栅p沟MOS场效应晶体管辐射感生界面陷阱测量

利用亚阈测量技术对BF+2 注入硅栅PMOSFET辐射感生界面陷阱进行了测量。对BF+2 注入PMOSFET具有抑制辐射感生界面陷阱的机理进行了分析和讨论。

注BF_2^+MOS电容的电离辐射效应

着重研究了γ辐照后,不同偏置情况下,N—Sub MOS电容的高频C—V曲线随B_2^+注入剂量的变化,并对实验结果进行了分析讨论。

静态随机存取存储器重离子单粒子翻转效应实验研究

应用重离子加速器和 2 52 Cf源进行单粒子翻转效应实验 ,测量得到 IDT系列和 HM系列静态随机存取存储器的单粒子翻转重离子 L ET阈值为 4～ 8Me V· cm2 /mg,单粒子翻转饱和截面为 10 -7cm2 · bit-1量级 ,位单粒子翻转截面随集成度的提高而减小。实验结果表明 ,可以用 2 52

环境温度、电离辐射剂量率对NMOSFET器件特性参数的影响

研究了辐射环境温度、辐射剂量率、退火温度和退火偏置对 CC40 0 7NMOS器件阈值电压的影响 .研究发现 ,低温 (- 30℃ )辐照感生的氧化物陷阱电荷比室温 (2 5℃ )多 ,界面态电荷比室温要少 ;受不同 γ剂量率辐射时 ,阈值电压的漂移程度不一样 ,在总剂量相同情况下 ,辐射剂量率高时 ,阈值电压的漂移量也大 ;辐照后 ,NMOS器件 10 0℃退火速度要大于 2 5℃退火速度 ,+5 V栅偏压退火情况要大于浮空偏置情况 .

半导体器件单粒子效应的加速器模拟实验

着重描述了应用加速器开展半导体器件的单粒子效应实验研究的方法。采用金箔散射法可以降低加速器束流几个量级 ,从而满足半导体器件单粒子效应实验的要求。研制的弱流质子束流测量系统和建立的质子注量均匀性测量方法解决了质子注量的准确测量问题。实验测得静态随机存取存储器的质子单粒子翻转截面为 1 0 -14 cm2· bit-1量级 ,单粒子翻转重离子 LET阈值为 4～ 8Me V· cm2 /mg,重离子单粒子翻转饱和截面为 1 0 -7cm2·

SOI MOSFET器件X射线总剂量效应研究

研究了以10keV X射线为辐照源对注氧隔离(SIMOX)SOI MOSFET器件进行辐照的总剂量效应。采用ARACOR 10keV X射线对埋氧层加固样品与未加固的对比样品在开态和传输门态两种辐照偏置下进行辐照,分析了器件的特性曲线,并计算了SOI MOS器件前栅与寄生背栅晶体管辐照前后的阈值电压的漂移。实验结果表明,加固样品的抗辐射性能优越,且不同的辐照偏置对SOI MOSFET器件的辐照效应产生不同的影响。

单粒子效应模拟实验研究

单粒子效应是卫星抗辐射加固研究的主要对象之一。文章重点介绍了所建立的模拟实验测量系统、装置和研究方法，提出了二次翻转问题及其修正公式，以及器件的高能质子和１４ＭｅＶ中子单粒子效应的规律相似性，指出今后需重点研究的问题是高能质子及其与１４ＭｅＶ中子等效研究，及对单粒子效应的评估。

SOI材料和器件及其应用的新进展

综述了绝缘层上的硅(SOI)材料的新结构包括不同绝缘埋层和不同半导体材料结构的最新进展,介绍了SOI器的新结构和SOI器件在抗辐射电子学方面的应用,报道了国内在SOI技术的研发和产业化的最新动态。

低能Ar^+离子束辅助沉积择优取向Pt(111)膜

采用低能Ar+离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)基底上沉积Pt膜,离子/原子到达比分别为0.1、0.2、0.3。若Ar+离子的入射角为0°,XRD谱分析表明,沉积的Pt膜均呈(111)和(200)混合晶向;当Ar+离子的入射角为45°,沉积的Pt膜均呈很强的(111)择优取向。因此若合理控制Ar+离子束的入射角,可在Mo/Si(100)衬底上制备出具有显著择优取向的Pt(111)薄膜。本文采用MonteCarlo方法模拟低能Ar+离子注入Pt单晶所引起的原子级联碰撞过程,得出Ar+离子入射单晶铂(200)晶面时,Ar+离子的溅射率与入射角的关系,对Pt膜择优取向的机理作了初步的探讨和分析。

MOS器件在不同源辐照下总剂量效应的异同性研究

介绍了加固型CMOS电路在60Co-γ射线源、10MeV以下的质子、1～2MeV的电子等辐射源辐照下的总剂量效应实验。结果表明,在相同吸收剂量和+5V栅压的偏置条件下,1MeV的电子与60Co-γ射线源对器件的损伤相当。质子与60Co-γ射线源对器件的辐射损伤,在不同的栅压偏置下有不同的结果。+5V栅压下,能量在10MeV以下的质子对器件的损伤小于60Co-γ射线源,且质子对器件的辐射损伤随着质子能量的增加而增加;在零栅压的偏置条件下,质子对器件的损伤与60Co-γ射线源对器件的损伤相当。通过对实验结果的分析认为,用实验室常用的60Co-γ射线源可以模拟MOS器件在质子、电子辐射环境下的最劣总剂量效应。

MOS晶体管中辐照引起的陷阱正电荷的强压退火

电离辐射在 MOS结构的 Si O2 层中建立正陷阱电荷 ,这些正陷阱电荷在正强栅偏压( + 2 0 V)下迅速减少 ,这是由于正栅压引起硅衬底中的电子向 Si O2 层隧道注入 ,从而与陷阱正电荷复合 .正栅压退火不仅对 N沟 MOS结构非常有效 ,对 P沟 MOS结构也有一定的影响 .给出了辐照后的 NMOS和 PMOS晶体管在强正栅压下退火的实验结果 ,阐明了正栅压下的“隧道退火”机理 .

SIMOX埋氧层的总剂量辐射硬度对埋氧层中注氮剂量的敏感性(英文)

为了提高SIMOX(separation -by -implanted oxygen)SOI(silicon -on -insulator)结构中埋氧层(BOX)的总剂量辐射硬度,埋氧层中分别注入了2×1015cm-2和3×1015 cm-2 剂量的氮.实验结果表明, 在使用Co 60 源对埋氧层进行较低总剂量的辐照时,埋氧层的总剂量辐射硬度对注氮剂量是非常敏感的.尽管埋氧层中注氮剂量的差别很小,但经5×104rad(Si)剂量的辐照后,注入2×1015 cm-2 剂量氮的埋氧层表现出了比未注氮埋氧层高得多的辐射硬度,而注入3×1015cm-2剂量氮的埋氧层的辐射硬度却比未注氮埋氧层的辐射硬度还低.然而,随辐照剂量的增加(从5×104 到5×105rad(Si)),这种埋氧层的总剂量辐射硬度对注氮剂量的敏感性降低了.采用去掉SOI顶硅层的MOS高频C -V技术来表征埋氧层的总剂量辐射硬度.另外,观察到了MSOS(metal -silicon- BOX- silicon)结构的异常高频C- V曲线,并对其进行了解释.

^(90)Sr-^(90)Yβ源辐射场中轫致辐射剂量分量的理论计算和实验测量

对90 Sr 90 Y源半导体辐照效应在线测量系统中所用辐射源与周围物质相互作用所产生的轫致辐射剂量进行了理论计算和实验测量。采用聚乙烯薄膜作吸收材料 ,实现了 β与X射线辐射剂量的分离。给出了测量的吸收剂量中X射线辐射剂量的贡献 。

总剂量辐射效应中的辐射源及剂量测量

介绍了电子元器件与电路总剂量辐射效应中可能遇到的各种辐射源及吸收剂量测量问题。辐射环境包括空间辐射环境、核爆炸辐射环境及总剂量加固实验中用到的模拟辐射源 ,给出了一些基本的参数 ,为进行不同辐射源总剂量效应异同性研究及用地面模拟试验结果预估器件的工作寿命奠定基础 ,探讨了总剂量效应测试中的剂量学问题及各种辐射环境的剂量测量方法 。

颈动脉斑块及主动脉脉压对冠状动脉病变严重程度的相关性研究

1 资料与方法 回顾性分析2007年1～11月我院拟诊冠心病行冠状动脉造影术和颈动脉超声的276例患者，男206例，女70例，平均年龄（62．7±7．2）岁。根据有无颈动脉斑块（CAP）和主动脉脉压（PP）水平分为：A组142例（有CAP＋PP≥65mmHg，1mmHg=0．133kPa）、B组30例（无CAP＋PP≥65mmHg）、C组39例（有CAP＋PP〈65mmHg）、D组65例（无CAP＋PP〈65mmHg）。排除继发性高血压、瓣膜病、先天性肺病、主动脉夹层、7日内患急性心肌梗死者。

BF2^＋注入硅栅PMOSFETγ辐照效应

本文系统地研究了ＢＦ２＾＋注入硅栅ＰＭＯＳＦＥＴ阈值电压漂移与γ辐照总剂量之间的关系，深入地探讨了ＢＦ２＾＋注入抗γ辐照加固的机理。结果表明，ＢＦ２＾＋注入是一种抗γ辐照加固的新方法。