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高压高速SOI-LIGBT的研制
被引量:
2
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作者
杨健
张正
+1 位作者
李肇基
李学宁
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第5期366-369,共4页
采用数值模拟分析了双降场层SOI-LIGBT击穿电压与SOI层厚度和隔离SiO2层厚度的关系,分析了阳极短路面积比对器件正向压降、关断时间和正向转折电压的影响,并利用硅直接键合(SDB)技术研制出580V的阳极短路SOI-LIGBT。
关键词
横向绝缘棚
双极晶体管
智能功率IC
SOI-LIGBT
下载PDF
职称材料
题名
高压高速SOI-LIGBT的研制
被引量:
2
1
作者
杨健
张正
李肇基
李学宁
机构
电子科技大学微电子所
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第5期366-369,共4页
基金
国家"九五"军事预研项目
国防基金项目
文摘
采用数值模拟分析了双降场层SOI-LIGBT击穿电压与SOI层厚度和隔离SiO2层厚度的关系,分析了阳极短路面积比对器件正向压降、关断时间和正向转折电压的影响,并利用硅直接键合(SDB)技术研制出580V的阳极短路SOI-LIGBT。
关键词
横向绝缘棚
双极晶体管
智能功率IC
SOI-LIGBT
Keywords
LIGBT
Smart power integrated circuit(SPIC)
Silicon on insulator(SOI)
Silicon direct bonding(SDB)
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高压高速SOI-LIGBT的研制
杨健
张正
李肇基
李学宁
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
1999
2
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职称材料
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