非线性负阻抗实现中P-N结电容效应的影响

在负阻抗的模拟实现中,由于所用集成运算放大器内部及外部分立元件二极管、三极管 P-N 结结电容的影响,往往使实现的负阻抗的伏安特性出现滞回现象。这在非线性负阻抗的模拟实现中,更为突出。该文以非线性负电感的模拟实现为例,对此现象作了详细的分析。