CRD的特性和硅外延层质量控制

本文分析了ＣＲＤ特性和外延层质量的关系，并报导了改善外延层质量的方法和措施。由于外延层晶格结构以及外延层厚和电阻率的均匀性提高，使ＣＲＤ的Ｉ＿Ｈ值精确控制和击穿电压Ｖ＿Ｂ值提高有了明显的进展。

外延层质量与恒流器体特性关系的研究

目前国内外普遍采用水平沟道结构制造CRD(Current Regulator Diode)即在P型硅衬底上,外延生长3～5μm,电阻率为1～2Ω.cm的一个n型薄层,然后硼扩散在外延层上制作顶栅,底栅结是由n型外延层和P型衬底构成,参图1.为了减小导通电阻,在顶栅扩散后光刻 .源、漏接触窗口,通过浓磷扩散形成n^+区最后制作欧姆接触电极.工艺中关键是外延层生长和顶栅结制备.