小学语文阅读课教学探索

传统的阅读课教学,是学生被动接受的学习过程,是教师向学生灌输和填充的教学过程,把学生当做一个个可以装许多知识的瓶子。

无杂质空位诱导量子阱混杂研究及应用现状

自量子阱混杂发现以来,其在这几十年的发展中取得了巨大进步。在各种量子阱混杂的方法中,无杂质空位扩散诱导量子阱混杂(IFVD)以其独特的优势获得了细致的研究和广泛的应用。主要从混杂原理、介质膜类型、材料系、低维量子点中的应用和器件应用等几个方面来全面分析IFVD研究和应用现状。

基于SiO_2膜的GaInP/AlGaInP无杂质空位扩散诱导量子阱混杂的研究（英文）

在红光半导体激光器芯片上采用Si O2介质膜进行无杂质空位扩散诱导量子阱混杂研究。激光器芯片的有源区是由两个6 nm厚的Ga In P量子阱和三个8 nm厚的Al Ga In P量子垒构成,利用电子束蒸发方法在芯片表面生长了250 nm Si O2介质膜。在不同温度下进行时长60 s的高温快速退火诱发量子阱混杂。通过光致发光光谱分析样品混杂之后的波长蓝移情况和光谱半峰全宽变化规律。当退火温度达到900℃时,样品获得29.5 nm的最大波长蓝移;在750℃的退火温度下获得43 nm的最小光谱半峰全宽。