C波段低噪声放大器的设计

低噪声放大器(简称低噪放)是射频接收前端中的重要部件。一个性能良好的低噪声放大器可大大改善接收机的信噪比。本文介绍了一种C波段低噪声放大器的设计原理和设计方法,并给出了设计结果。该放大器采用NEC公司的NE3210S01场效应晶体管(FET),为达到较高的增益和较好的增益平坦度,采用两级级联的方式。输出端串联一个有耗元件(电阻)保证放大器的稳定性。利用ADS强大的仿真优化功能设计了输入、输出及级间匹配电路,最终制成的放大器经反复调试后在4.5G～5.5GHz范围内增益(25±0.7)dB,噪声系数小于1.3dB,输出驻波小于1.5,达到了设计要求。

用阶跃恢复二极管设计16次倍频器

利用阶跃恢复二极管的非线性特性设计并制作了一个16次倍频器,采用100MHz温补晶振提供输入信号,输出频率1.6GHz,输出功率10dBm,频谱纯度良好,该倍频器已经成功应用于某测试系统中。

基于CRO的低相噪频率合成器设计

频率合成器是现代电子系统的重要组成,本文采用同轴陶瓷介质振荡器(CRO)进行了压控振荡器(VCO)设计,给出了频率合成器的实现原理和设计方法,实现了低相噪的频率合成器模块,并对其性能进行了测试。