无铅压电陶瓷的晶格缺陷对压电性能影响研究

无铅压电陶瓷中,绝大部分是以三价铋取代二价铅的含铋无铅压电陶瓷.含铋压电陶瓷与有铅压电陶瓷相比,在烧结时出现的液相温度比含铅陶瓷低,陶瓷烧结温度也比含铅压电陶瓷低;铋容易挥发,陶瓷晶粒中易出现氧空位;三价铋的极化率虽然与二价铅的相当,但其结构对称性下降,晶体的各向异性大,90°电畴不易随电场取向,因而压电性能不如含铅陶瓷相变.作者主要是对含铋无铅压电陶瓷中由于铋挥发引起的晶格缺陷偶极子,它们在电场作用下的取向排列对压电性能影响进行了研究.

“纺织品染色”课程项目化教学的实施

针对职业教育提出的"任务驱动、项目引领"课程改革要求,结合"纺织品染色"精品课程的建设,进行"纺织品染色"课程项目化教学,提出课程在项目化教学中应注意的一些问题。

改性钛酸铅压电陶瓷

研究了ＸＰｂＴｉＯ３＋ＹＬａ２／３ＴｉＯ３＋Ａ％ＭｎＯ２（质量比）＋Ｂ％Ｂｉ２Ｏ３（质量比）钛酸铅材料，结果表明对ＡＢＯ３钙钛矿型结构的ＰｂＴｉＯ３的Ａ位取代，并添加适量的氧化物杂质，选择合适的工艺条件，得到了性能优良适用于制作高频元件的钛酸铅材料。

厚度切变模式高频谐振器用压电陶瓷

研究了Ｐｂ（ＺｒｘＴｉｙ）Ｏ３＋ＤＭｎＯ２＋ＥＣｅＯ２二元系压电陶瓷材料，以质量分数ｗ为５％～１０％的碱土金属元素Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ氧化物加入配方中，形成二价正离子，取代铅，再以适量的ＭｎＯ２，ＣｅＯ２氧化物作为添加物加入配方中，选择了合适的工艺，获得了性能优良的压电陶瓷材料，该材料已成功地用于制造１．５～６．０ＭＨｚ厚度切变模式高频谐振器。

双轴同轴型微波介质滤波器的仿真与设计

在介绍双轴同轴型谐振微波介质滤波器结构及工作原理基础上,利用理论公式计算与HFSS10.0三维有限元仿真的混合设计方法,设计了满足性能要求(插入损耗为–3dB以上;–3dB带宽为18MHz以上)的微波介质滤波器。滤波器试样实际测试结果表明,该设计方法正确可行,测试结果与仿真结果有很好的一致性,最终设计出的滤波器插入损耗为–2.83dB,–3dB带宽为35MHz。

MgTiO_3微波介质材料介电性能的改善研究

对影响MgTiO3微波介质材料介电性能的机理进行了初步探讨,通过用Ca、Nb、La、Zn、Ni等对MgTiO3微波介质材料进行掺杂改性,得到一种生产工艺稳定,品质因数Q高,f(谐振频率温度系数)低,烧结温度较低(1 260℃)的微波介质材料。该材料能广泛用于制作GPS(全球卫星定位系统)天线、介质滤波器、介质谐振器等微波介质器件。

“十一五”压电陶瓷频率元器件发展趋势

压电陶瓷频率元器件包括滤波器、谐振器、陷波器、鉴频器等，已广泛应用于电子、激光、超声、通讯、导航、航天、自动控制、计量检测、精密加工、传感技术和引燃引爆等领域，成为当今高新技术的主要研究方向之一。“十五”期间列入新型电子元器件目录，是电子元器件发展的重点。

钛酸铅材料温度系数的改善

随着压电陶瓷器件向高频方向发展，材料的温度稳定性尤显重要。文章除了对ＡＢＯ３钙钛矿型结构的钛酸铅材料进行Ａ位取代外，并且添加适量的氧化物杂质，从而获得了频率温度稳定性优良的改性ＰｂＴｉＯ３压电陶瓷材料。

高Q中介微波介质陶瓷的研制

用传统固相反应法制备了CaTiO3-Ca(Zn1/3Nb2/3)O3-CaSmAlO4微波介质陶瓷材料。探讨了各组分比例变化对陶瓷烧结及微波介电性能的影响。通过XRD、SEM等分析测试手段对材料的晶相组成、显微结构进行了研究。所研究的该系列陶瓷材料大部分都具有良好的微波介电性能:εr为45～50,Q·f0>38000GHz,τf<10×10–6℃–1。

(1-x)CaTiO_3-x(Li_(1/2)Ln_(1/2))TiO_3高介微波介质陶瓷

研究了烧结温度、组成和稀土元素对(1-x)CaTiO3-x(Li1/2Ln1/2)TiO3(x=0.3、0.5(摩尔分数);Ln=La、Nd、Sm)微波介质陶瓷的晶体结构和微波介电性能的影响。X-射线衍射(XRD)分析表明,除(1-x)CaTiO3-x(Li1/2Ln1/2)TiO3(x=0.5,Ln=Nd)陶瓷中含有少量Nd2Ti2O7外,其余陶瓷均形成了单一的正交钙钛矿相。x=0.5的样品微波介电性能明显优于相应的x=0.3的样品。(1-x)CaTiO3-x(Li1/2Ln1/2)TiO3(x=0.5)陶瓷微波介电性能:介电常数ε=160,品质因数与频率之积Qf=1 200 GHz,频率温度系数τf=-97×10-6/℃(Ln=La);ε=129,Qf=2 000 GHz,fτ=-52×10-6/℃(Ln=Nd);ε=118,Qf=2 305 GHz,τf=-45×10-6/℃(Ln=Sm)。

基于三次谐波PbTiO_3陶瓷t_c的研究

通过对A[Pb(1-3x/2-y)LaxCayTiO3]+B TiO2系统陶瓷的研究,采用La、Ca适量取代Pb和调整适量游离态的TiO2,并通过Bi、Ce、Cr掺杂的办法,得到一种具有较高tC能满足片式元件温度需求的工业用三次谐波PbTiO3陶瓷,同时对改善PbTiO3陶瓷材料tC的机理进行了初步的探讨。

压电陶瓷谐振器

随着我国电子陶瓷技术的不断发展,作为电子陶瓷的一个分支压电陶瓷器件无论是在产品的电性能方面或是在质量和品种上均以较快的速度更新换代。压电陶瓷谐振器是近几年来发展较快,引人瞩目的一种压电器件。 近几年材料通过专业技术人员的研究,出现了很多性能优良的压电陶瓷材料,这些材料分别在介电常数、机电耦合系数、机械品质因数方面均趋于系列化。

机房工程屏蔽设计的几点考虑

本文论述了机房工程进行屏蔽设计时需要考虑的屏蔽指标、屏蔽结构、屏蔽配套设备及综合布线等问题，对机房屏蔽工程的规划和设计具有一定的意义。