功率MOSFET安全工作区的确定

本文研究了功率ＭＯＳＦＥＴ管的安全工作区的计算及绘制方法。在使用功率ＭＯＳＦＥＴ器件时，应根据应用具体条件（如散热器热阻、环境温度、工作电流和电压）重新确定功率ＭＯＳＦＥＴ器件的安全工作区，为正确使用该器件和设计电路参数提供依据。

高压低饱和压降GTR最佳设计

本文提出了高压低饱和压降ＧＴＲ的最佳设计方法。分析表明，高压低饱和压降晶体管采用集电区穿通性设计比非穿通性设计有利。并论证了穿通因子（Ｎ＝Ｗｅ／Ｘｍ）的最佳值为０．７左右。在此范围内，在保证高击穿电压的条件下，可使他和压降ＵＣＥＲ较低，发射极面积Ａｅ最小，大注入下的电流增益大。

MDE-Ⅰ型电子技术实验仪

为改善实验条件,提高实验教学质量,提高资金的利用率,在校有关部门的支持下,并得到江西电力整流器厂的支援与合作,研制出MDE-Ⅰ型电子技术实验仪,于1993年12月通过了陕西省教委组织的鉴定。现将其简介如下。