硅基Ⅱ-Ⅵ族单结及多结太阳电池研究进展

Ⅱ-Ⅵ族材料具有少子寿命对位错不敏感、禁带宽度范围大及成本低等优点,分子束外延(MBE)生长的Si基Ⅱ-Ⅵ族材料可以作为新的材料体系应用于多结太阳电池中,并且开发新型Si基Ⅱ-Ⅵ族多结电池的效率有可能高于目前的Ⅲ-Ⅴ族多结电池。综述了MBE生长的Si基高质量CdTe和CdZnTe单晶薄膜以及对其进行n型和p型掺杂实验的研究进展。着重介绍了美国EPIR公司对以p-Si为衬底的CdZnTe单结电池和CdZnTe/Si双结电池原型器件的研究成果,其光伏转换效率分别达到了16%和17%,分析了研制高效率Si基Ⅱ-Ⅵ族多结电池面临的技术问题和提高电池效率的可能途径。

常用太阳电池结构模拟软件应用分析

对PCID、SCAPS-1D、AMPS、FORS--HET四种太阳电池一维结构模拟软件进行了应用分析，重点介绍它们的应用范围、软件结构、主要功能及其技术特色。四种软件的基本功能相似，均可在PC机上对常见半导体太阳电池的结构进行模拟计算，但侧重点各不相同。以典型太阳电池器件为例，对上述软件分别进行了模拟计算演示，模拟结果均与实验结果十分符合，显示了太阳电池模拟软件在优化电池器件结构设计上的重要应用价值。