重离子引起SiC MOSFET栅氧化物潜在损伤研究

针对空间应用,开展SiC MOSFET单粒子效应试验研究。在加速器上用重离子辐照1200 V SiC MOSFET,离子线性能量传输(LET)在0.26~118 MeV·cm^(2)/mg之间,辐照中被试器件加50~600 V静态漏源偏置电压、栅源短接,实时测量电特性,进行辐照后栅应力(PIGS)测试。试验结果发现,50~100 V偏置电压下,离子引起瞬态电流,PIGS测试栅失效。分析认为离子引起栅氧化物潜在损伤,PIGS测试过程中,潜在损伤进一步退化导致栅失效。氧化物潜在损伤不仅与辐照偏置电压有关,还与入射离子LET和注量有关。PIGS测试需要的栅应力时间与潜在损伤程度有关,可超过300 s。并给出了电荷累积损伤模型。模型进行SiC MOSFET单粒子效应评估时,应考虑离子引起栅氧化物潜在损伤的影响,需根据轨道和任务周期确定试验离子注量,根据应用情况确定辐照偏置电压,并评估确定PIGS测试栅应力时间。

西安市新建公园语言景观调查分析

语言景观(linguistic landscape)自1997年Landry&Bourhis提出以来,已成为社会语言学领域的一个研究热点。通过对西安市一所新建公园语言景观事实的调查分析,发现存在语言活动随意性较强、缺乏政策规定、语言环境单一、缺乏多语渗透,语言景观信息内涵不够丰富等问题,并根据现有理论提出建设性建议及参考,以期增加对西安公共空间多语实践的认识,了解外国语言文字在西安公共空间的使用情况,提升语言景观建设的规范性及西安市的国际形象。

亚投行面临的挑战和对策建议

在新的国际形势下,新一届的领导人以卓有成效的举动开创了中国政治经济外交活动的新思路,这就是亚投行战略。这一战略将中国外交政策的"韬光养晦"转变为"有所作为",引起了国际的关注。但是,我们也应该看到,一些国家还戴着有色眼镜,对中国的发展别有用心,使得亚投行从一开始就受到部分国家的质疑和打击,在政治外交问题上与我国进行激烈争锋。本文从几个方面对亚投行所面临的挑战进行了分析,并就相关对策给出了针对性的建议。