基于改进DTW算法的高维时空数据关联挖掘方法

电网数据体系较为庞大,挖掘其中的高维时空数据之间的关联性有助于提高电网运行质量。为此,利用改进后的DTW算法关联挖掘高维时空数据。采用改进DTW算法计算高维时空采样数据之间的距离矩阵,明确距离矩阵累积结果,完成数据预处理。按照降序循环项头表中的频繁项,计算空间数据和时间数据的支持度并与设定的阈值对比。以此为依据挖掘高维时空数据的关联性。实验结果证明,该方法挖掘结果较完整,平均误差为1.6%,可以为电网运行提供可靠依据。

完善辽宁省围填海规划与管理的对策研究

随着沿海经济带的开放,辽宁省沿海地区开展了不同规模的围填海造地活动,近岸海域生态环境承受了巨大的压力。文章主要阐述了我国其他主要沿海地区在围填海规划管理工作中的先进经验,针对当前辽宁省沿海大开发的背景,分析辽宁省围填海管理与其他沿海地区的异同,并从规划计划、生态保护、法规管理3个方面完善现行的政策,为相关部门提供具有针对性的改进建议。

邢台南宫方言语音调查研究

南宫位于河北省东南部,其方言属于冀鲁官话区石济片邢衡小片,文章以南宫方言的语音系统为调查对象,归纳了南宫方言的声韵调系统,同时对其语音特点和连读变调、儿化韵、分音等音变现象进行分析和阐释。

辽宁省围填海造地规划的问题与对策

近年来，辽宁省大规模的围填海造地活动，使沿海区域的开发利用出现了一系列问题和矛盾。本文总结辽宁省围填海规划的发展历程，分析其引发的环境问题，为促进辽宁省围填海活动的良好发展提供合理建议与对策。

IGBT动态测试平台杂散电感提取方法

绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)动态测试平台的杂散电感对IGBT器件动态参数测试结果有很大的影响。提出采用积分法计算测试平台回路杂散电感,可以提高计算结果的准确性。首先,分析了IGBT动态测试平台杂散电感分布特点,建立了等效电路模型。其次,分析了IGBT开关瞬态过程中的波形特点以及续流二极管(free-wheeling diode,FWD)反向恢复与正向恢复特性;提出开通波形相对于关断波形更有利于计算杂散电感。最后,建立了仿真电路模型与试验测试平台,仿真分析结果与试验测试结果相吻合,验证了分析的正确性。所提方法为IGBT动态测试平台杂散电感提取提供了一种简便而准确的计算方法。

高压大功率压接型IGBT器件的PETT振荡特性及其抑制方法

高压大功率压接型IGBT器件在关断拖尾阶段产生高频等离子体抽取渡越时间(plasma extraction transit time,PETT)振荡,对驱动电路和环境产生严重的电磁干扰,抑制PETT振荡对于研制大功率压接型IGBT器件至关重要。基于IGBT关断拖尾阶段空穴注入空间电荷区引起的空间电荷效应,分析了空间电荷区的大信号特性以及PETT振荡产生的机理。其次,搭建了压接型IGBT器件开关特性测试平台,首次研究了单芯片PETT振荡特性、驱动回路参数对PETT振荡的影响以及PETT振荡的电磁干扰特性。最后,讨论了压接型IGBT器件PETT振荡抑制措施,提出了一种可以降低封装工艺复杂度、降低芯片电气应力的方法,该方法非常适合于高压大功率的压接型IGBT器件。

让政治课堂成为学生向往的地方

让政治课堂成为学生向往的地方●张璧君１９９４年９月，我市政治学科“贴近学生、激发兴趣、培养能力”课题组成立以来，大家共同思考的中心问题是：如何使政治课为培养适应未来世纪发展需要的新型人才服务；如何立足现实使政治课堂成为中学生最向往的地方，充分显示其活...

激发学习兴趣 提高讲课实效

高考理科不考政治,使思想政治课教学又一次受到严重的挑战。面临困境的政治教师若不改革思想政治课教学。思想政治课的实效将难以落实,政治教师的地位也将难保。广大政治教师如何才能化险为夷?激发学生学习思想政治课的兴趣,提高讲课实效。才是唯一的出路。 在中学思想政治课课堂教学情况调查中发现,一些上得好的政治课,教师教学得法。课堂上师生情感交融。引起共鸣,一节课不仅使学生学到了知识。

基于时域特征检测用户用电不确定性行为

针对用户用电不确定性程度难以量化,如何选取合适用户参与电网新业务的问题,提出一种基于时域特征分量提取的用户用电不确定性行为检测方法,首先依次提取用电数据的周期分量、趋势分量和随机分量,并从随机分量中检测用户的不确定行为点,其次分别从短期和长期两个维度提出用户局部和整体不确定性指标,并对用户不确定性进行排序。结果表明,所提方法可以准确检测用户的不确定行为点,量化用户的不确定性程度,在检测精度,效率和速率等方面均比其他方法具有优势,为电网公司在不同时段选取用户参与调控提供依据。

具有单区JTE终端的3300 V 4H-SiC结势垒肖特基二极管的研制

阐述了3 300 V 4H-SiC结势垒肖特基二极管(JBS)详细的设计和制备过程。4H-SiC N型外延层掺杂浓度为3.1×10^(15) cm^(-3),厚度为33μm。器件的终端采用了单区结终端扩展(JTE)结构。利用数值模拟优化了JTE结构的离子注入剂量、漂移区和有源区的结构参数,并根据模拟结果研制了4H-SiC JBS。测试结果显示,当正向导通电流达到30 A时,该器件的正向压降小于1.8 V,二级管的反向击穿电压约为4 000 V。