基于SiGe工艺多抽头电感结构的紧凑型Wilkinson功分器

为了解决传统Wilkinson功分器损耗高、尺寸大的问题,从功分器的理论分析出发,将传统的微带线结构和LC集总式结构进行改进,在隔离电阻处引入频率补偿电容,设计一种新型的多抽头电感结构的紧凑型宽带二等分功分器。所设计的功分器基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺。射频/微波电磁仿真显示,在8~16 GHz的频带范围内,功分器的分配损耗小于0.8 dB,隔离度大于20 dB,端口回波损耗大于15 dB,核心电路版图面积仅为0.30 mm×0.25 mm,可满足宽带功分器低损耗、小型化、高隔离度的设计要求。

一种超宽带、高线性度正交调制器

基于SiGe工艺设计了一款超宽带、高线性度的正交调制器电路,主要包含本振移相模块、混频器模块和输出模块。其中本振正交信号产生电路采用RC多相滤波器结构,在超宽带下生成正交信号,并采用限幅放大器对信号的幅度和相位进行校准;混频器采用Gilbert双平衡混频器电路结构,并使用电阻负反馈结构和电感峰化技术,可满足超宽带、高线性度、高镜像抑制的设计要求;输出模块采用有源巴伦实现差分转单端功能。芯片供电电压为5 V,工作频率范围为50 MHz~6 GHz,输出1 dB压缩点最高可达到14.7 dBm@2 GHz,边带抑制为-60 dBc,载波泄露为-44.8 dBm,噪底可低至-166 dBm/Hz。可广泛应用于各类接收机和通信系统中。

采用反馈时钟检测的锁相环校准电路设计

采用反馈时钟进行频率检测,设计了一种应用于高频、低抖动频率综合器中的锁相环校准电路。相较于采用参考时钟计数的传统频率校准方法,该方法提高了频率校准精度。配合幅度校准电路交替进行压控振荡器幅度校准和频率校准,可以选取最优幅度和频率控制字,有效提高系统输出时钟抖动性能。高精度频率检测电路和幅度检测电路的电源电压为3.3 V,压控振荡器调谐频率范围为2.7~3.1 GHz,压控增益范围为10~15 MHz/V,初始频率和幅度控制字及最大输出幅度限制可配置。

氮化镓/硅功率电子元件晶圆温度的精确测量

硅基氮化镓（Ga N/Si）元件的制作工艺中,金属氧化物化学汽相沉积（MOCVD）过程的温度测量难度较高。理论上,传统红外线高温计可以满足要求,硅基可以吸收整个沉积生长相关温度范围内的全部红外线。然而在工业应用中,反馈控制和统计过程控制（SPC）精度都会受到一种人为因素的影响。

AIXTRON凭硅基氮化镓系统AIX G5+C获颁商业杂志荣誉奖项

全球半导体行业沉积设备供应商AIXTRON凭借其全自动新产品——金属氧化物化学汽相沉积（MOCVD）系统AIX G5＋C,获商业杂志Compound Semiconductor颁授2016年CS High-Volume Manufacturing Award奖项。该奖项是业界对国际化合物半导体行业内的关键创新领域进行评判,围绕芯片制造工艺流程,强调对业界发展所作出的贡献。AIXTRON方面表示,AIX G5＋C是全球首套完备的MOCVD系统解决方案,可以满足硅基氮化镓LED和功率器件领域的外延类产品需求。该产品融合两项关键性创新,