环形赝谐势中二次谐波研究

对环形赝谐势中二次谐波产生的影响进行了理论研究。在有效质量近似、迭代方法和密度矩阵理论基础上,得到了能级、波函数及二次谐波的表达式。环形赝谐势对二次谐波产生有显著影响。结果表明:二次谐波产生系数峰值随着化学势和无量纲参数的减小或赝谐势零点的增大而增大,化学势的增大二次谐波发生蓝移现象,而赝谐势零点增大发生红移现象。

正切平方势量子阱的二次谐波

为了研究正切平方势量子阱的二次谐波,以典型的GaAs/AlGaAs半导体材料进行数值模拟。在有效质量近似的条件下,通过求解系统的薛定谔方程,得到了系统的能级与波函数。利用密度矩阵和迭代方法推导出了二次谐波的表达式。通过计算我们可以发现:随着限制势宽度L的增加,二次谐波的峰值逐渐地增加,并且向着低能量方向的区域移动。但是随着限制势高度V0的增加,二次谐波的峰值却逐渐地减少,逐渐向着高能量的方向移动。希望对光电器件的发展有一定的参考意义。

抛物型量子点的非线性光学整流研究

在紧凑密度矩阵方法和迭代法的框架下,从理论上研究了抛物型量子点(QDs)在不同的量子点半径、宽度以及外加电场和磁场下光学整流(OR)系数。在有效质量近似下,计算了量子点中电子的受限波函数和能量。给出了典型GaAs/AlGaAs抛物型量子点的数值结果。通过研究发现,非线性光学整流系数受到量子点的宽度、半径以及电场和磁场的强烈影响。在考虑电场和磁场的影响时,峰值向高能量方向移动。

正切平方量子阱中的非线性光学折射率

从理论上研究了正切平方量子阱(QWs)在不同温度、流体静压作用下非线性光学折射率的变化.在有效质量近似的框架下,通过求解薛定谔方程得到本征函数和能量本征值.利用密度矩阵理论和迭代方法,得到了非线性光学折射率变化(RIC)的解析表达式.计算结果表明,流体静压、温度、电势和QWs的直径对RIC有很大的影响,所得结果可以为研究正切平方量子阱的光学折射率变化提供必要的理论依据.

正切平方量子阱中的非线性光整流

研究了正切平方量子阱(QWs)在不同温度、流体静压作用下的非线性光整流.在有效质量近似的框架下,通过求解薛定谔方程得到本征函数和能量本征值;通过利用密度矩阵理论和迭代方法,得到非线性光学整流(OR)的解析表达式.相关计算结果表明,流体静压、温度、限制势能和QWs的直径对OR系数有影响.研究所得结果可以为探讨正切平方量子阱的非线性光学整流提供理论依据.

抛物量子点的非线性光学折射率变化

详细研究了GaAs/AlGaAs抛物线形量子点(QDs)在电场和磁场作用下的折射率的变化。通过使用密度矩阵理论和迭代的方法,可以得到线性和非线性子带间的折射率变化(RIC)的解析表达式。计算结果表明,入射光强度、QDs的半径、宽度以及施加的电场和磁场对系统的折射率变化有很大影响,进而为研究抛物线形量子点的非线性光学折射率变化提供了必要的理论依据。

正切平方势量子阱的光整流特性

从理论上研究了正切平方势量子阱的光整流特性。利用有效质量近似,通过对系统的薛定谔方程的求解,得到了系统的能级与波函数。使用密度矩阵理论和迭代法,给出了系统的光整流的表达式。结果表明:随着限制势高度V0的增大,光整流的峰值逐渐变小,并且向着能量高的区域移动;当限制势宽度d逐渐增加,光整流的峰值也在增大,且向着低能量方向移动。