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IP、SOC与设计技术(二) 被引量:3
1
作者 张纯蓓 《电子产品世界》 1999年第12期65-66,共2页
关键词 IP SOC 设计 集成电路
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硅中微缺陷及其控制 被引量:1
2
作者 张纯蓓 《江南半导体通讯》 1991年第2期1-8,共8页
关键词 硅片 缺陷 控制 半导体器件 工艺
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多层金属布线 被引量:1
3
作者 张纯蓓 李世兴 《微电子技术》 1997年第6期30-44,共15页
随着IC的高速化、高集成化、高密度化和高性能化,电路特征尺寸不断缩小,多层布线在IC制造中的地位日臻重要。本文介绍了多层布线的技术趋势与特点以及多层布线的基本结构、材料和铝布线可靠性、CMP等几个热点工艺。
关键词 多层布线 介质材料 互连金属 IC
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新加坡、马来西亚和韩国微电子工业一瞥 被引量:1
4
作者 张纯蓓 《微电子技术》 1994年第6期37-42,共6页
关键词 微电子工业 新加坡 马来西亚 韩国
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微控制器(MCU)产业动向 被引量:1
5
作者 张纯蓓 《微电子技术》 1997年第3期1-12,共12页
关键词 微控制器 MCU 微处理器
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新加坡、马来西亚的微电子工业(续)
6
作者 张纯蓓 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第5期29-32,共4页
新加坡、马来西亚的微电子工业(续)中国华晶电子集团公司(江苏无锡214061)张纯蓓另一方面,东南亚众多的整机装配厂家已形成了半导体产品的强大需求市场,加上新加坡本身磁盘制造业的牵动,极大地促进了新加坡IC制造业的发... 新加坡、马来西亚的微电子工业(续)中国华晶电子集团公司(江苏无锡214061)张纯蓓另一方面,东南亚众多的整机装配厂家已形成了半导体产品的强大需求市场,加上新加坡本身磁盘制造业的牵动,极大地促进了新加坡IC制造业的发展。配套的投资政策与强大的市场构成... 展开更多
关键词 微电子工业 新加坡 马来西亚 市场
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新加坡、马来西亚的微电子工业
7
作者 张纯蓓 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第4期17-21,共5页
分别介绍了新加坡与马来西亚的微电子工业发展概况与动向,分析了新加坡的几个典型微电子企业,指出新加坡微电子工业发展成功的主要原因是:以国家意志发展微电子工业;创造良好的投资环境;经营好国有微电子企业。最后,对新、马两国... 分别介绍了新加坡与马来西亚的微电子工业发展概况与动向,分析了新加坡的几个典型微电子企业,指出新加坡微电子工业发展成功的主要原因是:以国家意志发展微电子工业;创造良好的投资环境;经营好国有微电子企业。最后,对新、马两国的微电子工业的某些方面进行了比较,对我国的微电子工业发展有一定的借鉴意义。 展开更多
关键词 新加坡 马来西亚 微电子工业 动向
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ASIC的发展预测及对策
8
作者 张纯蓓 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第4期28-33,共6页
本报告通过对ASIC技术在军工中的地位和它的关键技术的现状与发展趋势以及国内外状况的对比分析,指出我国ASIC的发展存在资金不足,缺乏标准工艺线及整机行业的支撑、应用市场狭小等问题。指出我国ASIC的年增长率低于同期... 本报告通过对ASIC技术在军工中的地位和它的关键技术的现状与发展趋势以及国内外状况的对比分析,指出我国ASIC的发展存在资金不足,缺乏标准工艺线及整机行业的支撑、应用市场狭小等问题。指出我国ASIC的年增长率低于同期IC的年增长率与国际ASIC的增长形成强烈反差,应引起各级部门和微电子行业的高度关注。建议国家对ASIC的发展应在宏观组织、资金投入、设计能力建设、标准工艺线和人材培养等方面尽快采取有力对策。 展开更多
关键词 集成电路 ASIC 进展
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半导体产业迈向新世纪
9
作者 张纯蓓 《电子产品世界》 2000年第2期59-60,共2页
关键词 半导体产业 IP 知识产权 设计模块 市场
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眼见MCU发展呈劲势 建议中国跟风抓一抓
10
作者 张纯蓓 《电子产品世界》 1997年第10期9-10,共2页
MCU市场动向 MCU的发展初衷是面向工业控制,近年来,除通信、交通、工控仪表和航空航天工业、军事部门的用量上升外,引人注目的是消费类产品、办公自动化和汽车电子等各种应用的迅速扩大。由于MCU集成度高、功能强、可靠性高、体积小、... MCU市场动向 MCU的发展初衷是面向工业控制,近年来,除通信、交通、工控仪表和航空航天工业、军事部门的用量上升外,引人注目的是消费类产品、办公自动化和汽车电子等各种应用的迅速扩大。由于MCU集成度高、功能强、可靠性高、体积小、功耗低、使用灵活方便和价格低廉等一系列优点,在美国、日本和一些欧洲国家,它已经渗透到人们的工作和生活的各个角落,几乎已“无处不在、无所不为”。 展开更多
关键词 MCU 微控制器 计算机工业 市场 IC
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IP与半导体工业
11
作者 张纯蓓 《电子元器件应用》 2001年第7期60-60,共1页
IP(Intellectual Property),即知识产权,更恰切地应译为'知识产权设计模块'。随着半导体技术的迅速进步如IC的几何尺寸更小、密度更高、功能更强、开发周期缩短及SOC(片上系统)的设计开发等,IP正越来越受到半导体业界的关注和... IP(Intellectual Property),即知识产权,更恰切地应译为'知识产权设计模块'。随着半导体技术的迅速进步如IC的几何尺寸更小、密度更高、功能更强、开发周期缩短及SOC(片上系统)的设计开发等,IP正越来越受到半导体业界的关注和重视。 展开更多
关键词 知识产权 半导体工业 电子产业
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300mm硅片开发的两大组织
12
作者 张纯蓓 《微电子技术》 1998年第3期63-64,共2页
关键词 现场试验 半导体 前沿技术 三星电子公司 IC制造 制造工艺 投资风险 工艺与设备 设备评价 制造技术
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专家评述半导体周期与市场
13
作者 张纯蓓 《微电子技术》 1998年第3期63-63,共1页
关键词 半导体市场 市场分析 半导体工业 总销售额 体周 芯片市场 芯片制造 处理器 逻辑电路 持乐观态度
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GPS进入各类电子产品
14
作者 张纯蓓 《微电子技术》 1998年第3期63-63,共1页
关键词 类电子 全球定位系统 GPS技术 消费电子产品 移动电话 产品成本 产品价格 正确位置 广泛应用 汽车
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计算机用IC的市场动向
15
作者 张纯蓓 《微电子技术》 1996年第3期1-13,共13页
关键词 计算机工业 半导体 集成电路 市场 微机
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TAB技术综述
16
作者 张纯蓓 《江南半导体通讯》 1991年第5期27-34,41,共9页
关键词 带式 自动键合 TAB 集成电路 封装
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21世纪的程控IC制造厂
17
作者 张纯蓓 《微电子技术》 1995年第3期11-16,25,共7页
半导体工业正面临许多挑战:IC制造厂家的投资和技术开发费用的增长速度高于收入的增长,此外,IC的需求市场正在向小批量、多品种转移。常规的生产方式是建造大型芯片制造厂,生产的电路批量大而周期长。为了保持竞争能力,随机应变的... 半导体工业正面临许多挑战:IC制造厂家的投资和技术开发费用的增长速度高于收入的增长,此外,IC的需求市场正在向小批量、多品种转移。常规的生产方式是建造大型芯片制造厂,生产的电路批量大而周期长。为了保持竞争能力,随机应变的工厂必须开发新一代的设计和制造技术,以便以较短的生产周期、用不同的技术生产许多种产品。斯坦福大学已制定了一个跨学科的庞大计划,其目的是探索根本不同的半导体制造途径。其方法是建造高度灵活的、由计算机控制的IC制造设施,即程控工厂,同时建造与之配套的虚拟工厂,即是用来模拟实际工厂各种功能的全套模拟设备。这二个工厂的有机结合就是制造自动化。程控工厂是新一代的IC制造方式,它以新一代的多功能设备为基础,为了增加柔性,广泛采用计算机集成制造(CIM)。这种新型的多功能设备可以迅速地一次加工一片硅片,在原位可以完成多步工艺。而传统的方法是同时加工许多硅片,但速度慢,且一台设备只做一个工艺步骤。单片加工可以采用原位监控和实时控制,工艺设备还可以模块化,具有通用的机械与电气接口。可以预计,模块化与标准化将会减少现有生产线因技术更新所必须购买设备的数量与费用。规范制订、监控、控制与信息管理中广泛采用CIM可以使各工艺之间的? 展开更多
关键词 半导体工业 IC 制造厂 集成电路
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军用ASIC及其对策
18
作者 罗浩平 李宗炳 +2 位作者 蔡金华 张纯蓓 方旌堃 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1992年第3期36-61,64,共27页
本文阐述了ASIC(专用集成电路)在现代国防中的地位和作用,简要介绍了军用ASIC的特点,阐述了军用ASIC与民用ASIC的相互关系。以大量的数据和资料综述了ASIC的发展和市场情况,特别对美国等国外军用ASIC发展模式和特点进行了分析和剖析。... 本文阐述了ASIC(专用集成电路)在现代国防中的地位和作用,简要介绍了军用ASIC的特点,阐述了军用ASIC与民用ASIC的相互关系。以大量的数据和资料综述了ASIC的发展和市场情况,特别对美国等国外军用ASIC发展模式和特点进行了分析和剖析。对发展ASIC的两大支柱——(1)ASIC的设计技术;(2)ASIC的工艺技术和标准加工线进行了重点讨论。分析了我国ASIC的发展状况,并结合我国国情,提出了加速发展我国军用ASIC的具体对策。 展开更多
关键词 集成电路 军用 ASIC
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绝缘体上硅MOSFET的特性
19
作者 Jean-Pierre Colinge 张纯蓓 《微电子学》 CAS CSCD 1989年第5期99-103,共5页
本文介绍了绝缘物上硅(SOI)MOS晶体管预计具有的一些特性。简单的定性模型分析结果表明,如果采用全耗尽薄膜,可以改善各种参数,如亚阈值斜率、热电子效应和短沟道效应。
关键词 绝缘体上硅 MOSFET器件 特性
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半导体设备制造发展新趋势
20
作者 许居衍 张纯蓓 《电子材料(机电部)》 1993年第6期1-4,共4页
关键词 半导体器件 制造工艺 设备 发展
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