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水热氢还原制备高包覆率镍包石墨 被引量:3
1
作者 张育潜 崔云涛 +3 位作者 王敏 张曙光 高峰 章德铭 《有色金属工程》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期22-25,共4页
镍基固体自润滑材料具有良好的高温性能,镍石墨自润滑材料作为镍基固体自润滑材料受到广泛关注。通过水热氢还原工艺制备表面包覆率高达90%以上的镍包石墨,为金属-镍包石墨自润滑复合材料的制备提供物质基础。
关键词 镍包石墨 金属 复合材料 自润滑材料
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准半球型CdZnTe探测器能谱特性的影响因素 被引量:1
2
作者 张育潜 傅莉 《南京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第6期769-772,共4页
为解决CdZnTe(CZT)探测器空穴拖尾的问题,基于Shockley-Ramo原理,采用GEANT4和COMSOL有限元软件,模拟计算了准半球型CZT探测器对137Cs@662 ke V的能谱响应。模拟结果表明:(μτ)e范围为(1~10)×10-3cm2/V时适合采用准半球型探测器... 为解决CdZnTe(CZT)探测器空穴拖尾的问题,基于Shockley-Ramo原理,采用GEANT4和COMSOL有限元软件,模拟计算了准半球型CZT探测器对137Cs@662 ke V的能谱响应。模拟结果表明:(μτ)e范围为(1~10)×10-3cm2/V时适合采用准半球型探测器的结构设计;(μτ)h对能谱的影响较小;(μτ)e和(μτ)h相差较大时,能量分辨率较好,但是当(μτ)h增大时,拖尾现象开始逐渐显现;提高(μτ)e和探测器偏压均可改善能谱特性。根据模拟计算出的最优探测器参数制备了尺寸为10 mm×10 mm×5mm的准半球型CZT探测器,其对137Cs@662 ke V的能量分辨率为1.17%,峰康比为6.86。 展开更多
关键词 CDZNTE 准半球型探测器 能谱特性 有限元软件 能量分辨率 峰康比
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离心加速度对自蔓延离心法制备WC_x/Fe金属陶瓷组织的影响 被引量:1
3
作者 张育潜 高峰 《有色金属(冶炼部分)》 CAS 北大核心 2013年第10期48-50,共3页
采用自蔓延离心法制备WCx/Fe金属陶瓷内衬钢管,研究离心加速度对金属陶瓷组织的影响。结果表明,当离心加速度为50g时,涂层中存在氧化铝陶瓷相,随着离心加速度的增加,涂层组织由树枝晶向等轴晶转变。当离心加速度为200g时,涂层中的硬质... 采用自蔓延离心法制备WCx/Fe金属陶瓷内衬钢管,研究离心加速度对金属陶瓷组织的影响。结果表明,当离心加速度为50g时,涂层中存在氧化铝陶瓷相,随着离心加速度的增加,涂层组织由树枝晶向等轴晶转变。当离心加速度为200g时,涂层中的硬质相呈梯度分布。 展开更多
关键词 自蔓延离心法 离心加速度 WCx Fe金属陶瓷 组织
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CdZnTe单晶表面原子结构
4
作者 张育潜 查钢强 +1 位作者 傅莉 介万奇 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期289-292,共4页
半导体表面是一个特殊区域,其表面原子结构与体态有很大区别,而且他们对材料的整体性能又起着十分重要的影响。本文通过真空Ar+离子刻蚀并原位退火的办法,获得理想清洁的CdZnTe单晶表面,采用低能电子衍射(LEED)观察了(110)、(111)A面和(... 半导体表面是一个特殊区域,其表面原子结构与体态有很大区别,而且他们对材料的整体性能又起着十分重要的影响。本文通过真空Ar+离子刻蚀并原位退火的办法,获得理想清洁的CdZnTe单晶表面,采用低能电子衍射(LEED)观察了(110)、(111)A面和(111)B面的表面原子结构。发现(110)面为稳定面没有发生重构,而在(111)A面上发现了由空位形成的(31/2×31/2)R30o重构,在(111)B面上发现了由Te顶戴原子形成的(2×2)重构。 展开更多
关键词 CdZnTe单晶 表面原子结构 重构
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溅射工艺参数对MgF_2薄膜光学性质的影响
5
作者 张育潜 傅莉 《矿冶》 CAS 2017年第5期65-68,共4页
采用射频磁控溅射工艺,在紫外熔融石英衬底上制备了MgF_2薄膜。通过改变溅射功率和氩气流量,研究了主要溅射工艺参数对薄膜结构和光学性质的影响规律。试验结果表明,选择合适的溅射功率和氩气流量可以提高MgF_2薄膜的光学性质,有利于Mg... 采用射频磁控溅射工艺,在紫外熔融石英衬底上制备了MgF_2薄膜。通过改变溅射功率和氩气流量,研究了主要溅射工艺参数对薄膜结构和光学性质的影响规律。试验结果表明,选择合适的溅射功率和氩气流量可以提高MgF_2薄膜的光学性质,有利于MgF_2薄膜在紫外波段的应用。 展开更多
关键词 MgF2薄膜 溅射功率 氩气流量 光学性质
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俘获和去俘获对Au/HfO_2界面导电机制的影响(英文)
6
作者 张育潜 傅莉 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第12期2992-2995,共4页
主要研究了经不同温度退火后HfO_2高k栅介质薄膜的电流电压特性,结果表明,在栅极入射下,漏电流与Au/HfO 2界面处的陷阱密度密切相关,在高电场下,Au/HfO_2/p-Si结构的主要导电机制为Schottky发射和Poole-Frenkel发射。研究了电压应力对... 主要研究了经不同温度退火后HfO_2高k栅介质薄膜的电流电压特性,结果表明,在栅极入射下,漏电流与Au/HfO 2界面处的陷阱密度密切相关,在高电场下,Au/HfO_2/p-Si结构的主要导电机制为Schottky发射和Poole-Frenkel发射。研究了电压应力对栅介质薄膜稳定性的影响,由于局部导电通道的形成,经时电介质击穿(TDDB)现象被观察到。 展开更多
关键词 肖特基发射 普尔-法兰克效应 稳定性
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