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着丝粒蛋白M在卵巢透明细胞癌中的表达及作用 被引量:1
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作者 张玲 马小霞 +2 位作者 张芳伟 张咏梅 梁锦屏 《宁夏医科大学学报》 2023年第6期586-592,共7页
目的探讨着丝粒蛋白M(centromere protein M,CENPM)在卵巢透明细胞癌(ovarian clear cell carcinoma,OCCC)组织中的表达及对OCCC中ES2细胞株增殖、迁移、凋亡的影响和作用机制。方法采用HE染色观察OCCC组织病理改变;免疫组织化学法检测O... 目的探讨着丝粒蛋白M(centromere protein M,CENPM)在卵巢透明细胞癌(ovarian clear cell carcinoma,OCCC)组织中的表达及对OCCC中ES2细胞株增殖、迁移、凋亡的影响和作用机制。方法采用HE染色观察OCCC组织病理改变;免疫组织化学法检测OCCC组织及癌旁组织CENPM的表达;si-CENPM转染ES2细胞;Western blot检测CENPM蛋白的表达;CCK-8法、细胞划痕实验检测细胞增殖和迁移能力;流式细胞仪评价CENPM对细胞凋亡和周期的影响。结果与癌旁组织相比,OCCC组织中CENPM高表达(P<0.01);转染si-CENPM#B组ES2细胞CENPM蛋白表达水平较si-NC组降低(P<0.01);与Control组和si-NC组比较,敲减CENPM后ES2细胞的增殖、迁移能力下降(P均<0.05);敲减CENPM后ES2细胞凋亡率增高,阻滞ES2细胞的周期在S期(P均<0.05)。结论下调CENPM可抑制人OCCC中ES2细胞株的增殖、迁移并促进细胞凋亡,提示CENPM参与了OCCC的发生发展。 展开更多
关键词 着丝粒蛋白M 卵巢透明细胞癌 增殖 凋亡
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机电工程自动化技术应用研究
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作者 张芳伟 《中文科技期刊数据库(引文版)工程技术》 2023年第10期14-17,共4页
在我国经济社会高质量发展的进程中,工程机械制造水平的提升对我国国民经济发展的质量有重要影响,并在提高我国制造业竞争力方面发挥了积极的促进作用。实践证明,广泛采用机电自动化技术在工程机械制造中,能够进一步提升制造质量,并为... 在我国经济社会高质量发展的进程中,工程机械制造水平的提升对我国国民经济发展的质量有重要影响,并在提高我国制造业竞争力方面发挥了积极的促进作用。实践证明,广泛采用机电自动化技术在工程机械制造中,能够进一步提升制造质量,并为我国工程机械自动化制造体系的蓬勃发展和创新发展提供了强有力的技术支持。机电工程自动化技术的主要作用是减少对人工操作的过度依赖,并通过利用电力驱动设备实现自动运行。这种技术还可以使用电子技术来实现设备的智能启停,并及时调节各种参数,以提高生产效率。 展开更多
关键词 机电工程 自动化 技术应用
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气相生长炭纤维增强的C/C各向同性复合材料 被引量:1
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作者 徐世江 张芳伟 +2 位作者 朱钧国 杨冰 张秉忠 《炭素技术》 CAS CSCD 1996年第1期7-10,共4页
用冷压成型和热压成型工艺制备了以气相生长炭纤维为增强剂的C/C各向同性复合材料。冷压成型的复合材料炭化处理后尺寸膨胀,密度只能1.38g/cm~3,但其弯曲强度达34MPa,弹性模量达2.2×10~4MPa,比密度... 用冷压成型和热压成型工艺制备了以气相生长炭纤维为增强剂的C/C各向同性复合材料。冷压成型的复合材料炭化处理后尺寸膨胀,密度只能1.38g/cm~3,但其弯曲强度达34MPa,弹性模量达2.2×10~4MPa,比密度为1.75g/cm~3的核石墨分别高50~100%和200~300%,热压成型的复合材料弯曲强度达57MPa,弹性模量53×10~4MPa,断裂韧性4.72MPam^(1/2),其性能远高于核石墨。 展开更多
关键词 复合纤维 炭纤维增强 复合材料 气相生长
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ICB方法生长CdTe单晶薄膜的研究
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作者 冯嘉猷 张芳伟 +1 位作者 范玉殿 李恒德 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第3期194-198,T001,共6页
用ICB外延技术在NaCl(100)和Si(111)衬底上生长了CdTe单晶薄膜.X光衍射、电子背散射通道及RHEED都表明获得了良好的单晶结构及平滑膜面.外延取向关系为CdTe(100)/NaCl(100)和CdT... 用ICB外延技术在NaCl(100)和Si(111)衬底上生长了CdTe单晶薄膜.X光衍射、电子背散射通道及RHEED都表明获得了良好的单晶结构及平滑膜面.外延取向关系为CdTe(100)/NaCl(100)和CdTe(111)/Si(111).实验发现,生长温度小于230℃时,外延膜呈闪锌矿(立方)和钎锌矿(六方)的混合相结构.薄膜生长体现出团粒束淀积的规律,即随着团粒能量的增大,CdTe外延膜的结晶质量显著提高.在Si衬底上,外延得到的最好的CdTe膜,其双晶衍射摆动曲线半高宽为11弧分左右. 展开更多
关键词 锑化镉晶体 外延生长 晶体薄膜
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在GaAs(100)衬底上离化团束外延ZnSe单晶薄膜
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作者 张芳伟 冯嘉猷 +1 位作者 郑毅 范毓殿 《真空科学与技术》 CSCD 1994年第6期405-410,共6页
ZnSe是一种理想的蓝紫色发光材料,用于制作发光器件有较大的应用前景,采用单源喷发、离化原子团束(ICB)技术在GaAs(100)上外延ZnSe单晶薄膜,并用电子能谱分析了外延薄膜的成分。用X射线衍射和RHEED研究了外延ZnSe单晶薄膜结构和... ZnSe是一种理想的蓝紫色发光材料,用于制作发光器件有较大的应用前景,采用单源喷发、离化原子团束(ICB)技术在GaAs(100)上外延ZnSe单晶薄膜,并用电子能谱分析了外延薄膜的成分。用X射线衍射和RHEED研究了外延ZnSe单晶薄膜结构和外延质量。研究了淀积能量和衬底温度对薄膜质量的影响。得到了摆动曲线半高宽为133rad·s,并具有原子水平平整程度的ZnSe(100)单晶薄膜。外延薄膜存在0.2~0.4μm的应变过渡层,过渡层随淀积能量的增大而变薄。 展开更多
关键词 硒化锌 薄膜沉积 外延 离化团束
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淀积大晶粒Pb膜的研究
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作者 和志刚 冯嘉猷 +2 位作者 唐昭平 张芳伟 李恒德 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1989年第4期254-258,共5页
一、引言作为集成电路和太阳能电池电极引线的金属化薄膜必须具有较好的抗电迁移性能,使金属/半导体界面保持较低的接触电阻和较好的接触稳定性。减弱迁移的途径之一是增大薄膜晶粒尺寸和取向度,减少晶界短路通道。
关键词 PB 晶粒尺寸 淀积 金属化薄膜 基片温度 晶粒长大 取向度 密排 电池电极 半导体界面
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CN薄膜结构特性的研究 被引量:2
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作者 冯嘉猷 龙春平 +2 位作者 张芳伟 郑毅 范玉殿 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第6期1068-1072,共5页
利用离化团束(ICB)方法在Si(111)衬底上生长了CN薄膜。X光衍射(XRD)分析表明薄膜呈β-C_3N_4晶态结构,X射线光电子能谱(XPS)测定薄膜含N量为20%,并且观察到C1_s和N1_s芯能级谱中存在双峰。红外吸收光谱呈现C—N和C≡N的吸收峰。高能反... 利用离化团束(ICB)方法在Si(111)衬底上生长了CN薄膜。X光衍射(XRD)分析表明薄膜呈β-C_3N_4晶态结构,X射线光电子能谱(XPS)测定薄膜含N量为20%,并且观察到C1_s和N1_s芯能级谱中存在双峰。红外吸收光谱呈现C—N和C≡N的吸收峰。高能反射式电子衍射(RHEED)也证实薄膜中存在晶态物质。薄膜的努氏显微硬度值达到6200kgf·mm^(-2)。 展开更多
关键词 薄膜 CN膜 结构 XRD ICB
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离化原子团束外延ZnSe单晶薄膜 被引量:3
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作者 张芳伟 冯嘉猷 +1 位作者 郑毅 范毓殿 《清华大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第6期96-99,共4页
本文报道了用离化原子团束(ICB)技术在GaAs(100)上外延ZnSe单晶薄膜的研究结果。采用单源喷发并用电子能谱分析了外延薄膜的成分。用互光衍射和RHEED研究了外延ZnSe单晶薄膜结构和外延质量。得到了摆动曲线... 本文报道了用离化原子团束(ICB)技术在GaAs(100)上外延ZnSe单晶薄膜的研究结果。采用单源喷发并用电子能谱分析了外延薄膜的成分。用互光衍射和RHEED研究了外延ZnSe单晶薄膜结构和外延质量。得到了摆动曲线半高宽为133",并具有原子水平平整程度的ZnSe(100)单晶薄膜。 展开更多
关键词 离化原子团束 外延 硒化锌 单晶 薄膜
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Te原子团的形成研究
9
作者 张芳伟 冯嘉猷 +1 位作者 郑毅 范玉殿 《清华大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第3期50-55,共6页
原子团的形成和状态是研究离化原子团淀积(ICBD)机理的首要问题。作者采用一种新的测量方法研究了Te在不同蒸发温度下形成的原子团的平均尺寸和尺寸分布。对朗加热温度从650K增大到790K时,Te平均原子团尺寸从10个... 原子团的形成和状态是研究离化原子团淀积(ICBD)机理的首要问题。作者采用一种新的测量方法研究了Te在不同蒸发温度下形成的原子团的平均尺寸和尺寸分布。对朗加热温度从650K增大到790K时,Te平均原子团尺寸从10个原子增大到75个原子。离化电压大于250V时,原子团经过高化区,部分碎裂成小原子团或原子。 展开更多
关键词 薄膜淀积 离化原子团 薄膜生长
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