叶面喷施锌、硅对莴笋镉累积的影响

为探索叶面喷施锌(Zn)、硅(Si)阻控剂对减少轻污染土壤中莴笋Cd累积的效应,对Cd在莴笋各器官的积累、亚细胞的分布以及形态变化等开展了研究。结果表明,叶面喷施Zn、Si后,可食部位Cd含量可降低10.51%~45.09%,喷施Zn阻控剂和60 mmol·L^(-1) Si阻控剂的处理莴笋可食部位Cd含量均低于GB 2762—2017《食品安全国家标准食品中污染物限量》;阻控剂施用浓度是影响莴笋Cd累积的主要因素,高浓度阻控剂降Cd效果优于低浓度;叶面喷施处理促进Cd由活性态向非活性态转化,莴笋各器官的氯化钠提取态Cd占比显著增加,根、茎、叶活性态Cd含量占比分别降低75.83%、60.38%、80.03%;叶面喷施均显著减少根部细胞器Cd的分配比例,茎、叶部细胞器Cd分配比例降幅达30%以上。叶面喷施Zn、Si降低了重金属Cd在莴笋根部的活性,进而阻控Cd在莴笋可食部位的积累。