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光刻区缺陷管理
被引量:
1
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作者
张赞彬
《集成电路应用》
2006年第11期40-42,共3页
浸没式光刻和亚波长光刻技术的引进,光刻变得更为复杂;随着光阻厚度变薄和亚波长透镜的使用,对缺陷进行有效管理的需求逐渐增加。本文侧重于用 PCM(Photo Cell Monitoring)缺陷检测方式和显影后宏观和微观缺陷检测方式,对光刻缺陷进行监...
浸没式光刻和亚波长光刻技术的引进,光刻变得更为复杂;随着光阻厚度变薄和亚波长透镜的使用,对缺陷进行有效管理的需求逐渐增加。本文侧重于用 PCM(Photo Cell Monitoring)缺陷检测方式和显影后宏观和微观缺陷检测方式,对光刻缺陷进行监控,以减少缺陷产生。
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关键词
光刻技术
缺陷管理
缺陷检测
有效管理
CELL
缺陷产生
亚波长
浸没式
下载PDF
职称材料
中国300mm晶圆厂的成品率管理
2
作者
张赞彬
《集成电路应用》
2006年第9期57-57,共1页
当晶圆厂转向300mm、130纳米和90纳米工艺,并随着新的材料和工艺方法的引进,都为成品率管理带来独特的挑战和机会,那就是如何确保300mm晶圆缺陷计划的新重点。
关键词
300MM晶圆
成品率
管理
90纳米工艺
中国
工艺方法
下载PDF
职称材料
题名
光刻区缺陷管理
被引量:
1
1
作者
张赞彬
机构
美国科天中国公司
出处
《集成电路应用》
2006年第11期40-42,共3页
文摘
浸没式光刻和亚波长光刻技术的引进,光刻变得更为复杂;随着光阻厚度变薄和亚波长透镜的使用,对缺陷进行有效管理的需求逐渐增加。本文侧重于用 PCM(Photo Cell Monitoring)缺陷检测方式和显影后宏观和微观缺陷检测方式,对光刻缺陷进行监控,以减少缺陷产生。
关键词
光刻技术
缺陷管理
缺陷检测
有效管理
CELL
缺陷产生
亚波长
浸没式
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
中国300mm晶圆厂的成品率管理
2
作者
张赞彬
机构
美国科天中国公司
出处
《集成电路应用》
2006年第9期57-57,共1页
文摘
当晶圆厂转向300mm、130纳米和90纳米工艺,并随着新的材料和工艺方法的引进,都为成品率管理带来独特的挑战和机会,那就是如何确保300mm晶圆缺陷计划的新重点。
关键词
300MM晶圆
成品率
管理
90纳米工艺
中国
工艺方法
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
TG339 [金属学及工艺—金属压力加工]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
光刻区缺陷管理
张赞彬
《集成电路应用》
2006
1
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职称材料
2
中国300mm晶圆厂的成品率管理
张赞彬
《集成电路应用》
2006
0
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职称材料
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