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20kV/20kHz/100A高压脉冲源设计
被引量:
7
1
作者
石小燕
丁恩燕
+2 位作者
梁勤金
杨周炳
张运检
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第4期99-103,共5页
设计了一种基于功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)为开关的高压脉冲电源。采用自匹配传输线结构线路形式,串联多个以光纤信号隔离触发的MOSFET作为高耐压开关,在传输线的外皮产生2个纳秒脉冲,再用传输线变压器对2个纳秒脉冲进...
设计了一种基于功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)为开关的高压脉冲电源。采用自匹配传输线结构线路形式,串联多个以光纤信号隔离触发的MOSFET作为高耐压开关,在传输线的外皮产生2个纳秒脉冲,再用传输线变压器对2个纳秒脉冲进行功率合成,在200Ω负载上输出了幅度20kV,重复频率20kHz,脉冲宽度约40ns的脉冲。分析脉冲源装置结构,对实验装置建立仿真模型,阐述了输出波形畸变的原因,给出了影响输出脉冲波形特性的因素,为下一步优化波形工作提供了理论参考。
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关键词
高压脉冲
自匹配传输线
光隔离
传输线变压器
功率合成
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职称材料
题名
20kV/20kHz/100A高压脉冲源设计
被引量:
7
1
作者
石小燕
丁恩燕
梁勤金
杨周炳
张运检
机构
中国工程物理研究院应用电子学研究所
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第4期99-103,共5页
基金
国家重点研发计划资助项目(2017YFF0104300)
文摘
设计了一种基于功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)为开关的高压脉冲电源。采用自匹配传输线结构线路形式,串联多个以光纤信号隔离触发的MOSFET作为高耐压开关,在传输线的外皮产生2个纳秒脉冲,再用传输线变压器对2个纳秒脉冲进行功率合成,在200Ω负载上输出了幅度20kV,重复频率20kHz,脉冲宽度约40ns的脉冲。分析脉冲源装置结构,对实验装置建立仿真模型,阐述了输出波形畸变的原因,给出了影响输出脉冲波形特性的因素,为下一步优化波形工作提供了理论参考。
关键词
高压脉冲
自匹配传输线
光隔离
传输线变压器
功率合成
Keywords
high voltage pulse
self-matched transmission line
opto-isolator
transmission line transformer
power-combining
分类号
TN788 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
20kV/20kHz/100A高压脉冲源设计
石小燕
丁恩燕
梁勤金
杨周炳
张运检
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018
7
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职称材料
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