ICP刻蚀损伤对n-Ga N-Ni/Au肖特基接触特性的影响

通过电流-电压法(I-V),电容-电压法(C-V)对n-GaN材料的ICP(感应耦合等离子体)刻蚀样品和未刻蚀样品上的肖特基势垒二极管的电学特性进行了分析。利用原子力显微镜(AFM)和扫描电镜(SEM)对刻蚀样品的表面形貌,以及退火前后肖特基接触金属的表面形貌变化进行了研究。试验表明,ICP刻蚀会在GaN表面引入损伤,形成电子陷阱能级从而引起肖特基二极管的势垒高度降低,理想因子增大,反向泄漏电流增大。刻蚀样品在400℃热退火可以恢复二极管的电特性,退火温度到600℃时二极管特性要好于未刻蚀的样品。

采用AlN绝缘栅的AlGaN/GaN凹栅槽结构MISHEMT器件

本文通过射频磁控反应溅射实现高质量的AlN绝缘栅层,采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀出凹栅槽结构,将MIS结构和凹栅槽结构的优点相结合,研制成功AlGaN/GaN凹栅槽结构MIS HEMT器件,在提高器件栅控能力的同时,降低栅极漏电,提高击穿电压。器件栅长0.8μm,栅宽60μm,测得栅压为+5V时最大饱和输出电流为832mA/mm,最大跨导达到210mS/mm,栅压为-15V时栅极反向漏电为6nA/mm。

羊血矛线虫病的诊疗报告

1988年6月,我市某种羊场暴发了一种以贫血和衰弱为特征的疾病,死亡率很高。经我们综合诊断确定为羊血矛线虫病,现报告如下: 一、发病情况 1987年4月,种羊场从山东某地引进小尾寒羊164只,1988年6月发病时羊存栏176只,到9月已死亡羊92只,有明显症状的羊占25％,确定为血矛线虫病。治疗期间,除较重的两只死亡外,其它均痊愈。二、临床症状病羊高度消瘦,衰弱,被毛粗乱,眼结膜苍白,行走时步态蹒跚,不稳。