电子级多晶硅制备过程中质量影响因素分析

电子级多晶硅是微电子行业、信息产业和新能源产业的基础性材料,目前,全球电子级高纯多晶硅总产能约31000 t,我国高品质多晶硅仍然需要大量进口。电子级多晶硅产品质量控制要求非常严格,目前生产工艺主要有三氯氢硅氢还原法和硅烷热分解法两种,全球90%以上的多晶硅企业采用三氯氢硅氢还原工艺生产,国内也多采用此工艺生产电子级多晶硅。本文针对三氯氢硅氢还原工艺对影响多晶硅质量的因素进行了阐述,包括三氯氢硅、氢气纯度,物料管线纯度,CVD炉材质,备品备件选取,硅棒后处理装置,设备维护保养等,以期为电子级高纯多晶硅的生产和后处理过程提供参考。

区熔用多晶硅棒制备技术浅析

区熔多晶硅产品纯度要达到13N以上,同时硅棒要满足各项性能指标要求。由于研制周期长、制备难度大,国外工艺技术完全封锁,而国内多晶硅产业起步较晚,对高纯度产品质量的过程管控、工艺技术路线及检测分析方法等基础性研究薄弱。本文重点分析了硅烷CVD法和改良西门子法制备区熔用多晶硅的技术路线,从产品原料控制、核心设备结构、关键材料、反应机理等方面进行了综合分析,在总结不同工艺路线特点的基础上对区熔多晶硅相关领域的发展前景进行了展望。