施镀工艺参数对化学镀沉积 速率的影响

各种工 艺参数对 化学镀 沉积速 度 影响 的 研究 是化 学 镀中 的关 键 问题 之一 ，文 献中 尚 无系 统 的研 究。本文全 面总结 研究了金 属盐浓度 、还原剂 浓度、络 合剂浓度 、ｐ Ｈ 值、施镀 温度与 时间对化 学镀沉 积速度的 影响和原 因。通常 随着金属 盐、还原 剂、络合剂 浓度和 ｐ Ｈ 值的 增加，沉 积速度首 先增 加， 到达 极大 值后 下降； 随着镀液 温度的上 升，镀速 上升到一 定值后 就不能再 镀下去了 ；而随着 时间的增 加，镀速 只是下 降。文章 对不遵循这种 一般规律 的现象， 比如随着 金属盐 或络合剂 浓度增加 ，镀速没 有上升而 只观察 到下降， 进行了分

Cu-P基非晶态钎料基础性研究

研究了四元Cu87.6-x Ni8.3 Sn4.1Px钎料的非晶形成区,发现当x=11.9～16.5at%时,为非晶态合金。该非晶形成区比我们关于三元Cu90-x Nil0 Px钎料的研究结果要宽一些。还测定了四元CuNiSnP非晶态钎料的熔点、润湿性、钎焊接头机械强度、电阻以及显微组织随P含量的变化关系,发现随着P含量增加润湿性增加。而机械强度降低,讨论了其原因。综合所测定的性能指出,四元CuNiSnP非晶态钎料代替Ag-Cu基钎料的可行性。

合金固溶度理论的进展(一)

对迄今已有的固溶度理论，作了具体介绍分析。并从所使用的理论方法，所描述的合金固溶度数目、理论预测与实验结果的符合程度，以及有无定量的方程式等方面对诸理论进行了详细比较，讨论了它们的优缺点。最后提出了今后工作的努力方向。文章分两部分发表，第二部分将刊于上海金属1999年第3期。

化学镀Co-P合金工艺研究

研究Co－P合金化学镀工艺，测定金属盐、还原剂和络合剂浓度、pH值以及温度对镀速的影响；测定了合金镀层的成分和结构。

合金固溶度理论的进展(二)

对迄今已有的固溶度理论，作了具体介绍分析。并从所使用的理论方法，所描述的合金固溶度数目、理论预测与实验结果的符合程度，以及有无定量的方程式等方面对诸理论进行了详细比较，讨论了它们的优缺点。最后提出了今后工作的努力方向。文章分两部分发表。

化学镀制备Ni-Sn-Cu-P合金非晶形成能力

首次用化学镀方法制备了四元ＮｉＳｎＣｕＰ合金镀层。用Ｘ光衍射及扫描电镜对合金镀层形貌和结构进行了测定，确定了不同工艺条件下的非晶合金形成区。用张邦维提出的非晶合金形成理论对ＮｉＳｎＣｕＰ合金非晶形成能力及合金元素在非晶形成中的作用与机理进行了研究。

化学镀非晶态合金的焊接性能

用化学镀方法制备了Ni-B,Ni-P以及Ni-P-B三种非晶态合金镀层。测定超声焊接硅铝丝的键合强度,发现Ni-B合金镀层最好,其后依次为Ni-P-B和Ni-P合金镀层。

非晶态纳米Fe-W-B合金粉末的制备及结构

用ＫＢＨ４化学还原ＦｅＳＯ４和Ｎａ２ＷＯ４制备了ＦｅＷＢ合金粉末。研究了改变溶液中的金属盐比例及ＫＢＨ４浓度对制备的影响。Ｘ射线衍射及电镜分析表明，合金粉末为３０～１００ｎｍ球形粉末，结构为非晶态。实验表明，有些粉末中有明显的非晶氧化物存在。

AgNi合金表面成分均匀性的研究

报导了AES对室温下AgNi两相合全表面成分均匀性的研究结果.发现无论是未经理的自然表面,或是经离子轰击后的清洁表面,或是轰击后仃放长时间的表面,都表现出较明显的成分不均匀性.并发现该系统Ag是择优溅射元素.

高k栅极电介质材料与Si纳米晶体管

Si MOS晶体管进入nm尺度后,原来通用的栅极介电材料SiO2已不能适应纳米晶体管继续小型化的需要,必须用高k栅极电介质材料取而代之。对Si纳米晶体管为什么要采用高k栅极电介质材料、此类材料的物理性能和电学性能、与Si之间的相容性以及材料中缺陷对其性能和器件的影响等一系列问题进行了论述,并且讨论了高k栅极电介质材料的进一步发展。

纳米晶体管研究进展

纳米晶体管是尺寸小于100nm的晶体管。纳米晶体管大大提高了晶体管、集成电路、计算机以及其他电子器件的性能。Intel公司正在进行50nm以下Si晶体管的研制,他们研制的THzCMOS平面晶体管克服了小尺度给纳米晶体管制作所带来的诸如栅极漏电流、关闭状态下的漏电流、电阻增加以及开通电压升高等一系列困难。目前,Si纳米晶体管的小型化并没有停止的趋势,除此以外,碳纳米管晶体管、Mott转变纳米晶体管以及有机纳米晶体管都在受到大力关注和正在研制之中。

小型化牵动下的硬盘技术

逐一分析了硬盘中的磁头、盘片等主要构件以及飞行高度发展至今的小型化过程,从而显示出当今硬盘技术发展的概貌;分析讨论了超顺磁效应,指出硬盘小型化要想继续下去必须另辟新路。

Moore定律还会继续有效吗?

Moore根据 196 1年第一块集成电路 (IC)发明之后的 5年内 ,IC中晶体管数目增加的事实 ,发现晶体管的数目每隔两年就翻一番的规律 ,后来这一规律被人称之为Moore定律 .38年来 ,在科学技术不断发展的背景下 ,Moore定律得到了验证和支持 .为了让这种情况能够继续下去 ,人们现在就在进行着超前研究 .描述和分析了Moore定律继续下去的困难 。

合金系统形成热的Miedema理论

本文对Miedema理论模型的提出及其定量计算关系、2个主要模型参数以及3个比例常数的具体计算进行了评述。并对合金形成热的理论计算值与实验数据间出现偏差的原因进行了分析。

二元Cu-Ti合金系统表面择优溅射研究

本文用低能离子散射谱(ISS)和Auger电子谱(AES)研究了二元非晶态Cu-Ti合金系的表面溅射.实验结果表明Cu是表面择优溅射元素,而控制择优溅射的主要因素是组元的表面化学键合能.随着入射离子能量的增加,贫缺元素Cu在表面上的贫缺程度在Ne^+入射时是减少的,而在He^+入射时则是增加的,文章中讨论了可能的原因.

纳米材料与环境保护

环保问题不仅涉及到国民经济的可持续发展,而且它更与人民的生活休戚相关,因此保护好环境成了当前的重要任务.本文从环境监测、减少温室气体排放量和净化空气以及水处理三大方面,较详细地论述了纳米材料与技术的作用和当前国际上的发展状况,同时也评述了其可能的发展方向.

略论纳米技术双刃性及对策

文章论述了纳米技术的双刃性。首先以最新的资料阐述了纳米科技所取得的巨大成就和可能的广泛用途。接着,用最近2,3年来一些科学家有关纳米材料具有毒性的实验结果,表述了纳米技术的负面效应。从而以无可争辩的事实,论证了纳米科技的双刃性。文中着重提出了如何应对纳米科技的双刃性的办法和措施,强调不仅从事纳米科技研究的人员要清醒地面对,特别是要注意其负面影响的研究;人文科学家也要参加进来,重视纳米科技社会意义方面的研究;公众要关注纳米科技,正确对待,不可盲从;商家和各国政府不可只注意纳米技术的经济利益,要全面正确地制订规则、政策和发展规划,开始重视和投资纳米科技负面效应和社会意义的研究,尤其是发达国家不能只注重于技术的垄断,而必须切实关心、支持和扶持第三世界各国纳米科技事业的发展,使全世界纳米科技事业走上健康发展的道路,避免纳米科技的发展再度加剧南北差距。

晶体管的小型化与科技进步

当代信息技术的迅猛发展得力于晶体管的小型化,而晶体管的小型化又依赖于科技进步。从分立晶体管的三个发展阶段———点接触晶体管,扩散平面型晶体管和金属—氧化物—硅晶体管,到集成电路再到今天全新结构的万亿赫兹纳米晶体管,小型化这条红线贯穿始终,它的每一步都离不开科技发展的事实,晶体管小型化与科技进步紧密相连。

一种新的系统化的固溶体理论：键参数函数和尺寸因素方法

使用张邦维所提出的键参数函数和尺寸因素理论方法，对５６种金属基体二元合金的固溶度进行系统的研究。发现分隔每个基体金属可溶与不溶元素的定量方程式是一抛物线或椭圆。理论预言的总准确率对抛物线和椭圆规律分别为８７．２％和９０．３％。表明，这种对固溶度的理论研究，无论是系统性还是理论结果与实验数据符合程度都是文献中所未有过的。