分布串联横向电阻Spindt型FEA的研究

提出了一种新型的分布串联横向电阻Spindt型FEA的制作工艺。通过溅射的办法制备了各层电极、绝缘层以及FEA电阻层。利用磁增强反应离子刻蚀设备 ,刻蚀出Mo薄膜电极图案和直径 1 μm ,深度 1 μm的SiO2 绝缘层圆孔。利用电子束双源蒸发设备 ,蒸发Al和Mo薄膜 ,得到Mo的微尖阵列 ,制成了分布串联横向电阻Spindt型FEA。

谐振膜压力敏感元件的频率特性

本文讨论了用于谐振压力传感器的谐振膜的频率特性。文中导出了谐振膜的非线性运动微分方程式(式中含有弯曲应力、中面张力和浅壳的影响),并用变分法求得近似解。求得的理论压力-频率特性与实验结果有较好的符合。

用于聚焦型场发射阵列的Ni-SiO_(2)透明电阻薄膜

为用自对准技术制作聚焦型发射阵列 (FFEA)的聚焦极 ,要求FFEA的电阻层能透过光刻用近紫外光。为此提出用共溅射法制作Ni SiO2 金属陶瓷电阻层。研究结果表明 ,当适当调整Ni和SiO2 成份比例 ,可得到既能满足方阻要求又不妨碍光刻的电阻层。同时对此电阻层的电镜微观形貌 ,能谱成份分析 ,方阻及透光率进行了讨论。最后 ,给出一个利用此电阻层制作场发射聚焦电极的实例。