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题名考虑性能退化的IGBT模块可靠性度量模型
被引量:2
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作者
李玲玲
孙进
张鑫保
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机构
河北工业大学省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室
河北工业大学河北省电磁场与电器可靠性重点实验室
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第12期930-935,共6页
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基金
国家自然科学基金资助项目(51475136)
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文摘
提出了一种考虑性能退化因素的IGBT模块可靠性度量模型,该模型以广义应力-强度干涉模型为基础,同时考虑了应力和强度间的相关性以及使用过程中强度的退化性问题。分析了IGBT模块失效原因和失效类型,通过功率循环加速老化试验获取IGBT模块的退化数据,并选用Gamma分布来描述IGBT模块性能退化参数的退化过程;最后,根据广义应力-强度干涉模型求取某种应力环境下对应的IGBT模块可靠度,建立了广义应力与广义强度间的关系,计算得到IGBT模块在某种应力环境下的可靠度区间值。计算结果表明,与现有的可靠性度量模型相比,该方法能够实现IGBT模块可靠性度量,可应用于IGBT模块的器件选型。
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关键词
IGBT模块
加速老化试验
GAMMA分布
广义应力-强度干涉模型
可靠性度量
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Keywords
IGBT module
accelerated aging test
Gamma distribution
generalized stress- strength interference model
reliability measurement
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分类号
TN322.8
[电子电信—物理电子学]
TBLL4.3
[一般工业技术]
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