期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
H3英寸GaAs离子注入掺杂材料研究
1
作者
张降洪
宋马成
《半导体情报》
1999年第6期38-41,共4页
详细介绍了Φ3
关键词
离子注入
砷化镓
掺杂
下载PDF
职称材料
题名
H3英寸GaAs离子注入掺杂材料研究
1
作者
张降洪
宋马成
机构
电子十三所
出处
《半导体情报》
1999年第6期38-41,共4页
基金
国防科技重点实验室基金资助项目!项目编号: 98JS02.3.1.ZS0204
文摘
详细介绍了Φ3
关键词
离子注入
砷化镓
掺杂
Keywords
GaAs wafer Ion implantation
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
H3英寸GaAs离子注入掺杂材料研究
张降洪
宋马成
《半导体情报》
1999
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部