低温多晶硅薄膜晶体管的专利技术

低温多晶硅薄膜晶体管的研究已然成为全球研究热点,本文针对低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)普遍存在的漏电流大的技术问题,展开关于低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)的几项专利技术研究进展的分析,主要涉及多晶硅有源层的相关技术改进。近年来,随着显示技术的迅速发展,尤其是液晶显示技术领域的发展,对薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)半导体有源层的电子迁移率要求要来越高。薄膜晶体管形成的阵列基板是显示装置的关键部件,TFT阵列基板向显示装置提供驱动电路及开关电路等,而其中TFT是阵列基板中至关重要的元件。由于非晶硅薄膜晶体管的漏电流较小,因此早期的液晶显示技术大多采用非晶硅薄膜晶体管,但是非晶硅薄膜晶体管普遍存在载流子迁移率低下的问题,这极大的影响了显示技术的发展。

薄膜晶体管的专利研究进展分析

薄膜晶体管的专利研究已然成为全球研究热点,本文针对薄膜晶体管,开展关于薄膜晶体管的全球专利技术申请相关情况分析,主要涉及专利申请量布局、申请人统计分析以及专利申请的地区分布。随着显示器件的不断发展,薄膜晶体管(TFT)作为显示器元件的阵列基板开关元件起到阵列驱动的作用,并且在平板显示技术的应用中尤为突出,薄膜晶体管已然成为微电子技术特别是显示技术领域的核心技术之一,起到核心作用的薄膜晶体管的研究俨然已成为全球专利技术研究热点。

硅基CCD不均匀性测试

本文从理论上分析了硅基CCD(电荷耦合器件)不均匀性的原因,并给出了一种硅基CCD不均匀性的测试方法,实验验证该方法可行。实验中的硅基CCD光电响应偏差率在±1%以内。

氧化物半导体薄膜晶体管的专利分析

基于薄膜晶体管的专利研究已然成为全球研究热点,阐述薄膜晶体管的全球专利技术申请状况,涉及专利申请量布局、申请人统计分析,以及专利申请的地区分布。