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题名一种基于IC电路设计的多次图形化方法
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作者
王雷
张顾斌
张雪
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机构
上海华虹宏力半导体制造有限公司
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024年第8期713-718,共6页
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文摘
集成电路光刻工艺中的多次图形化技术在版图拆分时着重强化图形分辨率,而非考虑电路复杂程度带来的图形复杂度和拆分难度,拆分后的版图依然包含多个电路设计单元,具有多种复杂结构,不利于光刻条件的进一步优化。以存储器为例,提出了一种基于电路设计的多次图形化方法,根据电路功能单元或器件工作电压对设计版图进行识别分组。将版图进行重新布局拆分,使拆分后图形具备类似的空间周期和图形特征,克服了传统光刻工艺需要兼顾各种图形带来的缺陷。对图形结构空间周期进行全周期优化和最大化优化,降低了对光刻设备的依赖程度,为多次图形化技术提供了一种新的思路和可行性方案。
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关键词
多次图形化
版图拆分
存储器
光罩
工艺窗口
光学临近效应修正(OPC)
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Keywords
multiple patterning
layout split
memory
mask
process window
optical proximity correction(OPC)
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分类号
TN405
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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