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位错驱动下ZnS单晶半导体的非凡光-机-电学特性
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作者 张鲜辉 李晓翠 +4 位作者 任碧赟 李旭 陆洋 王春枫 彭登峰 《Science Bulletin》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第21期2487-2490,共4页
Dislocations,which are topological line defects within a crystal lattice,play a dominant role in crystal plasticity and thus affect various mechanical,electronic,magnetic and optical properties of crystals.These dislo... Dislocations,which are topological line defects within a crystal lattice,play a dominant role in crystal plasticity and thus affect various mechanical,electronic,magnetic and optical properties of crystals.These dislocations also play a crucial role in the structural hardening and material processing[1].In general,mechanical stress is believed to be the fundamental driving force for the movement of dislocations in a crystal. 展开更多
关键词 单晶半导体 driving CRYSTAL
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锆与镁掺杂铝酸锶的应力发光与余辉调控 被引量:1
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作者 黄泽锋 罗江承 +10 位作者 任碧赟 张鲜辉 李旭 郑元钿 朱明炬 梁天龙 张祺安 方子奕 陈冰 傅愉 彭登峰 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第34期4716-4725,共10页
应力发光材料是一类可以在机械力作用下直接发光的智能材料.其中,铝酸盐具有出色的应力发光和长余辉性能,被广泛研究.本研究不同于以往主要关注应力发光或长余辉中的单一性质,而是系统探究了不同添加物对铝酸锶应力发光、光致发光、长... 应力发光材料是一类可以在机械力作用下直接发光的智能材料.其中,铝酸盐具有出色的应力发光和长余辉性能,被广泛研究.本研究不同于以往主要关注应力发光或长余辉中的单一性质,而是系统探究了不同添加物对铝酸锶应力发光、光致发光、长余辉和应力长余辉的复合影响.结果表明,硼酸对发光强度的提升与掺杂离子的种类和浓度存在关联.此外,Zr掺杂能显著改善材料的烧结均匀性和发光均匀性,最佳掺杂浓度为2%,此时应力发光和长余辉发光强度分别提高134%和278%.在此基础上,共掺Mg会导致应力发光强度降低50%以上,但长余辉强度增加了100.76%,并伴随着吸光速率减缓.本研究还比较了6个样品的应力诱导余辉曲线,测得Zr/Dy共掺样品表现出极佳的应力长余辉,而去除10%Al原子的样品展现出极低的应力余辉,仅为3 s.共掺8%Mg将导致应力余辉在经过约2.5 s后便衰退至无明显应力余辉的曲线以下. 展开更多
关键词 应力发光 应力诱导长余辉 SrAl_(2)O_(4) 掺杂 智能传感
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用于人机交互的应力发光光纤传感器 被引量:1
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作者 任碧赟 陈冰 +3 位作者 张鲜辉 武红磊 傅愉 彭登峰 《Science Bulletin》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第6期542-545,M0003,共5页
Luminescent materials convert various types of energy (e.g.,light radiation, electromagnetic radiation/electric field, and mechanical stimulus) into light emissions, resulting in a multitude of luminescence processes ... Luminescent materials convert various types of energy (e.g.,light radiation, electromagnetic radiation/electric field, and mechanical stimulus) into light emissions, resulting in a multitude of luminescence processes called photoluminescence (PL), electroluminescence (EL), and mechanoluminescence (ML)(Table S1 online). Due to the intriguing photophysical properties of these luminescent materials, they are widely developed and applied in many fields such as information security, energy harvesting, light sources and displays, infrastructure health monitoring, electronics. 展开更多
关键词 LUMINESCENCE 光纤传感器 CONVERT
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Zn2+掺杂对共沉淀法制备Ce:Gd3Ga3Al2O12陶瓷粉体闪烁性能的影响 被引量:1
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作者 邱智华 张鲜辉 +2 位作者 王帅华 吴少凡 林永红 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第3期761-768,共8页
利用化学共沉淀法制备Zn2+共掺的Ce:GAGG陶瓷粉体。研究了Zn2+共掺的Ce:GAGG陶瓷前驱粉体的TG/DTA和FTIR曲线;分析了不同煅烧温度对Ce:GAGG陶瓷粉体相、形貌和颗粒度分布的影响;研究了Zn2+含量对Ce:GAGG陶瓷粉体光致发光,辐射发光,激发... 利用化学共沉淀法制备Zn2+共掺的Ce:GAGG陶瓷粉体。研究了Zn2+共掺的Ce:GAGG陶瓷前驱粉体的TG/DTA和FTIR曲线;分析了不同煅烧温度对Ce:GAGG陶瓷粉体相、形貌和颗粒度分布的影响;研究了Zn2+含量对Ce:GAGG陶瓷粉体光致发光,辐射发光,激发光谱和荧光寿命的影响。研究表明:前驱粉体在883℃的相组成为GdAlO3相和GAGG相;前驱粉体在煅烧温度为900℃时,完全转化为GAGG相;当煅烧温度为1200℃时,GAGG颗粒尺寸控制在20~60nm,分布均匀;随着Zn2+含量的变化,光致发光和辐射发光强度也相应变化,特别的,当Zn2+含量为0.4 mol%时,光致发光和辐射发光强度达到最大值;随着Zn2+掺杂含量的上升,荧光寿命出现下降的趋势。因此,Zn2+含量对Ce:GAGG陶瓷粉体的辐射发光具有明显的影响,对降低荧光寿命具有积极的作用,对于提高GAGG闪烁材料的快速响应具有重要意义。 展开更多
关键词 共沉淀法 前驱粉体 Ce:GAGG陶瓷粉体 Zn2+共掺杂
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