具有多场限环结构的SiC LDMOS击穿特性研究

场限环终端结构因能够显著提高击穿电压而被广泛应用于半导体功率器件。基于数值模拟软件建立了具有多场限环结构的SiC LDMOS仿真模型。分别仿真场限环各项参数和漂移区掺杂浓度与击穿电压的关系。提取器件击穿时的表面电场,从表面电场分布均匀程度和峰值电场两方面分析击穿原理。研究结果表明,当漂移区掺杂浓度一定时,击穿电压随场限环数量、结深和掺杂浓度的增大而先增大后减小;当场限环参数一定时,击穿电压随漂移区掺杂浓度的增大而先增大后减小;经验证在相同条件下,线性环间距设计的LDMOS击穿特性优于等环间距设计,且漂移区掺杂浓度越高,环掺杂浓度和环结深越小,失效场限环数量越多。

一类特殊功能型小区的单向交通组织优化设计方法

从交通工程学和交通管理规划理论出发,分析现有单向交通组织方式存在的问题,提出新型的单向交通组织优化设计方法,并与现有单向交通组织方式进行对比,论述其优缺点与适用范围。以广州市一德路片区为例,分析其存在的问题,将新型单行交通组织优化设计方法应用于该片区,并用Vissim仿真现状与设计后2种情况的交通状况,得到了相应的交通效益评价指标数据和尾气排放数据,对比说明新型单向交通组织优化设计方法能够获得较好的效益。

4H-SiC基MPS二极管迅回效应分析

为优化二极管抗浪涌电流能力及正向特性,针对器件工艺参数对迅回效应的影响进行了研究。采用建模仿真对比不同参数下的器件正向特性,分别对P+区和漂移区的掺杂浓度以及P+区宽度3个方面进行讨论。提取在迅回效应过程中器件的正向偏置处于转折与折回电压时漂移区内空穴的分布,进而细化研究该效应的产生过程机理。仿真结果表明,增加P+区的掺杂浓度与宽度可以有效抑制迅回效应,较高的漂移区掺杂浓度会增加器件在单极工作模式下的电流密度,但同时增大转折电压可使迅回效应加剧,适当减小漂移区掺杂浓度可以抑制迅回效应。

4H-SiC SP-MPS二极管迅回效应的仿真研究

为了抑制4H-SiC MPS二极管的迅回效应,在传统结构的肖特基结下方引入P-轻掺杂区形成SP-MPS结构。给出简化电阻模型和等效电路图分析MPS二极管的正向导通特性,仿真了肖特基区宽度、P+区结深及P-区深度等关键参数对迅回效应的影响。研究结果表明,减小肖特基区宽度、增加P+区结深均可有效抑制迅回效应。SPMPS结构通过添加P-轻掺杂区来调整肖特基势垒高度进而控制转折电压的大小,增加P-区深度对迅回效应具有抑制作用,但与P-区掺杂浓度基本无关。对比传统MPS结构,在P-区深度为0.25μm、掺杂浓度为1×10^(17)cm^(-3)的条件下,SP-MPS结构的肖特基势垒高度增加了35.7%,转折电压降低了73.2%,明显改善迅回效应对MPS二极管正向特性的影响。

品管圈对缩短精神科急诊患者就诊等待时间的效果探讨

目的探讨品管圈对缩短精神科急诊患者就诊等待时间的效果。方法选取2019年7月至2020年6月于我院精神科急诊就诊的300例患者作为研究对象,150例予以常规就诊指导的患者纳入对照组,150例予以品管圈就诊指导的患者纳入观察组。比较两组的就诊等待时间及护理满意度。结果观察组的就诊等待时间显著短于对照组,护理满意度评分显著高于对照组(P<0.05)。结论品管圈可缩短精神科急诊患者的就诊等待时间,提高患者的护理满意度。