Sn膜硫化合成SnS薄膜及其性能研究

用热蒸发法技术在ITO透明导电玻璃上沉积一层Sn膜，将其装入石墨盒里后，放在真空炉里面硫化处理，硫化温度在150-350℃之间。通过对在不同温度下硫化的薄膜进行结构、成分和表面形貌分析，表明退火温度在230-250℃之间时所制得的薄膜为正交结构的SnS多晶薄膜，其均匀性和对基片的附着力都较好，具有（111）方向优先生长，薄膜粒径在200-800nm。通过测量薄膜样品的反射和透射光谱，计算得到其直接禁带宽度Eg=1．38eV，在基本吸收边附近的吸收系数大于10^4／cm，用霍尔测量系统测得其导电类型为P型，适合应用于太阳能电池的吸收层材料。

硫化温度和时间对Sn_xS_y薄膜结构和成分的影响

用热蒸发技术在玻璃基片上沉积一层sn薄膜，在真空条件下，将其在150～300℃下硫化30．60min．对在不同温度和时间下硫化的薄膜进行结构、成分和表面形貌分析，结果表明：在不同温度和不同时间下硫化，所得到的薄膜在物相结构、成分和表面形貌上都存在差异．当硫化温度为240℃、硫化时间为45min时，所制得的薄膜为正交结构的SnS多晶薄膜，其均匀性、致密性以及对基片的附着力都较好，具有（111）方向优先生长，薄膜粒径在200～800nm，且晶格常数与标样的数值吻合很好．

硫化温度对Sn_xS_y薄膜光电性能的影响

用真空热蒸发技术在玻璃基片上沉积一层Sn薄膜,分别在硫化温度为210,240和270℃的条件下硫化45min。研究了硫化温度对薄膜样品光学和电学性能的影响。结果显示:随着硫化温度的升高,其电阻率减小;但薄膜导电类型不受硫化温度的影响,都为p型。当硫化温度为240℃时,薄膜为斜方SnS多晶薄膜,沿{111}方向优先生长,其均匀性和致密性以及对基片的附着力都较好,薄膜粒径为200～800nm,薄膜的直接能带间隙为1.46eV,电阻率为25.54Ω·cm。