基于GaN HEMTs的S波段大功率固态功放组件设计

介绍了一种基于氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMTs)的S波段大功率固态功放组件,详细阐述了组件的微波链路设计、热设计、BITE设计以及电源设计等设计中的关键性问题。测试结果表明,组件在450μs脉宽、15%占空比条件下输出峰值功率不小于1. 6 k W,效率达到40%。组件创新性地采用实时参数化的数字采样技术、激励/控制输入通道的冗余设计技术,适应高可靠雷达系统的健康管理对组件的智能化要求。

一种轻量化高效率P频段数字阵列模块设计

为了满足未来大型相控阵天基雷达对低剖面、轻量化有源天线阵面的需求,设计了一种P频段14通道数字阵列模块(Digital Array Module,DAM)。通过精简的系统架构设计、高密度集成的电路设计和紧凑的结构设计一系列技术方法,克服了DAM小型化和轻量化的设计难点,同时又获得了高效率和其他优良的电性能。最终研制得到样机,质量低至2.23 kg,效率达到45%(10%工作比),在天基雷达领域具有很好的应用前景。

计算机科学技术网站的设计及实现研究

随着我国科学技术不断发展,当今信息技术发展速度越来越快,人们对网络的需求也不断提高,人们的日常生活、工作、学习等也因为网络而产生了变化,网络技术的发展打破了时间与空间的限制,网站类型也不断增多,其中科学技术网站已经成为了行业的热点话题。基于此,本文重点对计算机科学技术网站的设计与实现进行深度探究。

基于数字收发的大功率行发射机设计

介绍了一种VHF波段全固态大功率行发射机的设计,对发射机的系统组成、数字收发模块、前级功放组件、末级功放组件等关键技术展开了详细的阐述。为了提高天线的合成效率和波束指向精度,设计中采用了基于数字收发的幅相校正技术,保证了发射机每行输出幅度和相位的高度一致性。

Simulation of electrical properties of In_xAl_(1-x)N/AlN/GaN high electron mobility transistor structure

Electrical properties of In_x Al_（1-x）N/AlN/GaN structure are investigated by solving coupled Schr（o｜¨）dinger and Poisson equations self-consistently.The variations in internal polarizations in In_xAl_（1-x）N with indium contents are studied and the total polarization is zero when the indium content is 0.41.Our calculations show that the twodimensional electron gas（2DEG） sheet density will decrease with increasing indium content.There is a critical thickness for AIN.The 2DEG sheet density will increase with In_xAl_（1-x）N thickness when the AIN thickness is less than the critical value.However,once the AIN thickness becomes greater than the critical value,the 2DEG sheet density will decrease with increasing barrier thickness.The critical value of AIN is 2.8 nm for the lattice-matched In_（0.18）Al_（0.82）N/AlN/GaN structure.Our calculations also show that the critical value decreases with increasing indium content.