飞秒激光脉冲二阶干涉自相关法测量及其精细结构研究

本文用二阶相干自相关法测量飞秒激光脉冲宽度，测量过程完全由计算机控制和完成，测量精度达０．３飞秒。并分析了测量曲线的精细结构，发现其精细结构主要是由基频光相干场的振动频率所决定。

分子聚集态的双J-谱带起源

花青类染料在激光锁模、摄影光敏材料以及光生物学研究中都有重要的应用。然而,在这类染料分子的应用研究中,长期以来存在着一种没有得到完满解释的奇特光谱现象,即在一定的条件下,其溶液或凝聚态会出现异常窄的吸收谱带(J-谱带)及其共振荧光。这是分子间强烈耦合形成特殊结构的J型聚集体或分子微团(aggregate或cluster)后的光谱表现。但其中分子之间的相互作用而导致J-谱带出现的机理还不十分清楚。

AlGaAs/GaAs多量子阱光激发载流子弛豫过程的研究

当激发光子能量大于多量子阱中势垒层的能带隙时,自由载流子同时可以在势垒层以及势阱层产生,对这些载流子的弛豫过程的研究不论对其基本的物理过程的认识,还是对新的光电子器件的研制和应用都有着重要的意义。 本文首先采用飞秒(10-15秒)饱和吸收光谱技术研究了Al0.3Ga0.7As（100?）/GaAs（60?）11层量子阱样品受激载流子的初始弛豫过程。飞秒激光脉冲是由对碰脉冲锁模环形染料激光器（CPM）产生的,脉冲的时间宽度为 58fs。

J型聚集态的激光光谱学实验与理论研究

观测到了光敏染料1,1’-乙二基—2,2’-甲川喹啉碘化物的吸收光谱随温度和浓度的变化关系,及其J-聚集态的离子增强效应,给出奇异J-谱带出现的温度的临界参数。最后利用超快速光谱学技术研究了J-聚集态的共振荧光动力学,确定其衰减时间小于20ps,并建立了一个亚宏观有序集体振动模相变的理论模型,解释了J-谱带波长位置,谱带的窄带性,以及共振荧光快速弛豫对聚集分子和外界条件不敏感的特性,同时还解释了J-谱带出现的临界行为及其对分子的选择。

CdS_xSe_(1-x)玻璃的光双稳皮秒动力学特性研究

本文在掺CdS_xSe_(1-x)微晶阵列玻璃中观测到上升和下降时间为20微微秒的光学双稳跳跃过程,并从实验数据估算出CdS_xSe_(1-x)玻璃的三阶非线性系数为1×10^(-8)esu,与已报道用简并四波混频实验所测得的三阶非线性系数在数量级上一致,快速的光学双稳开关过程以及大的三阶非线性系数显示这种材料的光学双稳态是属于带填充效应的结果。

IBMPC／XT计算机控制精密光学自相关器和实验数据采集与处理自动化系统

本文介绍一种用于皮秒和飞秒级超短激光脉冲和激光与物质相互作用的超快过程测量的ＩＢＭＰＣ／ＸＴ计算机控制精密光学自相关器和实验数据采集与处理自动化系统。该系统既可进行自相关测量，又可进行干涉强度自相关测量。仪器的时间分辨率达０．３ｆｓ。

InGaAs/GaAs微结构中的载流子动态特性研究

InGaAs/GaAs拉晶格量子阱材料是一种应变型微结构材料,随着结构参数与三元层成份的变化,微结构的电学及光学特性也随之而变,因此有很大的应用前景。 我们对于InxGa1-xAs/GaAs单量子阱材料进行了光致发光谱和时间分辨光致发光谱的研究。 实验所用的仪器包括同步泵浦染料激光器,配合高重复率条纹相机系统,输出的高重复率激光脉冲亮度在10皮秒左右,接收器可以接收1.35eV以上的发光谱。

内F-P腔条波导光双稳器件

首次在CdS_λSe_(1-x)玻璃上成功地研制出内F—P腔结构条型波导光双稳器件.实现了低功耗和超快速本征光双稳运转.

物理喷束淀积技术制备的C_（60）薄膜的光学性质

利用物理喷束淀积技术（ＰＪＤ）制备了Ｃ６０薄膜，测量了该薄膜的变温积分荧光光谱，变温时间分辨荧光光谱，变波长积分荧光光谱和变波长时间分辨荧光光谱。Ｃ６０的荧光强度随温度升高单调减弱，荧光线宽变宽，而荧光的衰减形式在温度升高时呈现双指数变化特性；在所使用的激发光调谐范围内，没有发现荧光光谱特性的明显变化。

构建我国死刑复核法律监督长效机制探略

在建立我国死刑复核法律监督制度的过程中,应当首先考虑死刑复核法律监督的长效机制问题。为此,要充分认识构建死刑复核法律监督长效机制的必要性,并解决如何构建死刑复核法律监督长效机制的问题。

TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE FROM In_(x)Ga_(1-x)As/GaAs SINGLE QUANTUM WELL

We have measured the time-resolved photoluminescence spectra of several In_(x)Ga_(1-x)As/GaAs single quantum well samples at 77K.The different temporal behaviors of the photoluminescence(PL)from the GaAs layer and the excitonic emission from the In_(x)Ga_(1-x)As well were obtained.The lifetime for the exciton in the In_(x)Ga_(1-x)As well were determined to be 110-170ps.The trapping efficiency of the well to the carriers was about 80%.

一阶自相关法测量飞秒激光脉冲时间宽度

在飞秒(fs)激光技术研究过程中,激光脉冲时间宽度的测量是不可缺少的.通常用二次谐波自相关法间接测量激光的脉宽,在脉宽为几十飞秒量级时,所用的倍频晶体和聚焦透镜必须非常薄,否则会引起飞秒脉冲的展宽.且当脉宽为几飞秒时,必须使用干涉测量法(如测量6fs),但所使用的倍频晶体KDP的厚度为32μm,这么薄的晶体,其加工的难度可想而知.本文实现了用一阶相关法(即线性相关法)测量飞秒脉冲时间宽度,其中相关仪的控制及实验数据的采集均由计算机完成,其时间分辨率达0.3fs.当被测的激光脉冲中心波长位于那些难以找到信频等非线性光学晶体的光谱区时,一阶相关法就更是必不可少.

三价铕离子配合物的激光光谱研究

利用高灵敏度的时间分辨激光光谱技术研究了在配位场作用下Ｅｕ（３＋）的直接激发与发射特性。Ｅｕ（３＋）的直接激发光谱（特别是７Ｆ０－５Ｄ０的超灵敏跃迁）及其发射光谱随不同的配合物的变化，同时观测到与配位对称性及配位强度有联系的７Ｆ１—５Ｄ０磁偶极跃迁的分裂。在对７Ｆ０—５Ｄ０跃迁共振与非共振的１０ｐｓ激光脉冲的激励下，都可以立即观察到５Ｄ０－７ＦＪ（Ｊ＝２，３，４）的发射，说明Ｅｕ（３＋）的５Ｄ０能态的布居时间小于１０ｐｓ，并叠加有一个皮秒到纳秒量级时间衰减过程的带状谱。

CdS_xSe_(1-x)玻璃条型波导光双稳全开关动力学特性的研究

本文采用光纤端面耦合技术,在入射功率为6mW的情况下,观测到掺CdSxSe1-x半导体微晶玻璃条型波导中上升和下降时间分别为20和30ps的光学双稳跳跃过程,并从实验数据估算出CdSxSe1-x玻璃的三阶非线性系数x（3）为1×10-9esu。

超短脉冲激光测量的标定方法

在研究总结现有超短激光脉冲测量方法的基础上 ,对皮秒激光脉冲的测量及飞秒激光脉冲自相关二次谐波(SHG)的测量方法进行了统一的校正。实验中 ,利用迈克尔逊干涉光路的相对光程差 ,产生已知时间间隔 ,作为时间基准对皮秒。

稀土离子光谱探针技术研究稀土离子与环境配体耦合边带的观测

用纳秒脉冲激光作为激发光源，在激发谱中观测到了Ｔｂ３＋的４ｆ－４ｆ电子跃迁与ＯＨ，ＯＤ键伸缩振动的耦合边带。实验上采用了时间分辨技术及扣除背景的计算机数据处理方法，有效地克服了杂质荧光和拉曼散射的背景干扰，获得了清晰的Ｔｂ３＋电子振动谱带。

采用532nm锁模激光研究量子阱中的带填充效应

采用532nm锁模脉冲激光和时间分辨测量系统测量了InGaAs/GaAa单量子阱在77K时,不同激发功率下的时间分辨光致发光谱.结果表明,在低激发功率时,阱中的发光峰的位置随时间变化不大.而在175mW激发时,发光峰在刚激发时就向短波移动10meV以上,然后随时间向长波移动.结果明确显示了存在于阱中的带填充效应.

C_(60)薄膜荧光非单指数衰减的四能级模型研究

研究了高真空蒸发技术制备的Ｃ６０薄膜在温度自１２７Ｋ至室温范围的时间分辨荧光光谱，在１２７Ｋ时，Ｃ６０薄膜的荧光峰处于７３０ｎｍ且其时间弛豫特性呈单指数衰减行为；当温度上升时，荧光峰红移，其弛豫特性明显偏离单指数行为。采用四能级模型处理Ｃ６０激发态的弛豫行为，得到双指数衰减规律，并用双指数函数对实验结果进行了拟合，结果表明，当温度上升时。