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光电晶体管反向击穿特性研究
1
作者
陈慧蓉
孔德成
+1 位作者
张明
彭时秋
《电子与封装》
2023年第6期76-79,共4页
由于特殊的应用场景,光电晶体管与普通晶体管在性能参数和结构设计上存在较大差异,在器件设计时需要兼顾各项参数的影响。通过理论及仿真计算结合实验流片,归纳出工艺过程中影响NPN光电晶体管反向击穿的几种因素,包括掺杂浓度、结深以...
由于特殊的应用场景,光电晶体管与普通晶体管在性能参数和结构设计上存在较大差异,在器件设计时需要兼顾各项参数的影响。通过理论及仿真计算结合实验流片,归纳出工艺过程中影响NPN光电晶体管反向击穿的几种因素,包括掺杂浓度、结深以及放大倍数等,进而提出了可以提升光电晶体管耐压的工艺改进措施,实现了发射极反向击穿电压提高约20%,集电极-发射极反向击穿电压超过400 V。
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关键词
光电晶体管
反向击穿
掺杂浓度
放大倍数
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职称材料
MEMS微压压力传感器的灵敏度优化
被引量:
6
2
作者
彭时秋
朱赛宁
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第13期1582-1590,共9页
为提高微机电系统微压压力传感器的灵敏度,根据硅压阻式压力传感器的工作原理介绍了影响压力传感器灵敏度的主要因素。使用COMSOL Mutilphysics有限元仿真软件开展压力敏感膜层厚度、压敏电阻摆放位置及压敏电阻长度对灵敏度影响规律的...
为提高微机电系统微压压力传感器的灵敏度,根据硅压阻式压力传感器的工作原理介绍了影响压力传感器灵敏度的主要因素。使用COMSOL Mutilphysics有限元仿真软件开展压力敏感膜层厚度、压敏电阻摆放位置及压敏电阻长度对灵敏度影响规律的研究。根据仿真结果,减小压力敏感膜层厚度至15μm,设置压敏电阻长度为120μm,并将压敏电阻摆放至距压敏膜层边缘10μm的位置,完成了一款量程为40 kPa的MEMS硅压阻式微压压力传感器的结构优化,有效提升了传感器的灵敏度。测试结果表明,该压力传感器的灵敏度达到0.444 mV/kPa,相较于常规同量程灵敏度为0.35 mV/kPa的压力传感器,提升了26.8%。上述优化结果基本满足MEMS微压压力传感器的高灵敏度、高线性度等要求。
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关键词
微机电系统
微压压力传感器
COMSOL
mutilphysics
灵敏度优化
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职称材料
血压计用MEMS压力传感器设计与制造
被引量:
1
3
作者
彭时秋
朱赛宁
肖步文
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2022年第3期79-82,共4页
针对微机电系统(MEMS)压力传感器灵敏度及线性度较难兼顾的问题,设计了一种可应用于电子血压计量程为40 kPa的MEMS压力传感器。首先基于硅压阻式MEMS压力传感器的工作原理,使用COMSOL Mutilphysics软件对传感器结构进行仿真设计,根据理...
针对微机电系统(MEMS)压力传感器灵敏度及线性度较难兼顾的问题,设计了一种可应用于电子血压计量程为40 kPa的MEMS压力传感器。首先基于硅压阻式MEMS压力传感器的工作原理,使用COMSOL Mutilphysics软件对传感器结构进行仿真设计,根据理论计算各结构尺寸,得到可获得最高输出灵敏度以及最小非线性的电阻位置,并设计传感器掩模版图。同时设计了传感器芯片工艺制备流程,完成了高灵敏度压力传感器芯片的制作,并对最终成品性能进行了研究分析。实验结果表明:通过对压力传感器结构优化,研制出的40 kPa硅压阻式MEMS压力传感器在常温下的灵敏度达到0.445 mV·V^(-1)·kPa^(-1),非线性度达到±0.0736%FS。
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关键词
压阻式微机电系统压力传感器
COMSOL
Mutilphysics软件
灵敏度
非线性度
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职称材料
抗SEB加固功率VDMOS的温度特性研究
被引量:
1
4
作者
徐政
吴素贞
+4 位作者
徐海铭
廖远宝
吴锦波
彭时秋
赵文彬
《微电子学》
CAS
北大核心
2021年第5期746-750,共5页
仿真研究了300V抗辐射功率VDMOS器件在不同缓冲层浓度、不同LET值下单粒子烧毁(SEB)效应的温度特性。结果表明,SEB的温度特性与LET值相关,LET值较小时(0.1pC/μm),SEB电压呈正温度系数特性;LET值较大时(1pC/μm),SEB电压呈负温度系数特...
仿真研究了300V抗辐射功率VDMOS器件在不同缓冲层浓度、不同LET值下单粒子烧毁(SEB)效应的温度特性。结果表明,SEB的温度特性与LET值相关,LET值较小时(0.1pC/μm),SEB电压呈正温度系数特性;LET值较大时(1pC/μm),SEB电压呈负温度系数特性。重点分析了1pC/μm LET时离化强度大的条件下SEB电压的碰撞电离分布和晶格温度分布,分析发现,功率VDMOS颈区JFET/P阱的pn结是SEB效应薄弱点,这得到了实验结果的验证。本模型计算的结果表明,当LET值大、器件工作温度高时,功率VDMOS器件的单粒子烧毁风险最大。该项研究结果为抗辐射加固功率VDMOS器件的应用提供技术参考。
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关键词
功率VDMOS
单粒子烧毁
温度特性
抗辐射加固
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职称材料
硅基雪崩光电二极管技术及应用
被引量:
4
5
作者
陈全胜
张明
+3 位作者
彭时秋
陈培仓
王涛
贺琪
《电子与封装》
2021年第3期1-7,共7页
硅基雪崩光电二极管是一种可用于对微弱光甚至单光子进行探测的光电器件,被广泛应用于激光测距、激光成像、量子通信和生物医疗等领域。从工作原理、常见结构和分类3个方面对硅基雪崩光电二极管的技术进行分析,并对其性能发展趋势进行阐...
硅基雪崩光电二极管是一种可用于对微弱光甚至单光子进行探测的光电器件,被广泛应用于激光测距、激光成像、量子通信和生物医疗等领域。从工作原理、常见结构和分类3个方面对硅基雪崩光电二极管的技术进行分析,并对其性能发展趋势进行阐述,最后介绍了硅基雪崩光电二极管的应用。
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关键词
光电器件
雪崩光电二极管
弱光探测
激光雷达
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职称材料
低压调整二极管击穿特性分析与优化设计
被引量:
2
6
作者
陈正才
彭时秋
+1 位作者
林丽
黄龙
《电子与封装》
2021年第3期82-86,共5页
介绍了采用平面结构设计与Si外延工艺制造低压调整二极管的技术。该技术论证了Si平面结型5.1 V低压调整二极管的击穿机理为隧道击穿,同时设计了一种新型Si平面结型低压调整二极管的结构,以及与此结构相匹配的工艺制程,进而实现5.1 V击...
介绍了采用平面结构设计与Si外延工艺制造低压调整二极管的技术。该技术论证了Si平面结型5.1 V低压调整二极管的击穿机理为隧道击穿,同时设计了一种新型Si平面结型低压调整二极管的结构,以及与此结构相匹配的工艺制程,进而实现5.1 V击穿电压特性为硬击穿。此硬击穿优化的关键是对结构设计、氧化工艺的深度研究。
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关键词
隧道击穿
结构设计
氧化工艺
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职称材料
5 V双向TVS器件击穿电压对称性分析与优化设计
7
作者
陈正才
黄龙
彭时秋
《电子与封装》
2020年第10期66-68,共3页
通过设计5 V双向TVS产品,分析了N+注入及退火工艺对器件正、反向击穿电压的影响。通过优化材料电阻率,正、反向击穿电压的差值从1.3 V优化至0.1 V,各项动态参数均满足产品要求。完成了5 V双向TVS器件击穿电压对称性的优化,各项参数均满...
通过设计5 V双向TVS产品,分析了N+注入及退火工艺对器件正、反向击穿电压的影响。通过优化材料电阻率,正、反向击穿电压的差值从1.3 V优化至0.1 V,各项动态参数均满足产品要求。完成了5 V双向TVS器件击穿电压对称性的优化,各项参数均满足产品要求。
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关键词
击穿电压
离子注入
退火
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职称材料
题名
光电晶体管反向击穿特性研究
1
作者
陈慧蓉
孔德成
张明
彭时秋
机构
无锡中微晶园电子有限公司
出处
《电子与封装》
2023年第6期76-79,共4页
文摘
由于特殊的应用场景,光电晶体管与普通晶体管在性能参数和结构设计上存在较大差异,在器件设计时需要兼顾各项参数的影响。通过理论及仿真计算结合实验流片,归纳出工艺过程中影响NPN光电晶体管反向击穿的几种因素,包括掺杂浓度、结深以及放大倍数等,进而提出了可以提升光电晶体管耐压的工艺改进措施,实现了发射极反向击穿电压提高约20%,集电极-发射极反向击穿电压超过400 V。
关键词
光电晶体管
反向击穿
掺杂浓度
放大倍数
Keywords
phototransistors
reverse breakdown voltage
doping concentration
amplification
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
MEMS微压压力传感器的灵敏度优化
被引量:
6
2
作者
彭时秋
朱赛宁
机构
无锡中微晶园电子有限公司
出处
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第13期1582-1590,共9页
基金
江苏省科技计划资助项目(No.BA2018059)。
文摘
为提高微机电系统微压压力传感器的灵敏度,根据硅压阻式压力传感器的工作原理介绍了影响压力传感器灵敏度的主要因素。使用COMSOL Mutilphysics有限元仿真软件开展压力敏感膜层厚度、压敏电阻摆放位置及压敏电阻长度对灵敏度影响规律的研究。根据仿真结果,减小压力敏感膜层厚度至15μm,设置压敏电阻长度为120μm,并将压敏电阻摆放至距压敏膜层边缘10μm的位置,完成了一款量程为40 kPa的MEMS硅压阻式微压压力传感器的结构优化,有效提升了传感器的灵敏度。测试结果表明,该压力传感器的灵敏度达到0.444 mV/kPa,相较于常规同量程灵敏度为0.35 mV/kPa的压力传感器,提升了26.8%。上述优化结果基本满足MEMS微压压力传感器的高灵敏度、高线性度等要求。
关键词
微机电系统
微压压力传感器
COMSOL
mutilphysics
灵敏度优化
Keywords
Micro-Electro-Mechanical System(MEMS)
micro-pressure sensor
micro-pressure
COM⁃SOL mutilphysics
sensitivity optimization
分类号
TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
血压计用MEMS压力传感器设计与制造
被引量:
1
3
作者
彭时秋
朱赛宁
肖步文
机构
无锡中微晶园电子有限公司
出处
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2022年第3期79-82,共4页
文摘
针对微机电系统(MEMS)压力传感器灵敏度及线性度较难兼顾的问题,设计了一种可应用于电子血压计量程为40 kPa的MEMS压力传感器。首先基于硅压阻式MEMS压力传感器的工作原理,使用COMSOL Mutilphysics软件对传感器结构进行仿真设计,根据理论计算各结构尺寸,得到可获得最高输出灵敏度以及最小非线性的电阻位置,并设计传感器掩模版图。同时设计了传感器芯片工艺制备流程,完成了高灵敏度压力传感器芯片的制作,并对最终成品性能进行了研究分析。实验结果表明:通过对压力传感器结构优化,研制出的40 kPa硅压阻式MEMS压力传感器在常温下的灵敏度达到0.445 mV·V^(-1)·kPa^(-1),非线性度达到±0.0736%FS。
关键词
压阻式微机电系统压力传感器
COMSOL
Mutilphysics软件
灵敏度
非线性度
Keywords
piezoresistive MEMS pressure sensor
COMSOL Mutilphysics software
sensitivity
non-linearity
分类号
TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
抗SEB加固功率VDMOS的温度特性研究
被引量:
1
4
作者
徐政
吴素贞
徐海铭
廖远宝
吴锦波
彭时秋
赵文彬
机构
中国电子科技集团公团第五十八研究所
出处
《微电子学》
CAS
北大核心
2021年第5期746-750,共5页
基金
国家重点研发计划专项(2017YFF0104800)。
文摘
仿真研究了300V抗辐射功率VDMOS器件在不同缓冲层浓度、不同LET值下单粒子烧毁(SEB)效应的温度特性。结果表明,SEB的温度特性与LET值相关,LET值较小时(0.1pC/μm),SEB电压呈正温度系数特性;LET值较大时(1pC/μm),SEB电压呈负温度系数特性。重点分析了1pC/μm LET时离化强度大的条件下SEB电压的碰撞电离分布和晶格温度分布,分析发现,功率VDMOS颈区JFET/P阱的pn结是SEB效应薄弱点,这得到了实验结果的验证。本模型计算的结果表明,当LET值大、器件工作温度高时,功率VDMOS器件的单粒子烧毁风险最大。该项研究结果为抗辐射加固功率VDMOS器件的应用提供技术参考。
关键词
功率VDMOS
单粒子烧毁
温度特性
抗辐射加固
Keywords
power VDMOS
SEB
temperature dependent behavior
radiation hardened
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
硅基雪崩光电二极管技术及应用
被引量:
4
5
作者
陈全胜
张明
彭时秋
陈培仓
王涛
贺琪
机构
无锡中微晶园电子有限公司
中科芯集成电路有限公司
出处
《电子与封装》
2021年第3期1-7,共7页
基金
国家重点研发计划重大科学仪器设备开发专项(2017YFF0104801)。
文摘
硅基雪崩光电二极管是一种可用于对微弱光甚至单光子进行探测的光电器件,被广泛应用于激光测距、激光成像、量子通信和生物医疗等领域。从工作原理、常见结构和分类3个方面对硅基雪崩光电二极管的技术进行分析,并对其性能发展趋势进行阐述,最后介绍了硅基雪崩光电二极管的应用。
关键词
光电器件
雪崩光电二极管
弱光探测
激光雷达
Keywords
photoelectric device
avalanche photodiode
weak light detection
lidar
分类号
TN364 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
低压调整二极管击穿特性分析与优化设计
被引量:
2
6
作者
陈正才
彭时秋
林丽
黄龙
机构
无锡中微晶园电子有限公司
出处
《电子与封装》
2021年第3期82-86,共5页
文摘
介绍了采用平面结构设计与Si外延工艺制造低压调整二极管的技术。该技术论证了Si平面结型5.1 V低压调整二极管的击穿机理为隧道击穿,同时设计了一种新型Si平面结型低压调整二极管的结构,以及与此结构相匹配的工艺制程,进而实现5.1 V击穿电压特性为硬击穿。此硬击穿优化的关键是对结构设计、氧化工艺的深度研究。
关键词
隧道击穿
结构设计
氧化工艺
Keywords
tunnel breakdown
structure design
oxidation process
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
5 V双向TVS器件击穿电压对称性分析与优化设计
7
作者
陈正才
黄龙
彭时秋
机构
无锡中微晶园电子有限公司
出处
《电子与封装》
2020年第10期66-68,共3页
文摘
通过设计5 V双向TVS产品,分析了N+注入及退火工艺对器件正、反向击穿电压的影响。通过优化材料电阻率,正、反向击穿电压的差值从1.3 V优化至0.1 V,各项动态参数均满足产品要求。完成了5 V双向TVS器件击穿电压对称性的优化,各项参数均满足产品要求。
关键词
击穿电压
离子注入
退火
Keywords
breakdown voltage
ion implantation
anneal
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
光电晶体管反向击穿特性研究
陈慧蓉
孔德成
张明
彭时秋
《电子与封装》
2023
0
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职称材料
2
MEMS微压压力传感器的灵敏度优化
彭时秋
朱赛宁
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022
6
下载PDF
职称材料
3
血压计用MEMS压力传感器设计与制造
彭时秋
朱赛宁
肖步文
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2022
1
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职称材料
4
抗SEB加固功率VDMOS的温度特性研究
徐政
吴素贞
徐海铭
廖远宝
吴锦波
彭时秋
赵文彬
《微电子学》
CAS
北大核心
2021
1
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职称材料
5
硅基雪崩光电二极管技术及应用
陈全胜
张明
彭时秋
陈培仓
王涛
贺琪
《电子与封装》
2021
4
下载PDF
职称材料
6
低压调整二极管击穿特性分析与优化设计
陈正才
彭时秋
林丽
黄龙
《电子与封装》
2021
2
下载PDF
职称材料
7
5 V双向TVS器件击穿电压对称性分析与优化设计
陈正才
黄龙
彭时秋
《电子与封装》
2020
0
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职称材料
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