利用同步辐射形貌术研究晶体缺陷的实验方法探讨

利用同步辐射 X射线形貌术研究晶体缺陷 ,是近年来发展起来的一种优良的实验方法 .本文在研究LNP等晶体缺陷的同时 ,对这种实验方法进行了系统的探讨 ,讨论了散射光的消除、焦距的选择、样品的透明度与厚度、曝光的时间、底片的冲洗等问题 。

LiNdP_4O_(12)晶体的生长缺陷

LiNdP4 O12 (LNP)晶体是一种新型的激光材料。本文报道了用同步辐射X射线白光形貌术和光学显微法研究由助熔剂籽晶旋转法生长的LNP晶体的生长缺陷 ,观察到了圆形生长台阶及精细的系列台阶结构 ,对晶体中的包裹物和位错缺陷等进行了详细的观察描述 ,还发现了一种比较奇特的腐蚀沟槽 ,分析了这种腐蚀沟槽的形成机理及各种缺陷的成因和克服办法。

利用原子力显微镜研究KTiOAsO_4晶体的铁电畴

利用原子力显微镜研究了KTiOAsO4 晶体的铁电畴 ,发现了这一实验方法的诸多特点 ,如放大倍数高 ,可以得到晶体表面的定量信息等 ,得到了KTiOAsO4 晶体铁电畴的原子力显微镜照片 ,并结合化学腐蚀光学显微法的实验结果进行了研究。最后对铁电畴的机制与消除进行了理论讨论。

Multisim中虚拟仪器的使用方法

本文介绍了电路仿真软件Multisim的功能和特点。并结合电路实例重点介绍了软件中虚拟示波器和波特图仪在模拟电路实验中的使用方法。

Multisim中虚拟仪器的使用方法

本文介绍了电路仿真软件Multisim的功能和特点 ,并结合电路实例重点介绍了软件中虚拟示波器和波特图仪在模拟电路实验中的使用方法。

利用同步辐射形貌术研究晶体缺陷的实验方法探讨

利用同步辐射X射线形貌术研究晶体缺陷．是近年来发展起来的一种优良的实验方法．本文在研究LNP等晶体缺陷的同时，对这种实验方法进行了系统的探讨，讨论了散射光的消除、焦距的选择、样品的透明度与厚度、曝光的时间、底片的冲洗答问题．以及在缺陷研究中对晶体衍射的劳厄斑点的选取依据．

触摸屏技术及其应用发展趋势

首先介绍了触摸屏的特点，并由此对触摸屏技术的基本原理及其应用进行了较详细的讨论，最后指出了触摸屏技术的发展趋势.

利用原子力显微镜研究KTiOAsO4晶体的铁电畴

利用原于力显微镜研究了KTiOAsO4晶体的铁电畴，发现了这一实验方法的诸多特点。如放大倍数高，可以得到晶体表面的定量信息等，得到了KTiAsO4晶体铁电畴的原于力显微镜照片，并结合化学腐蚀光学显微法的实验结果进行了研究。最后对铁电畴的机制与消除进行了理论讨论。