微冻罗非鱼片贮藏保质期预测研究

研究真空包装罗非鱼片在-4,2,8℃下的品质变化;测定pH、电导率、Aw和TVB-N随贮藏时间变化的规律;确定用电导率值作为指示罗非鱼品质变化及保质期终点的指标;建立电导率与贮藏时间的一级动力学方程、电导率变化速率常数与贮藏温度间的Arrhenius方程。其中电导率反应活化能Ea=120.28kJ/mol,指前因子k0=4.35×1021。并通过试验得出当电导率达5.55ms/cm时即为鱼片保质期的终点。

铁电薄膜在热-电-力耦合场下的本构模型

为了更好地描述铁电薄膜在外场下的非线性畴变行为,该文提出了铁电薄膜在热-电-力耦合场下的本构模型。该模型基于细观力学模型,认为电畴自由能的改变提供电畴翻转的动力。在铁电材料的本构关系中加入了铁电薄膜制备过程中产生的残余应变项,以便描述铁电薄膜材料在外加热-电-力耦合场下的非线性行为。模型的理论计算结果与实验结果相符,并与其他模型中的计算结果一致。

退火温度对Bi_(3.15)(Eu_(0.7)Nd_(0.15))Ti_3O_(12)铁电薄膜力学性能的影响

利用金属有机物分解法(MOD)在Pt/Ti/SiO2/Si(111)衬底上制备了Bi3.15(Eu0.7Nd0.15)Ti3O12(BENT)薄膜,并经600℃、650℃、700℃、750℃退火处理。通过纳米压痕法测试了薄膜的硬度和弹性模量,采用X射线衍射(XRD)测量了薄膜的残余应力。BENT薄膜的晶粒尺寸随着退火温度的升高而不断变大。当晶粒尺寸从37 nm增大到46 nm时,薄膜的硬度值从8.4 GPa减少到3.1 GPa,弹性模量从171.5 GPa减小到141.6 GPa。随着退火温度从600℃升高到750℃时,薄膜的残余压应力值从–743 MPa减小到了–530 MPa。退火温度为600℃的BENT薄膜具有最大的硬度和弹性模量。

有限厚度模型校准二维MoS_(2)的Bimodal-AFM杨氏模量测量

二维材料因其独特的晶体结构、新奇的物理特性和优异的力学性能,在微纳机电系统、柔性电子器件等诸多领域有着广阔的应用前景.弹性模量是二维材料的基本力学特性参量之一,对其器件应用及应变调控有重要影响.受限于二维结构和原子级厚度特征,难以实现二维材料弹性模量的精确测量.双模原子力显微镜的振幅调制-频率调制模式是一种高效测量二维材料杨氏模量的方法,但刚性衬底对测量结果的影响不可忽视.本工作通过双模原子力显微镜直接测得衬底与二维硫化钼的杨氏模量分布图,并基于有限厚度模型对衬底效应进行修正,得到了样品的本征杨氏模量值.利用第一性原理计算得到了二维二硫化钼的弹性系数和杨氏模量,对比发现实验和计算结果相当.这说明双模原子力显微镜测量是一种可靠的二维材料杨氏模量直接测试方法,且该方法无需制备悬空二维材料等繁琐步骤,避免了常规测试中的不足.本工作为大面积二维材料薄膜力学性能的程序化测试分析以及高通量力学实验数据的统计分析提供了可靠的实验基础.

医院药学工作中合理用药的重要性

药物对于医院有着重要的作用，医生能否合理用药直接决定了患者的治疗效果。医院药师在规范合理用药过程中的作用是无法取代的，药师能够结合药动学、药效学、药物化学、药剂学等多个学科的来引导医师用药，改善患者的药物治疗效果。本文重点分析了医院药学工作中合理用药的问题。

不同角度晶界对单层多晶二硫化钼摩擦性能的影响

目的考察不同角度晶界对单层多晶二硫化钼纳米片摩擦性能的影响,并探究其摩擦耗散机理。方法用化学气相沉积法(CVD)制备单层多晶二硫化钼(MoS2),通过原子力显微镜力曲线测试和摩擦力实验,分别得出无晶界区域和晶界处的粘附力、摩擦系数、摩擦耗散。结果对于单层多晶MoS2,无晶界区域粘附力为7.20 nN,不同角度晶界处粘附力为11.11nN至11.40 nN。无晶界区域及−6°、33°、88°晶界区域(400 nm×400 nm)摩擦系数分别为0.00619、0.00645、0.00737和0.01760。在30~150 nN法向载荷范围内,探针经过无晶界区域产生的摩擦耗散变化范围为33.93×10^−16~46.88×10^−16 J,−6°晶界区域为37.15×10^−16~52.09×10^−16 J,33°晶界区域为38.76×10^−16~55.18×10^−16 J,88°晶界区域为46.59×10^−16~59.72×10^−16 J。结论晶界处吸附的极性粒子加强了探针与MoS2表面的相互作用,使得晶界处的粘附力比无晶界区域的大,但晶界角度对粘附力的影响不大。在一定测试范围内,晶界区域的摩擦系数要比无晶界区域的摩擦系数大,并随晶界角度增加而增大,摩擦过程中晶界区域产生的摩擦耗散也比无晶界区域多。晶界角度的不同可能会造成晶界处的弯曲刚度存在差异,从而探针滑移经过不同角度晶界时导致不同程度的褶皱效应。并且随着法向载荷的增大,探针在MoS2表面引起的面内变形程度越来越高,这样会引起表面褶皱效应,从而导致摩擦过程中产生的能量耗散随晶界角度和法向载荷增大而增加。

基于导电原子力显微镜的单根GaN纳米带光调控力电耦合性能

利用导电原子力显微镜技术研究了单根GaN纳米带在光调控下的力电耦合性能.首先使用化学气相沉积法制备出结晶性良好的GaN纳米带,然后将GaN纳米带分散到高定向热解石墨基底上,利用探针作为微电极构成基于单根GaN纳米带的两端结构压电器件.通过改变探针加载力的大小和引入外加光源调控GaN纳米带的电流输运性能,对单根GaN纳米带在光调控下的力电耦合性能变化规律进行研究.研究发现,在有光条件下单根GaN纳米带整流开关比明显增大,随着加载力的增大,单根GaN纳米带电流响应值增大但整流特性减弱.最后,基于压电电子学和光电导效应理论,通过分析肖特基势垒在加载力及光照作用下的变化规律解释了实验现象.

MoS_(2)的摩擦起电及充电特性研究

二维二硫化钼(2D MoS_(2))由于其优越的电学、光学和压电性能,使其在未来电子器件领域被广泛关注.该文利用AFM接触模式和SKPM,在纳米尺度上,测试CVD制备多层MoS_(2)的隧道摩擦起电和充电特性.通过AFM接触模式,在75 nN的法向载荷力下,用Pt导电探针摩擦MoS_(2)样品的1μm×1μm正方形区域,同时使硅基底接地.然后通过SKPM,对以摩擦区域为中心的5μm×5μm正方形区域的接触电势进行成像.最后以上述方式,依次在A、B、C区域进行摩擦起电测试.研究结果表明:MoS_(2)不仅具有摩擦起电特性,而且表现出摩擦其他区域,可以对初始区域充电的现象.因此,可以利用MoS_(2)的摩擦起电特性和充电现象,指导构建一类新的基于2D MoS_(2)纳米电子器件和摩擦电子学功能器件的应用.

热轧温度对Cu-2.7Be合金腐蚀行为影响

为探究热轧温度对Cu-2.7Be合金耐蚀性及显微组织的影响,研究不同热轧温度(680、730、780、830℃)下Cu-2.7Be合金在质量分数为5%的NaCl盐雾环境中的电极电位、表面形貌和耐蚀性演变规律。结果表明:随温度升高,Cu-2.7Be合金的耐蚀性降低,自腐蚀电流密度升高,容抗弧直径减小,电荷交换阻抗减少,降低了Cu-2.7Be合金的耐蚀能力。

建筑企业工程造价管理

随着十四五计划慢慢推进,十三五计划即将完成,我国对工程建设的需求仍在继续,科学的管理工程项目已经迫在眉睫,不仅仅需要更多专业技术人员,而且需要科学的管理方法。工程科学管理主要有:“三控”“三管”“一协调”。“三控”具体指:成本、质量、工期。“三管”具体指:信息、安全、合同。“一协调”具体指:组织协调。“成本”主要体现在“全寿命期、全要素、全方位、全过程”管理,“成本”管理是重中之重。由此引出工程造价科学管理理念。