连续脑电监测在成人重症颅脑损伤后意识障碍康复诊疗中的作用

目的:通过总结分析成人重症颅脑损伤后意识障碍患者的临床资料及连续脑电监测结果,探讨连续脑电监测在重症颅脑损伤后意识障碍康复诊疗中的应用价值。方法:收集符合标准的成人重症颅脑损伤后意识障碍患者106例,应用动态脑电设备进行连续脑电监测,依照Young氏分级标准对患者的脑电结果进行EEG分级,并结合脑电反应性检查及相关临床资料,采用Spearman秩相关分析方法和χ^2检验进行回顾性分析。结果:①106例成人重症颅脑损伤患者昏迷、持续植物状态、微弱意识状态等意识障碍类型,与不同脑电分级具有负相关性(r=-0.253),其相关性具有显著性意义(P<0.05)。②意识障碍转归的包括好转、无改善、恶化及患者死亡,与不同脑电分级具有正相关性(r=0.327),其相关性具有显著性意义(P<0.01)。③脑电反应性检查与意识障碍预后转归结果显示,有脑电反应意识障碍患者预后转归优于无反应者,其差异具有显著性意义(P<0.01)。④意识障碍康复治疗中发作性事件的性质判定,连续脑电监测可提供诊断依据。结论:连续脑电监测有助于判断重症颅脑损伤后患者意识障碍类型、判定发作性事件性质和评估预后,具有重要临床价值。

长程视频脑电图在癫癇诊断与鉴别诊断中的作用

目的评价长程视频脑电图对癫癇和非癫癇发作性疾病的诊断价值。方法对因发作性事件就诊并拟诊为癫癇或可疑癫癇的279例患者的长程视频脑电图资料进行回顾分析。结果 279例患者中122例(43.73%)长程视频脑电图监测到临床发作,其中84例可见发作期同步样放电而确诊为癫癇发作,38例发作期无同步样放电而确诊为非癫癇发作;157例(56.27%)未监测到临床发作,其中102例可见发作间期样放电。监测到发作期或发作间期样放电的188例患者中97例明确癫癇发作类型,其中75例进一步确定为癫癇综合征。结论长程视频脑电图在癫癇的诊断、分型及其与非癫癇发作性疾病的鉴别诊断中具有重要临床价值。

创业风险投资产业和高技术产业共生模式研究

以生态共生理论为基础,用创业风险投资额和高技术产业产值为主质参量,构建了创业风险投资与高技术产业共生度模型,提出了基于共生度分析的创业风险投资和高技术产业共生模式的评判标准,对我国创业风险投资和高技术产业共生模式进行了实证研究。结果表明,我国创业风险投资与高技术产业经历了寄生和非对称互惠共生两个阶段,将向正向对称互惠共生方向发展。预测了形成对称互惠共生的时间,得到了对称互惠共生的条件组合关系。

基于多米诺骨牌理论的金融风险传导机制研究

以多米诺骨牌理论为基石,从风险源、风险流和风险载体三个要素出发,构建解释结构模型,阐述了此次金融危机的风险传导机制,试图分析基准利率上升和房地产价格下跌是如何通过多米诺骨牌效应传导至美国实体经济的。

集成创新系统模型及指标体系的构建

系统论为产品-产业-区域集成创新提供了一个新的理论依据,大量相关的企业、社会组织和机构通过专业化的社会网络在空间上的集中,以创新、合作、竞争为基础形成动力机制与路径依赖,最终形成集成创新系统。为了使集成创新系统更具有可操作性,构建了产品-产业-区域集成创新系统的指标体系,对数据进行标准化处理,并结合硅谷和剑桥的案例,分析对比了两个高新技术园区的优势和劣势。

重离子注入GaAs辐照损伤研究

利用4.5 MeV的氪离子(Kr^(17+))辐照(100)晶向本征未掺杂和高掺锌(P型)、(100)和(110)混合晶向的高掺硅(N型)砷化镓(GaAs)半导体材料,辐照注量为1×10^(12)～3×10^(14)cm^(-2),测试辐照后材料的拉曼光谱。随着辐照注量增大,材料的纵向光学(longitudinal optical,LO)声子峰向低频方向移动,出现了明显的非对称展宽,并且N型样品辐照后,晶体结构损伤要大于P型与本征未掺杂样品。3种类型样品的LO峰频移随辐照损伤的变化趋势一致,研究表明,掺杂元素不影响材料本身的晶体结构,可能是因为混合晶向的生长方式导致辐照后N型GaAs结构稳定性变差。

我国风险投资产业和高技术产业集群共生模式演化研究

以共生模式理论为指导,分析了我国风险投资产业和高技术产业集群共生模式。研究表明:我国风险投资产业和高技术产业集群共生模式经历了寄生和点共生、偏利共生和间歇共生、非对称性互惠共生和连续共生的演化过程,认为连续性对称互惠共生是最有效率、最具凝聚力且最稳定的一种状态,是共生模式的优化目标,要通过技术创新和制度创新促进我国风险投资产业和高技术产业集群共生模式优化。

基于共生界面的风险投资产业和高技术产业集群共生模式研究

根据共生界面的系统平均非对称分配因子、能量使用选择系数、阻尼特征系数三个重要参数,结合风险投资产业和高技术产业集群共生进行系统研究。建立了这三个参数的定量分析模型,分析了它们对风险投资产业和高技术产业集群共生模式的影响。研究表明,随着系统平均非对称分配因子的减小,共生关系在行为方式上从寄生向偏利共生、再向非对称性互惠共生转变,最终形成理想的对称性互惠共生。能量使用选择系数越大,说明共生系统的组织模式倾向于点共生;反之,则倾向于一体化共生。阻尼系数越大,共生组织模式越偏向于点共生;反之,则向一体化共生方向进化。

He^(2+)注入六方SiC晶体损伤效应的拉曼光谱研究

利用拉曼光谱研究了He^(2+)注入六方SiC晶体样品时的损伤缺陷随注量的变化关系,并采用直接碰撞/缺陷模拟模型与多级损伤累积模型,模拟了室温及723,873,1023K下晶体样品的无序度随注量的变化关系。测试结果表明:随着注量的增加,晶体样品无序度增大,样品的拉曼特征峰强度减小。

Xe离子辐照导致InGaN薄膜化学组分与表面形貌的变化

在室温和773 K下,使用能量为5 MeV,注量为3×10^(13),6×10^(13)cm^(-2)的Xe离子辐照了不同组分的In_(x)Ga_(1-x)N(x=0.32,0.47,0.7,0.8,0.9,1.0)薄膜。利用X射线光电子能谱和光学显微镜对辐照前后薄膜的化学组分和表面形貌进行了表征。结果表明,Xe离子辐照造成了In_(x)Ga_(1-x)N薄膜的辐射分解和表面氧化,氧化程度随In组分x的增加而增强。与室温下的离子辐照相比,在773 K温度下进行辐照时,薄膜中辐照缺陷的积聚速率明显减慢;但当离子注量从3×10^(13)cm^(-2)增加至6×10^(13)cm^(-2)时,薄膜的损伤速率显著加快。与富Ga组分的In_(x)Ga_(1-x)N(x<0.5)薄膜不同,富In组分的薄膜在Xe离子辐照后发生了起皮和剥落现象,表现出明显较差的抗辐照能力。

国外风险投资产业和高技术产业集群共生模式比较研究

本文从风险投资产业和高技术产业集群共生的发展特点、企业体制、创新特征、环境氛围、宏观政策等五个方面对美国、英国、以色列三国进行比较分析;从共生密度、共生界面、共生行为模式和共生组织模式等方面对三国的风险投资产业和高技术产业共生关系进行了评判。对我国风险投资产业和高技术产业集群共生模式发展具有指导意义。

基于EPID宫颈癌IMRT验证的不同Gamma通过率参数影响分析

目的:使用Varian非晶硅电子射野影像系统(EPID)对80例宫颈癌术后患者的放疗计划进行Gamma通过率验证,分析不同机架角度、两台同型号加速器间Gamma通过率的差异;探讨3种参数设置对Gamma通过率的影响,为计划验证提供理论依据。方法:对每一患者制定7野均分治疗计划并创建验证计划,在两台相同型号的Varian Unique(1、2)加速器上进行验证并获取验证图像;通过Portal Dosimetry(PD)软件获得不同参数设置(标准剂量差异与距离符合度)下的Gamma通过率,对其进行统计学分析。结果:参数设置分别为PD_Global/PD_Local 1%/1 mm、2%/2 mm、3%/3 mm,剂量阈值10%。(1)当参数为PD_Global(2%/2 mm、1%/1 mm)时,Gan=0°的Gamma通过率优于其他角度;Gan=104°、256°的Gamma通过率低于其他角度(P<0.05)。参数为PD_Local(3%/3 mm、2%/2 mm、1%/1 mm)时,Gan=0°的Gamma通过率低于其他角度(P<0.05)。(2)参数为PD_Global 1%/1 mm、PD_Local 1%/1 mm时,Unique-2的Gamma通过率高于Unique-1(P<0.05)。结论:严格的参数设置能够体现机架角度、加速器性能等对Gamma通过率的影响;针对不同部位的肿瘤需要加入相关的分析条件。为提高放疗的精确性,物理师需要增加对射野影像装置、机架角位移、多叶准直器到位精度等设备参数的检测频率,并通过大量数据的累积与临床相结合,制定更严格的Gamma通过率参数与限值。

固体超强酸催化制备小分子羟基硅油工艺研究

以六甲基环三硅氧烷(D3)为原料,在催化剂作用下通过开环、缩聚及水解反应制备小分子羟基硅油。研究了催化剂种类、催化剂用量、反应温度、脱低温度及催化剂重复使用性等工艺参数对产品收率及品质的影响。结果表明:相对于其它种类的催化剂而言,S2O82-/ZrO2-NiO催化制备的产物综合性能最佳;其最佳的工艺条件为:S2O28-/ZrO2-NiO质量用量为2%,反应温度为40℃,脱低温度为115℃,此时小分子羟基硅油的羟值为9.13%,产率可达87.2%。催化剂经重复使用3次及再生后仍具有较高的催化活性。

甲基氯硅烷生产过程中安全要素分析及对策

介绍了国内现有"直接法"生产甲基氯硅烷单体生产工艺流程、主要原料及单体性质,针对生产流程长、过程控制难度大,所用原料、中间产品、副产品及产品多属于易燃易爆危险化学品特点,分析了生产过程中原料以及单元生产时易发生安全事故的环节,并据此提出了相应的安全防治措施,以消除安全隐患、提高企业安全环保管理水平。

兰陵四季温室辣椒单行U型双干整枝高效栽培技术

山东省兰陵县四季温室又称新阴阳型日光温室,无后墙,内部空间大,适宜机械化操作,土地利用率比传统阴阳型温室提高20百分点。利用该类型温室栽培早春茬辣椒,并配合单行U型双干整枝技术,辣椒产量比传统种植方式增加46.4%,收益增长30%以上。

端羟基聚醚型三乙氧基硅烷偶联剂合成工艺研究

以烯丙基聚醚、三乙氧基硅烷为主要原料,氯铂酸为催化剂,通过硅氢加成反应合成端羟基聚醚基三乙氧基硅烷。研究了原料配比、催化剂用量、烯丙基聚醚相对分子质量及反应温度对反应转化率的影响。结果表明当采用相对分子质量为600的烯丙基聚醚,n(APEG)/n(TES)为1.1、催化剂用量为15mg/L及反应温度为70℃时,反应体系转化率可达100%。最后采用红外光谱对产物端羟基聚烷氧基三乙氧基硅烷(HPTES)结构进行表征。

甲基高含氢硅油生产工艺研究进展

甲基高含氢硅油是一种重要的有机硅产品。本文重点介绍了国内外采用共水解法工艺生产高含氢硅油的研究进展,并对该工艺生产高含氢硅油普遍存在异味重、氯离子高、返酸、产品中含有凝胶物质、氢值低以及透光率低等因素进行了分析讨论,最后提出了实现高含氢硅油绿色生产工艺的改进方向。

2种一氯甲烷生产工艺的对比

介绍了甲醇氢氯化催化合成一氯甲烷气固相法(固相法)和气液相法(液相法)2种生产工艺方法,简述了2种工艺流程、相同点与不同点,分析了各自对反应控制的要求,通过对反应参数、投资、生产成本等方面的比较,并阐述各自优势和缺点。认为采用固相法或液相法时应考虑原料配套情况、运管水平、环境保护要求等因素。

H-ion Irradiation-induced Annealing in He-ion Implanted 4H-SiC

Radiation-induced defect annealing in He+ ion-implanted 4H-SiC via H+ ion irradiation is investigated by Raman spectroscopy. There are 4H-SiC wafers irradiated with 230 keV He+ ions with fluences ranging from cm?2 to cm?2 at room temperature. The post-implantation samples are irradiated by 260 keV H+ ions at a fluence of cm?2 at room temperature. The intensities of Raman lines decrease after He implantation, while they increase after H irradiation. The experimental results present that the magnitude of Raman line increment is related to the concentration of pre-existing defects formed by He implantation. A strong new peak located near 966 cm?1, which is assigned to 3C-SiC LO () phonon, is found in the He-implanted sample with a fluence of cm?2 followed by H irradiation. However, for the He-implanted sample with a fluence of cm?2 followed by H irradiation, no 3C-SiC phonon vibrations are found. The detailed reason for H irradiation-induced phase transformation in the He-implanted 4H-SiC is discussed.

水解物中残余氯的高效去除工艺研究

以残余氯质量分数约1 000×10^(-6)的二甲基二氯硅烷水解物为原料,采用离心萃取机作为强化水解物中残余氯去除效果的装置,研究了水洗温度、叶轮直径、水解物与水的体积比、水解物进料流量等对残余氯去除效果的影响。结果表明,在水洗温度95℃、叶轮直径50 mm、水解物与水的体积比0.3∶1、水解物进料量90 m L/min的条件下,采用离心萃取机通过一次水洗可将水解物中残余氯质量分数控制在3×10^(-6)以内。