深亚微米大容量PROM芯片ESD保护技术

从全芯片角度出发,采用多电源ESD架构和全芯片ESD设计,对整颗芯片提供全方位的ESD保护,介绍了基于0.18μm CMOS工艺设计的大容量PROM芯片的ESD设计技术。同时,通过对高压编程引脚的ESD加固设计,提高了芯片的整体抗ESD能力。最终产品ESD测试满足项目要求。

栅氧厚度对PROM中存储单元性能影响仿真

研究了栅氧厚度对反熔丝PROM中存储单元性能的影响。通过改变仿真模型中栅氧层的厚度,研究了存储单元的击穿电阻等的性能的变化趋势。仿真结果表明,栅氧厚度减薄可有效提升存储单元的读取速度,但会降低晶体管的可靠性和使用寿命。