热中子透射成像转换屏物理设计研究

中子像转换屏是热中子透射成像技术的关键部件,中子像转换屏的参数严重影响空间分辨率和热中子-光子转化效率两方面的特性。采用Geant4程序模拟热中子透射成像的物理过程及透射光子二维图像,建立了基于LiF(ZnS)和LiF(GOS)像转化屏的热中子透射成像模拟模型和Siemens star像指示器模型,利用线扩散函数(Line Spread Function,LSF)计算空间位置分辨率,获得热中子像转化屏厚度与空间位置分辨率、中子-光子转换效率的关系。基于兰州大学紧凑型D-D中子源的热中子透射成像系统参数,推荐选取LiF(GOS)像转化屏的厚度为40μm,LiF(ZnS)像转化屏厚度应选取80μm,热中子透射成像空间分辨率分别可达到45μm和63μm,为基于紧凑型D-D中子源的热中子透射成像系统的研发奠定了技术基础。此外,本工作得到的LiF(GOS)、LiF(ZnS)像转化屏优化参数同样适用于其他热中子成像装置,可为热中子透射成像系统的搭建提供了技术参考。

中国房地产税对房价影响的可行性分析

近年来,由于社会对房地产业的投资过热及房地产商的垄断等原因,我国房价一路升温,居高不下。而房地产税作为国家宏观调控价格的税收手段,对抑制房价过高的作用不可小觑。文章综合目前我国房地产税的特点,从投机性购房者、计量模型和公共服务设施三个角度出发,利用模型进行房地产税对房价影响的可行性进行分析,得出"提高房地产税能抑制房价上涨"的结论。同时,通过具体分析提出三个方面的可行性建议:制定法律,统一税收;规范收费,优化市场结构;完善登记制度,加强地方财政建设。

SiC双沟槽MOSFET器件的单粒子烧毁效应仿真研究

SiC双沟槽MOSFET器件在重离子入射条件下易发生单粒子烧毁(SEB)效应。本工作采用TCAD程序模拟计算器件内部漏极电流、电流密度、晶格温度、碰撞电离、功率密度等物理量的空间分布,评价漏源电压对SEB效应的影响。根据模拟结果得到,入射离子在器件内部形成的瞬态电流源开启寄生双极晶体管,较高的漏源电压维持了器件内部的雪崩效应,器件的正反馈机制被建立,产生的瞬态大电流导致器件发生热损坏。因此,SiC双沟槽MOSFET器件发生SEB效应的主要成因是器件内寄生双极晶体管导通和正反馈机制的建立。此外,本工作评价给出了强电场对碰撞电离、晶格温度以及功率密度分布的影响,揭示了功率密度的峰值区域与晶格温度的峰值区域对应一致的原因,为SiC双沟槽MOSFET器件的抗核加固技术提供了数据支持。

厚靶低中能^(9)Be(d,xn)反应加速器中子源特性研究

利用PHITS程序评价计算了厚靶^(9)Be(d,xn)反应加速器中子源的能谱和角分布数据,重点讨论了JQMD、INCL和INCL/DWBA三种核反应物理模型计算厚靶^(9)Be(d,xn)反应中子辐射场分布的适用性。研究结果显示,基于INCL/DWBA耦合模型的PHITS程序计算所得到的厚靶^(9)Be(d,xn)反应中子能谱和角分布数据能够较好地与实验数据符合,可以为厚靶^(9)Be(d,xn)反应中子源特性研究及应用提供较为准确的中子辐射场数据。此外,设计了水冷大面积旋转铍靶的方案,并在5~25 MeV/5 mA入射氘能量下条件下,开展了靶面温度模拟研究,结果显示,靶面最高温度可控制在100℃以下。