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稀土Sm_2O_3对WCoB-TiC复相陶瓷组织的影响 被引量:1
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作者 徐超 潘应君 +1 位作者 彭骏松 张改璐 《武汉科技大学学报》 CAS 2014年第1期36-39,共4页
以WC、TiB2、Co粉末为基本原料,添加稀土Sm2O3为抑制剂,采用真空液相反应烧结技术制备WCoBTiC复相陶瓷材料,利用XRD、SEM和EDS对其微观形貌和相组成进行表征。结果表明,添加一定量稀土Sm2O3后,WCoB-TiC复相陶瓷晶粒细小且分布均匀,晶粒... 以WC、TiB2、Co粉末为基本原料,添加稀土Sm2O3为抑制剂,采用真空液相反应烧结技术制备WCoBTiC复相陶瓷材料,利用XRD、SEM和EDS对其微观形貌和相组成进行表征。结果表明,添加一定量稀土Sm2O3后,WCoB-TiC复相陶瓷晶粒细小且分布均匀,晶粒的长大得到抑制;随着稀土Sm2O3的过量加入,复相陶瓷中有棒状晶粒出现,晶粒有粗化的趋势。在1400℃下烧结时,当Sm2O3添加量为0.3%时,制成的WCoB-TiC复相陶瓷材料密度达到10.01g/cm3,硬度HRA达到91。 展开更多
关键词 WCoB-TiC复相陶瓷 稀土Sm2O3 晶粒长大抑制剂 RARE earth Sm2 O3
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PCVD法制备Fe-6.5%Si高硅钢片的工艺研究 被引量:5
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作者 周磊 潘应君 +2 位作者 徐超 彭骏松 张改璐 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期88-90,共3页
为制备Fe-6.5%Si高硅钢片,先利用PCVD技术在0.2 mm厚的纯铁片表面沉积硅,再进行高温扩散。通过正交实验分析了沉积硅的工艺参数对表层硅含量的影响,并研究了扩散参数对截面硅含量分布的影响。结果表明:以10%SiH4+90%Ar作为渗源气,在500... 为制备Fe-6.5%Si高硅钢片,先利用PCVD技术在0.2 mm厚的纯铁片表面沉积硅,再进行高温扩散。通过正交实验分析了沉积硅的工艺参数对表层硅含量的影响,并研究了扩散参数对截面硅含量分布的影响。结果表明:以10%SiH4+90%Ar作为渗源气,在500℃下沉积20 min,所得样品的表层硅含量高达40.5%;然后在工业纯氢气的保护下,于1050℃保温60 min,可获得满足要求的Fe-6.5%Si高硅钢片。 展开更多
关键词 PCVD 6 5%Si硅钢片 渗硅 扩散处理
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