期刊文献+
共找到16篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
激光化学气相沉积快速生长高取向TiN_x薄膜的研究 被引量:5
1
作者 公衍生 涂溶 後藤孝 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期391-395,共5页
采用激光化学气相沉积(LCVD)技术在氧化铝衬底上制备了高取向的TiNx薄膜,重点研究了激光功率(PL)、衬底预热温度(Tpre)和沉积总压力(Ptot)对薄膜取向和沉积速率的影响,采用X射线衍射(XRD)、俄歇能谱(AES)和场发射扫描电镜(FESEM)对薄膜... 采用激光化学气相沉积(LCVD)技术在氧化铝衬底上制备了高取向的TiNx薄膜,重点研究了激光功率(PL)、衬底预热温度(Tpre)和沉积总压力(Ptot)对薄膜取向和沉积速率的影响,采用X射线衍射(XRD)、俄歇能谱(AES)和场发射扫描电镜(FESEM)对薄膜组成和结构进行了表征.结果表明:所得到的TiNx薄膜成分均匀,其取向与衬底预热温度有关,随着预热温度的升高,TiNx薄膜的取向由(111)变为(200),薄膜的取向与其微观结构一致.TiNx薄膜的沉积速率随着激光功率升高而增大,在PL=100W时,达到最大值90μm/h(沉积面积为300mm2),显著高于采用其它方法制备的TiNx薄膜. 展开更多
关键词 TiNx薄膜 快速生长 取向 激光化学气相沉积(LCVD)
下载PDF
Mg掺杂对二钛酸钡(BaTi_2O_5)的介电性能的影响 被引量:1
2
作者 岳新艳 茹红强 +1 位作者 涂溶 《材料与冶金学报》 CAS 2009年第3期202-204,共3页
采用电弧熔炼法成功制备了b轴取向的MgO置换二钛酸钡(BaTi2O5)多晶体Ba1-xMgxTi2O5,结果表明,MgO的置换显著增大了多晶体Ba1-xMgxTi2O5介电常数的数值,当MgO的置换量x为0.005时电弧熔炼法制得的多晶体Ba1-xMgxTi2O5的介电常数出现最大值... 采用电弧熔炼法成功制备了b轴取向的MgO置换二钛酸钡(BaTi2O5)多晶体Ba1-xMgxTi2O5,结果表明,MgO的置换显著增大了多晶体Ba1-xMgxTi2O5介电常数的数值,当MgO的置换量x为0.005时电弧熔炼法制得的多晶体Ba1-xMgxTi2O5的介电常数出现最大值为3 250.多晶体Ba1-xMgxTi2O5的居里温度随着MgO的添加量的增加而有所降低. 展开更多
关键词 BaTi2O5 MGO 多晶体 电弧熔炼法 介电性能
下载PDF
旋转CVD技术及其在陶瓷粉体担载纳米粒子催化剂制备中的应用 被引量:1
3
作者 张建峰 涂溶 後藤孝 《现代技术陶瓷》 CAS 2016年第3期179-189,共11页
担载型纳米粒子催化材料通常是指将金属或金属氧化物活性相以纳米粒子的形式分散到惰性担载陶瓷粉体表面而形成的复合粉体材料。提高纳米粒子催化材料的分散均匀性是获得高催化性能的关键。传统的溶胶-凝胶法、浸润法等处理步骤冗长,易... 担载型纳米粒子催化材料通常是指将金属或金属氧化物活性相以纳米粒子的形式分散到惰性担载陶瓷粉体表面而形成的复合粉体材料。提高纳米粒子催化材料的分散均匀性是获得高催化性能的关键。传统的溶胶-凝胶法、浸润法等处理步骤冗长,易导致纳米粒子的团聚长大,降低催化效果。流化床化学气相沉积方法则比较适合处理粒径在40mm^500mm的担载粉体。本文着重介绍了粉体旋转化学气相沉积技术的原理,并以镍纳米粒子为例阐述了这种技术的相关应用。采用旋转化学气相沉积技术,在六方氮化硼(hBN)、立方氮化硼(cBN)、氧化铝(Al_2O_3)、氧化硅(SiO_2)等粉体表面沉积(包覆)了镍纳米粒子,显示出了优越的催化性能。本文同时分析了旋转化学气相沉积技术存在的问题及未来的研究前景。 展开更多
关键词 旋转化学气相沉积技术 纳米粒子催化材料 均匀分散
下载PDF
脉冲激光沉积b轴取向BaTi2O5薄膜的研究
4
作者 王传彬 涂溶 +2 位作者 後藤孝 沈强 张联盟 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期553-556,共4页
采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在MgO(100)基片上制备了b轴取向的BaTi_2O_5薄膜,研究了基片温度(T_(sub))、氧分压(Po_2)等沉积工艺对薄膜结构的影响.结果表明:BaTi_2O_5薄膜的物相及取向性都随基片温度和氧分压的改变而变化,薄膜呈现(710)... 采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在MgO(100)基片上制备了b轴取向的BaTi_2O_5薄膜,研究了基片温度(T_(sub))、氧分压(Po_2)等沉积工艺对薄膜结构的影响.结果表明:BaTi_2O_5薄膜的物相及取向性都随基片温度和氧分压的改变而变化,薄膜呈现(710)或(020)取向生长,最佳的PLD沉积条件为T_(sub)=700℃和Po_2=12.5Pa.在该条件下,BaTi_2O_5薄膜表现出明显的b轴取向,薄膜表面平整光滑,结晶良好,晶粒呈棒状交叉分布,结合紧密. 展开更多
关键词 BaTi2O5薄膜 b轴取向 基片温度 氧分压
下载PDF
PbTe热电材料的氧化行为
5
作者 涂溶 陈立东 +1 位作者 後藤孝 平井敏雄 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第6期636-639,共4页
研究了热电材料PbTe在高温(700~900K)、氧分压为0.01~100kPa时的氧化行为发现氧化物均为Pb—D—O的三元化合物且随温度及氧分压的变化有规律地分布在高温低氧分压条件下,试样质量减少,生成Pb3TeO5或者Pb5TeO7;而在低温高氧分压... 研究了热电材料PbTe在高温(700~900K)、氧分压为0.01~100kPa时的氧化行为发现氧化物均为Pb—D—O的三元化合物且随温度及氧分压的变化有规律地分布在高温低氧分压条件下,试样质量减少,生成Pb3TeO5或者Pb5TeO7;而在低温高氧分压条件下,试样质量增加,生成PbTeO3或者PbTeO3/Pb2TeO4. 展开更多
关键词 高温氧化 热电材料 碲化铅
下载PDF
钢表面化学气相沉积TiC晶体的择优取向 被引量:3
6
作者 郭成言 後藤孝 平井敏雄 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1992年第7期B323-B327,共5页
本文用化学气相沉积(CVD)法,以TiCl_4-CH_4-H_2为原料气体,在不锈钢表面获得了致密的TiC膜.研究了TiC的成膜速度、表面形貌和晶体择优取向与沉积条什的关系.结果表明,沉积温度T_(dep),碳钛比CH_4/TiCl_4强烈地影响了TiC的成膜速度、表... 本文用化学气相沉积(CVD)法,以TiCl_4-CH_4-H_2为原料气体,在不锈钢表面获得了致密的TiC膜.研究了TiC的成膜速度、表面形貌和晶体择优取向与沉积条什的关系.结果表明,沉积温度T_(dep),碳钛比CH_4/TiCl_4强烈地影响了TiC的成膜速度、表面形貌和晶体择优取向.CH_4/TiCl_4低时,TiC晶体的择优取向为(220):而CH_4/TiCl_4高时,TiC晶体的择优取向为(200).TiC晶体的择优取向主要取决于气氛中活性碳的平衡浓度。 展开更多
关键词 择优取向 成膜速度 TiC膜 不锈钢
下载PDF
二氧化硅包覆活性氧化铝粉体的制备及高温相变行为研究
7
作者 蒋豪丽 刘瑞婷 +2 位作者 张建峰 韩晓莉 後藤孝 《河南科学》 2021年第12期1920-1927,共8页
γ-Al_(2)O_(3)具备高分散度、高比表面积和良好的吸附性,是催化剂领域应用最广泛的载体之一,但其高温相变引发性能大幅降低的问题成为推广应用的制约因素.采用新型旋转化学气相沉积(RCVD)技术,以正硅酸乙酯(Si(OC_(2)H_(5))_(4),TEOS)... γ-Al_(2)O_(3)具备高分散度、高比表面积和良好的吸附性,是催化剂领域应用最广泛的载体之一,但其高温相变引发性能大幅降低的问题成为推广应用的制约因素.采用新型旋转化学气相沉积(RCVD)技术,以正硅酸乙酯(Si(OC_(2)H_(5))_(4),TEOS)为原料,用氧气加速热分解的方式实现了非晶SiO_(2)纳米层在γ-Al_(2)O_(3)粉体表面厚度可控的均匀包覆,具有工艺简单、应用方便等优点.研究了不同温度煅烧条件下对SiO_(2)包覆层的形貌和厚度的影响,结合微观形貌、相成分以及傅立叶红外光谱分析等测试结果,阐明了SiO_(2)纳米层在γ-Al_(2)O_(3)粉体表面包覆行为.结果表明,通过控制TEOS的流量,在γ-Al_(2)O_(3)表面均匀包覆了厚度在3~24 nm的非晶SiO_(2)纳米层,并将γ-Al_(2)O_(3)晶格重构转变温度从1200℃提升至1400℃.处于悬浮状态的γ-Al_(2)O_(3)基体和SiO_(2)包覆物之间通过化学反应产生的牢固化学键形成均匀致密的包覆层,而SiO_(2)包覆层能够阻滞Al-O键的移动使包覆后的γ-Al_(2)O_(3)开始相变温度提升了200℃.机理分析表明,由于在γ-Al_(2)O_(3)表面包覆的非晶SiO_(2)能够对过渡态氧化铝表面阳离子空位进行有效填充,抑制了离子扩散,从而提高了γ-Al_(2)O_(3)的稳定性. 展开更多
关键词 旋转化学气相沉积 γ-Al_(2)O_(3) SiO_(2)包覆 高温稳定性
下载PDF
n型Ba_yNi_xCo_(4-x)Sb_(12)化合物的热电性能 被引量:22
8
作者 唐新峰 陈立东 +2 位作者 後藤孝 平井敏雄 袁润章 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第12期2823-2828,共6页
系统地研究了Ba填充分数及Ni含量对n型BayNixCo4 -xSb1 2 (x =0— 0 .1,y =0— 0 .4 )化合物热性能及电性能的影响规律 .n型BayNixCo4 -xSb1 2 的热导率随Ba填充分数的增加而显著下降 ,当Ba填充分数为 0 .3时 ,热导率随Ni含量的增加而降... 系统地研究了Ba填充分数及Ni含量对n型BayNixCo4 -xSb1 2 (x =0— 0 .1,y =0— 0 .4 )化合物热性能及电性能的影响规律 .n型BayNixCo4 -xSb1 2 的热导率随Ba填充分数的增加而显著下降 ,当Ba填充分数为 0 .3时 ,热导率随Ni含量的增加而降低 ,在x =0 .0 5时 ,热导率达到最小值 ,晶格热导率随Ni含量的增加单调降低 .电子浓度和电导率随Ba填充分数及Ni含量的增加而增加 ,塞贝克系数则随Ba填充分数及Ni含量的增加而减小 .对于Ba0 .3Ni0 .0 5Co3.95Sb1 2 试样 ,得到了 1.2最大无量纲热电性能指数ZT . 展开更多
关键词 BayNixCo4-xSb12化合物 n型方钴矿化合物 填充 置换 热电性能 热电材料 热性能 电性能 热导率
原文传递
R_yM_xCo_(4-x)Sb_(12)化合物的晶格热导率 被引量:11
9
作者 唐新峰 陈立东 +5 位作者 王军 罗派峰 张清杰 後藤孝 平井敏雄 袁润章 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期1463-1468,共6页
系统地研究了离子半径不同的Ba,Ce ,Y作为填充原子及Fe ,Ni作为置换原子对填充化合物RyMxCo4 -xSb1 2 晶格热导率的影响规律 .结果表明 :在skutterudite结构的Sb组成的 2 0面体空洞中 ,Ba ,Ce,Y的填充原子能显著降低其晶格热导率 ,且晶... 系统地研究了离子半径不同的Ba,Ce ,Y作为填充原子及Fe ,Ni作为置换原子对填充化合物RyMxCo4 -xSb1 2 晶格热导率的影响规律 .结果表明 :在skutterudite结构的Sb组成的 2 0面体空洞中 ,Ba ,Ce,Y的填充原子能显著降低其晶格热导率 ,且晶格热导率降低幅度按Ba ,Ce ,Y离子半径减小的顺序而增大 .Sb组成的 2 0面体空洞部分被Ba ,Ce填充时 ,晶格热导率最小 ,填充原子的扰动对声子的散射作用最强 .在Co位置上Fe和Ni的置换 ,能显著地降低RyMxCo4 -xSb1 2 化合物的晶格热导率 ,与Fe相比 ,Ni对晶格热导率的影响更强 . 展开更多
关键词 晶格热导率 铈离子 钇离子 声子散射 原子扰动 方钻矿 离子填充 置换
原文传递
p型Ba_yFe_xCo_(4-x)Sb_(12)化合物的热电性能 被引量:10
10
作者 唐新峰 陈立东 +2 位作者 後藤孝 平井敏雄 袁润章 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第8期1560-1566,共7页
以 2 +价的Ba作为填充原子 ,在x=1.0— 1.6 ,y=0— 0 .6 3的组成范围内 ,系统地研究了Ba填充分数及Fe含量对p型BayFexCo4-xSb1 2 化合物电性能及热性能的影响 ,探讨了填充原子的氧化价对电性能的影响规律 ,优化了p型BayFexCo4-xSb1 2 ... 以 2 +价的Ba作为填充原子 ,在x=1.0— 1.6 ,y=0— 0 .6 3的组成范围内 ,系统地研究了Ba填充分数及Fe含量对p型BayFexCo4-xSb1 2 化合物电性能及热性能的影响 ,探讨了填充原子的氧化价对电性能的影响规律 ,优化了p型BayFexCo4-xSb1 2 化合物的组成和热电性能 ,对于富Co组成的Ba0 .2 7FeCo3Sb1 2 试样 ,本研究得到了 0 .9最大无量纲热电性能指数 (ZT) . 展开更多
关键词 填充分数 载流子浓度 电导率 赛贝克系数 晶格热导率 填充式Skutterudite化合物 热电性能
原文传递
Skutterudite化合物Fe_xCo_(4-x)Sb_(12)的固相反应合成及热电特性 被引量:24
11
作者 唐新峰 陈立东 +2 位作者 後藤孝 平井敏雄 袁润章 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第6期1120-1123,共4页
用固相反应法在 90 0— 10 0 0K温度范围和x =0— 1 0的组成范围内合成了单相Co基Skutterudite化合物FexCo4 -xSb12 ,并对化合物的结构和热电特性影响进行了研究 .结果表明 :化合物的晶格常数随Fe置换量的增加线性增加 ,载流子浓度和电... 用固相反应法在 90 0— 10 0 0K温度范围和x =0— 1 0的组成范围内合成了单相Co基Skutterudite化合物FexCo4 -xSb12 ,并对化合物的结构和热电特性影响进行了研究 .结果表明 :化合物的晶格常数随Fe置换量的增加线性增加 ,载流子浓度和电导率随Fe置换量的增加而增加 ,Seebeck系数随Fe置换量的增加而减少 ,Seebeck系数的峰值温度随Fe置换量的增加向高温方向移动 ,晶格热导率由于Fe的置换而大幅度下降 ,并随Fe的置换量的增加而进一步降低 .对于Co基Skutterudite化合物FexCo4 -xSb12 ,得到的最大热电性能指数ZT大约为 0 5 . 展开更多
关键词 热电特性 Skutterudite化合物 固相反应合成
原文传递
Fe对Ce_yFe_xCo_(4-x)Sb_(12)化合物结构和热电传输性质的影响 被引量:13
12
作者 唐新峰 陈立东 +3 位作者 後藤孝 平井 敏雄 袁润章 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第12期2437-2442,共6页
用熔融法合成了单相填充式skutterudite化合物CeyFexCo4 -xSb12 (x =0— 3 0 ,y =0— 0 74) .对Ce的填充范围 ,置换Fe原子对化合物的结构及热电传输特性的影响进行了研究 ,Ce的填充分数随Fe含量的增加而线性增加 ,当Fe含量大约为 3时 ... 用熔融法合成了单相填充式skutterudite化合物CeyFexCo4 -xSb12 (x =0— 3 0 ,y =0— 0 74) .对Ce的填充范围 ,置换Fe原子对化合物的结构及热电传输特性的影响进行了研究 ,Ce的填充分数随Fe含量的增加而线性增加 ,当Fe含量大约为 3时 ,Ce的填充分数达到 0 74.晶格常量a随Fe含量的增加而增加 ,Ce的填充使晶格常量进一步增加 .当Ce填充分数达到饱和状态时 ,CeyFexCo4 -xSb12 化合物表现为 p型传导 ,霍尔系数RH 随Fe含量的增加而降低 ,空穴浓度 p和电导率σ随Fe含量的增加而增加 ,泽贝克系数α随Fe含量的增加而降低 .当Fe/Co比大约为 1 5 / 2 5时 ,CeyFexCo4 -xSb12 的晶格热导率 (κl)达到最小值 . 展开更多
关键词 skutterudite化合物 热电传输性质 热电材料
原文传递
填充式skutterudite化合物:Ba_yFe_xCo_(4-x)Sb_(12)的多步固相反应合成及结构 被引量:11
13
作者 唐新峰 陈立东 +2 位作者 後藤孝 平井敏雄 袁润章 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第11期2196-2200,共5页
以Ba为填充原子 ,在x =0— 3 0 ,y=0— 0 7的组成范围内 ,用多步固相反应法合成了单相BayFexCo4 -xSb12 化合物 .用Rietveld方法对结构的精确化结果表明 :合成的BayFexCo4 -xSb12 化合物具有填充式skutterudite结构 ,Ba的热振动参数 (B... 以Ba为填充原子 ,在x =0— 3 0 ,y=0— 0 7的组成范围内 ,用多步固相反应法合成了单相BayFexCo4 -xSb12 化合物 .用Rietveld方法对结构的精确化结果表明 :合成的BayFexCo4 -xSb12 化合物具有填充式skutterudite结构 ,Ba的热振动参数 (B)比Sb,Fe/Co的大 ,表明在BayFexCo4 -xSb12 化合物中Ba具有扰动效果 .晶格常量随Ba填充分数及Fe含量的增大而增大 .在BayFexCo4 -xSb12 化合物的Sb的 2 0面体空洞中 ,Ba的最大填充分数随Fe含量的增大而增大 ,并明显地大于Ce的填充分数 .当Fe含量从 0增大到 4 0时 ,Ba的最大填充分数从 0 35增大到 1 展开更多
关键词 skutterudite化合物 固相反应 热电转换材料
原文传递
Ce填充分数对p型Ce_yFe_(1.5)Co_(2.5)Sb_(12)化合物热电传输特性的影响 被引量:8
14
作者 唐新峰 陈立东 +3 位作者 後藤孝 平井 敏雄 袁润章 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第12期2460-2465,共6页
研究了Ce填充分数对富Co组成的填充式skutterudite化合物 :CeyFe1.5Co2 .5Sb12 ( y =0— 0 46 )的热电传输特性的影响 .CeyFe1.5Co2 .5Sb12 有现为p型传导 .霍尔系数RH 随Ce填充分数的增加而增加 ,空穴浓度p和电导率σ随Ce填充分数的... 研究了Ce填充分数对富Co组成的填充式skutterudite化合物 :CeyFe1.5Co2 .5Sb12 ( y =0— 0 46 )的热电传输特性的影响 .CeyFe1.5Co2 .5Sb12 有现为p型传导 .霍尔系数RH 随Ce填充分数的增加而增加 ,空穴浓度p和电导率σ随Ce填充分数的增加而减少 .泽贝克系数α随Ce填充分数的增加及温度的上升而增加 ,泽贝克系数的峰值温度随Ce填充量的增加向低温方向偏移 .当Ce填充分数大约为 0 3时晶格热导率κl 达到最小值 ,表明在skutterudite结构中 ,Sb组成的 2 0面空洞的一部分被Ce原子填充时 ,Ce的扰动对声子的散射作用最强 .在 75 0K时 ,富Co组成的Ce0 2 8Fe1.52 Co2 .4 8Sb12 化合物的最大无量纲热电性能指数ZTmax达 1 1. 展开更多
关键词 填充分数 Skutterudite化合物 热电传输特性
原文传递
填充式skutterudite化合物(Ce或Y)_yFe_xCo_(4-x)Sb_(12)的固相反应合成及填充原子Ce或Y对晶格热导率的影响 被引量:2
15
作者 唐新峰 陈立东 +2 位作者 後藤孝 平井敏雄 袁润章 《中国科学(B辑)》 CSCD 北大核心 2000年第6期489-494,共6页
研究了以Sb, Co, Fe, 及Ce和Y的氯化物为起始原料, 用固相反应法合成填充式skutterudite化合物(Ce或Y)yFexCo4-xSb12的可能性和合成条件, 在 850~1 123 K温度及x = 0~1.0, y = 0~0.15组成范围内, 用固相反应法合成了单相的(Ce或Y)yFe... 研究了以Sb, Co, Fe, 及Ce和Y的氯化物为起始原料, 用固相反应法合成填充式skutterudite化合物(Ce或Y)yFexCo4-xSb12的可能性和合成条件, 在 850~1 123 K温度及x = 0~1.0, y = 0~0.15组成范围内, 用固相反应法合成了单相的(Ce或Y)yFexCo4-xSb12化合物. Rietveld结构解析结果证明了固相反应法所得到的化合物(Ce或Y)yFexCo4?xSb12具有填充式skutterudite结构. (Ce或 Y)yFexCo4-xSb12化合物的Rietveld结构解析所得到的Ce或Y的填充分数与化学分析所得到的组成一致. 化合物的晶格常数随着在Co原子位置Fe置换量的增加及在skutterudite结构中的Sb二十面体空位上Ce的填充而明显增大. (Ce或 Y)yFexCo4-xSb12化合物的晶格热导率随着Ce 或Y原子在空位上的填充及在Co原子位置Fe的置换而大幅度下降. 展开更多
关键词 填充式skutterudite化合物 固相反应 晶格热导率
原文传递
Solid state reaction synthesis of filled skutterudite compounds (Ce or Y)_y,Fe_xCo_(4-x)Sb_(12) and the effect of filling atoms Ce or Y on lattice thermal conductivity 被引量:1
16
作者 唐新峰 陈立东 +2 位作者 後藤孝 平井敏雄 袁润章 《Science China Chemistry》 SCIE EI CAS 2000年第3期306-312,共7页
The synthesis of filled skutterudite compounds (Ce or Y)<sub>y</sub>(Fe)<sub>x</sub>(Co)<sub>4x</sub>(Sb)<sub>12</sub>, through a solidstate reaction using chlor... The synthesis of filled skutterudite compounds (Ce or Y)<sub>y</sub>(Fe)<sub>x</sub>(Co)<sub>4x</sub>(Sb)<sub>12</sub>, through a solidstate reaction using chloride of Ce or Y,high purity powder of Co, Fe, and Sb as starting materials,was investigated. (Ce or Y)<sub>y</sub>(Fe)<sub>x</sub>(Co)<sub>4x</sub>(Sb)<sub>12</sub> (x=0--1.0, y=0--0.15) compounds were obtained at850--1 123 K. The results of Rietveld analysis demonstrate that (Ce or Y)<sub>y</sub>(Fe)<sub>x</sub>(Co)<sub>4x</sub>(Sb)<sub>1</sub>2synthesized by a solid state reaction possesses a filled skutterudite structure. The filling fraction ofCe or Y obtained by Rietveld analysis agrees well with the composition obtained by chemicalanalysis. The lattice constant of (Ce)<sub>y</sub>(Fe)<sub>x</sub>(Co)<sub>4x</sub>(Sb)<sub>12</sub> increases with increasing substitution of Fe at Cosites, and with an increasing Ce filling fraction in the Sb-dodecahedron voids. The lattice thermalconductivity of (Ce or Y)<sub>y</sub>(Fe)<sub>x</sub>(Co)<sub>4x</sub>(Sb)<sub>12</sub> decreases significantly with an increasing Ce or Y fillingfraction in the voids and with substitution of Fe at Co sites. 展开更多
关键词 filled SKUTTERUDITE compound solid state reaction lattice thermal CONDUCTIVITY
原文传递
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部