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10 Gbit/s高速GaInAs/InP平面PIN的研究
1
作者
徐之韬
王任凡
陈浩瀚
《光通信研究》
北大核心
1998年第5期37-41,共5页
本文报道了平面结构正面进光高速GaInAs/InP平面PIN光电二极管(使用Si-InP衬底)。该器件具有高的稳定性(在150℃下经1440小时高温老化后,暗电流无变化),大带宽(15GHz),高响应度(在1.3μm...
本文报道了平面结构正面进光高速GaInAs/InP平面PIN光电二极管(使用Si-InP衬底)。该器件具有高的稳定性(在150℃下经1440小时高温老化后,暗电流无变化),大带宽(15GHz),高响应度(在1.3μm波长下,响应度为0.94A/W)。
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关键词
光电二极管
平面PIN
光通信
光接收机
下载PDF
职称材料
具有高量子效率、低暗电流、高可靠性的平面InGaAs PIN光电二极管
2
作者
李保根
徐之韬
赵先明
《光通信研究》
1994年第1期124-129,共6页
本文详细讨论了量子效率和响应时间两个重要参数与器件结构参数的关系,为器件设计提供了依据,并提出了器件的设计方案。根据设计方案研制出的平面InGaAsPIN光电二极管,量子效率高达90%以上,暗电流为100pA。在-1...
本文详细讨论了量子效率和响应时间两个重要参数与器件结构参数的关系,为器件设计提供了依据,并提出了器件的设计方案。根据设计方案研制出的平面InGaAsPIN光电二极管,量子效率高达90%以上,暗电流为100pA。在-10V偏置下,180°C时MTTF大于3000h,230°C时MTTF为500h。
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关键词
光电二极管
量子效率
暗电流
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职称材料
题名
10 Gbit/s高速GaInAs/InP平面PIN的研究
1
作者
徐之韬
王任凡
陈浩瀚
机构
武汉电信器件公司
出处
《光通信研究》
北大核心
1998年第5期37-41,共5页
基金
邮电部重点科研项目
文摘
本文报道了平面结构正面进光高速GaInAs/InP平面PIN光电二极管(使用Si-InP衬底)。该器件具有高的稳定性(在150℃下经1440小时高温老化后,暗电流无变化),大带宽(15GHz),高响应度(在1.3μm波长下,响应度为0.94A/W)。
关键词
光电二极管
平面PIN
光通信
光接收机
Keywords
photodiode,\ planar PIN,\ optical communication,\ optical receiver
分类号
TN929.1 [电子电信—通信与信息系统]
TN364.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
具有高量子效率、低暗电流、高可靠性的平面InGaAs PIN光电二极管
2
作者
李保根
徐之韬
赵先明
机构
武汉电信器件公司
出处
《光通信研究》
1994年第1期124-129,共6页
文摘
本文详细讨论了量子效率和响应时间两个重要参数与器件结构参数的关系,为器件设计提供了依据,并提出了器件的设计方案。根据设计方案研制出的平面InGaAsPIN光电二极管,量子效率高达90%以上,暗电流为100pA。在-10V偏置下,180°C时MTTF大于3000h,230°C时MTTF为500h。
关键词
光电二极管
量子效率
暗电流
Keywords
Photodiode
Quantum efficiency
Dark current
分类号
TN354.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
10 Gbit/s高速GaInAs/InP平面PIN的研究
徐之韬
王任凡
陈浩瀚
《光通信研究》
北大核心
1998
0
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职称材料
2
具有高量子效率、低暗电流、高可靠性的平面InGaAs PIN光电二极管
李保根
徐之韬
赵先明
《光通信研究》
1994
0
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职称材料
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