高温超导体的钉扎和弱连接

研究了有织构的高T_c块状样品和烧结高T_c块状样品,在磁化曲线、交流磁化率、电阻R(T)转变曲线方面的差别。结果表明,熔融织构法是增强钉扎、克服弱连接的有效方法。

工艺条件对YBCO厚膜基带晶粒取向的影响

用Ｘ射线方法研究了平行于基带表面的Ｎｉ（２０Ｏ），Ｎｉ（１１１），ＮｉＯ（２００）和ＮｉＯ（１１１）晶面的取向分数Ｗ。结果表明，随预热处理温度的提高，虽然Ｗ_（ＮｉＯ（２００））也会随之提高，但是区域重加热处理对提高Ｗ_（ＮｉＯ（２００））起着最重要的作用。９００℃预热处理之后，在１１００℃进行区域重加热可使Ｗ_（ＮｉＯ（２００））提高到０．９９以上。

脉冲电流测量法和织构YBCO体材料临界电流研究

建立了一套脉冲临界电流测量装置,脉冲电流大小在0—500 A之间可调,脉冲电流上升时间在0.2—10 ms之间可调,失超电压判据可以达到微伏量级。对于电接点发热不明显的样品,用直流法和脉冲法测定的临界电流可以获得相同的结果。用本装置,在YBCO块样品上测到了高的临界电流密度数据:77K,1T下J_c>7×10~4A/cm^2,4T下J_c>3.5×10~4A/cm^2。

银胶热处理制备YBCO测量用电接点的新工艺

探索出一种银胶热处理制备电接点的新工艺。该工艺对YBCO体材料的临界温度、临界电流没有明显影响,制备的接点面接触电阻可达10^(-7)Ω.cm^2,允许的通电能力达10~3A/cm^2,与YBCO有较强的结合牢度。银胶热处理法制备的电接点能满足样品临界电流测量的需要,能较大地提高测量精度。由于不需要任何专用设备,对样品形状没有特殊要求,故该工艺对YBCO电接点制备来说,是简单而有效的方法。

退火对粉末烧结Y_1Ba_2Cu_3O_(7-δ)体材料超导性能的影响

本文报道了退火处理对粉末烧结Y_1Ba_2Cu_3O_(7-δ)体材料超导性能的影响。在525～750℃的退火温度(T_A)范围内,体材料的起始超导转变温度和零电阻温度随退火温度提高而提高。当T_A=750℃时,样品由单一Tc组元构成,而T_A<750℃,样品却由两个Tc组元构成。不同退火样品的Jc随T_A的变化呈抛物线规律。对于给定的T_A,退火时间的改变对Tc和Je影响甚微。根据一维Cu-O链和二维Cu-O网络的完整性与退火的关系,文章对研究结果进行了讨论。

熔融织构YBCO块样品的磁特性研究

对MTG区熔生长法,慢冷法,粉末熔融生长法这3种方法制备的熔融织构YBCO块样品进行了交流磁化率和磁阻的测量。根据实验结果计算了样品的钉扎势,并且发现3种方法制备的样品在150 mT外磁场下均显示出基本消除弱连接的特性;粉末融熔生长法所制样品中有较纯净123相和较好织构,质量最好。

高T_c氧化物超导体转变温度测量方法的研究及其应用

本文描述氧化物超导体转变温度T_c测量方法的原理、线路图及测量精度。本装置是依据零电阻效应和抗磁效应(迈斯纳效应)建立起来的电转变温度和抗磁性转变温度的测试设备。在同一温度范围内同时自动记录R-T和χ-T两条转变曲线与两种转变温度。可对块材、丝材、带材、单晶、粉末样品进行电转变与磁转变温度测量,从而比较不同热处理制度、不同成材工艺对转变温度T_c的影响,从中优化最佳热处理制度和成材工艺,为高温超导材料研究提供可靠数据。

高温超导体磁控溅射电极接点的研究

本研究通过采用磁控溅射Ag膜和Ti+Ag膜以500℃/6小时通氧热处理方法,使电极接触电阻率达到10^(-5)Ωcm^2数量级。其特点是:与样品表面结合牢,不损坏样品性能,能经受多次的冷热温度循环。可焊性好,有一定的载流能力。试验证明,此方法是获得高质量接点的有效方法,此接点已在直流法、脉冲法测I_c中得到应用。

高Tc氧化物超导相的交流测试方法研究

本文描述了高温氧化物超导体交流磁化率的测量原理、装置和测试方法。通过测量交流磁化率χ_(ac)与温度T的关系曲线,可测定磁转变温度和进行超导相体积含量分析;以同体积纯Pb为完全抗磁性标样,可以比较YBCO不同热处理制度对超导相体积含量、转变温度Tc的影响及其抗磁性与顺磁性比例,并可测量多相超导体各相V_s体积相对含量百分数。