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GaAs表面S钝化方法:S气氛辉光放电法
被引量:
1
1
作者
陈溪滢
曹华
+7 位作者
徐前江
王杰
朱炜
曹先安
张甫龙
丁训民
侯晓远
陆明
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第6期476-480,共5页
本文报道了一种新的GaAs表面S钝化方法──S气氛辉光放电法.用光致发光光谱(PL)结合俄歇电子能谱(AES)和X射线光电子能谱(XPS)研究了辉光放电S钝化的GaAs(100)表面.结果表明,与未处理的样品相比,用...
本文报道了一种新的GaAs表面S钝化方法──S气氛辉光放电法.用光致发光光谱(PL)结合俄歇电子能谱(AES)和X射线光电子能谱(XPS)研究了辉光放电S钝化的GaAs(100)表面.结果表明,与未处理的样品相比,用该方法处理后的表面复合速率大大降低,PL强度提高了将近两个数量级,而且稳定.AES谱和XPS谱测量结果表明用S气氛辉光放电的方法在GaAs(100)表面上形成了较厚的GaS薄膜.
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关键词
砷化镓表面
硫钝化法
辉光放电法
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职称材料
GaAs表面的室温光致氮化
被引量:
1
2
作者
徐前江
丁训民
侯晓远
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第9期721-724,共4页
在纯氮气体起辉放电产生的紫外光的激励下,到达GaAs表面的N2会离解并和Ga、As原子成键,X射线光电子能谱测量结果证实了这一设想.
关键词
砷化镓
半导体表面
光致氮化
室温
下载PDF
职称材料
题名
GaAs表面S钝化方法:S气氛辉光放电法
被引量:
1
1
作者
陈溪滢
曹华
徐前江
王杰
朱炜
曹先安
张甫龙
丁训民
侯晓远
陆明
机构
复旦大学应用表面物理国家重点实验室
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第6期476-480,共5页
基金
国家自然科学基金
国家教委跨世纪人才基金
文摘
本文报道了一种新的GaAs表面S钝化方法──S气氛辉光放电法.用光致发光光谱(PL)结合俄歇电子能谱(AES)和X射线光电子能谱(XPS)研究了辉光放电S钝化的GaAs(100)表面.结果表明,与未处理的样品相比,用该方法处理后的表面复合速率大大降低,PL强度提高了将近两个数量级,而且稳定.AES谱和XPS谱测量结果表明用S气氛辉光放电的方法在GaAs(100)表面上形成了较厚的GaS薄膜.
关键词
砷化镓表面
硫钝化法
辉光放电法
Keywords
Glow discharges
Passivation
Photoluminescence
Surface treatment
Surfaces
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
GaAs表面的室温光致氮化
被引量:
1
2
作者
徐前江
丁训民
侯晓远
机构
复旦大学应用表面物理国家重点实验室
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第9期721-724,共4页
基金
国家自然科学基金
李政道实验室正大基金
文摘
在纯氮气体起辉放电产生的紫外光的激励下,到达GaAs表面的N2会离解并和Ga、As原子成键,X射线光电子能谱测量结果证实了这一设想.
关键词
砷化镓
半导体表面
光致氮化
室温
Keywords
Nitrogen
分类号
O472.1 [理学—半导体物理]
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaAs表面S钝化方法:S气氛辉光放电法
陈溪滢
曹华
徐前江
王杰
朱炜
曹先安
张甫龙
丁训民
侯晓远
陆明
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996
1
下载PDF
职称材料
2
GaAs表面的室温光致氮化
徐前江
丁训民
侯晓远
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995
1
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职称材料
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参考文献
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